Кремний көмүртек электродунун графит таякчасы, силикон карбид таякчасы

Кыскача сүрөттөмө:


Продукциянын чоо-жайы

Продукциянын тегдери

Биздин корпорация "продукциянын жогорку сапаты - уюмдун жашоосунун негизи; сатып алуучунун ыраазычылыгы компаниянын негизги максаты жана аягы болот; туруктуу өркүндөтүү - бул кызматкерлерди түбөлүккө издөө" деген сапат саясатын жана Кытайдын электрографит блогун түздөн-түз жеткирүү үчүн "аброю биринчи орунда, сатып алуучу биринчи орунда" деген ырааттуу максатты карманат. Биздин компаниянын кызматкерлери заманбап технологияларды колдонуу менен дүйнө жүзү боюнча кардарларыбыз тарабынан жогору бааланган кемчиликсиз жана мыкты чечимдерди сунушташат.
Биздин корпорация "продукциянын жогорку сапаты - уюмдун жашоосунун негизи; сатып алуучунун ыраазычылыгы - компаниянын негизги максаты; тынымсыз өркүндөтүү - бул кызматкерлерди түбөлүккө издөө" деген сапат саясатын жана "аброю биринчи, сатып алуучу биринчи" деген ырааттуу максатты дайыма талап кылат.Көмүртек блогу, Кытай графит блогуБиздин кызматкерлер "Бүтүндүккө негизделген жана интерактивдүү өнүктүрүү" рухун жана "Эң сонун тейлөө менен биринчи класстагы сапат" принцибин карманышат. Ар бир кардардын муктаждыктарына ылайык, биз кардарларга максаттарына ийгиликтүү жетүүгө жардам берүү үчүн жекелештирилген жана жекелештирилген кызматтарды көрсөтөбүз. Үйдөн жана чет өлкөдөн келген кардарларды чалып, суроо берүүгө чакырабыз!

Продукциянын сүрөттөлүшү

Көмүртек / көмүртек композиттери(мындан ары "C / C же CFC”) – бул көмүртектин негизинде жасалган жана көмүртек буласы жана анын продукциялары (көмүртек буласынын преформасы) менен бекемделген композиттик материалдын бир түрү. Ал көмүртектин инерциясына да, көмүртек буласынын жогорку бекемдигине да ээ. Ал жакшы механикалык касиеттерге, ысыкка туруктуулукка, коррозияга туруктуулукка, сүрүлүүгө туруктуулукка жана жылуулук жана электр өткөрүмдүүлүгүнө ээ.

CVD-SiCКаптоо бирдей түзүлүшкө, компакттуу материалга, жогорку температурага туруктуулукка, кычкылданууга туруктуулукка, жогорку тазалыкка, кислотага жана жегичке туруктуулукка жана органикалык реагентке, ошондой эле туруктуу физикалык жана химиялык касиеттерге ээ.

Жогорку тазалыктагы графит материалдары менен салыштырганда, графит 400°C температурада кычкылданып баштайт, бул кычкылдануудан улам порошоктун жоголушуна алып келет, натыйжада перифериялык түзүлүштөр жана вакуумдук камералар айлана-чөйрөнүн булганышына алып келет жана жогорку тазалыктагы чөйрөнүн аралашмаларын көбөйтөт.

Бирок, SiC каптоосу 1600 градуста физикалык жана химиялык туруктуулукту сактай алат, ал заманбап өнөр жайда, айрыкча жарым өткөргүчтөр өнөр жайында кеңири колдонулат.

Биздин компания графит, керамика жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен SiC каптоо процессин жүргүзөт, ошондуктан көмүртек жана кремнийди камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине чөккөн молекулаларды, SIC коргоочу катмарын түзөт. Пайда болгон SIC графит негизине бекем жабышып, графит негизине өзгөчө касиеттерди берет, ошентип графиттин бетин компакттуу, тешиксиз, жогорку температурага туруктуу, коррозияга туруктуу жана кычкылданууга туруктуу кылат.

 Графит бетиндеги MOCVD сусцепторлорунда SiC каптоону иштетүү

Негизги өзгөчөлүктөрү:

1. Жогорку температурадагы кычкылданууга туруктуулук:

кычкылданууга туруктуулук температура 1600°Cге чейин жеткенде дагы эле абдан жакшы.

2. Жогорку тазалык: жогорку температурада хлордоо шартында химиялык буу менен чөктүрүү жолу менен жасалган.

3. Эрозияга туруктуулук: жогорку катуулук, тыгыз бет, майда бөлүкчөлөр.

4. Коррозияга туруктуулук: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.

 

CVD-SIC каптамаларынын негизги мүнөздөмөлөрү:

SiC-CVD

Тыгыздык

(г/см³)

3.21

Ийилүүнүн күчү

(Мпа)

470

Термикалык кеңейүү

(10-6/K)

4

Жылуулук өткөрүмдүүлүгү

(Вт/мК)

300

Толук сүрөттөр

Графит бетиндеги MOCVD сусцепторлорунда SiC каптоону иштетүүГрафит бетиндеги MOCVD сусцепторлорунда SiC каптоону иштетүүГрафит бетиндеги MOCVD сусцепторлорунда SiC каптоону иштетүүГрафит бетиндеги MOCVD сусцепторлорунда SiC каптоону иштетүүГрафит бетиндеги MOCVD сусцепторлорунда SiC каптоону иштетүү

Компания жөнүндө маалымат

111

Заводдук жабдуулар

222

Кампа

333

Сертификаттар

Сертификаттар22

 


  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • WhatsApp аркылуу онлайн баарлашуу!