تەتقىقات مىسالى: N تىپلىق كرېمنىي ئۆسۈشىدىكى 32 دىيۇملۇق مونوكرىستاللىق ئىسسىقلىق مەيدانى ئۈچۈن يۇقىرى ساپلىقتىكى گرافىت تەركىبلىرى
ئاپتور:دوكتور ستېۋېن چىيۇ، VET ئېنېرگىيە شىركىتىنىڭ يۇقىرى دەرىجىلىك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ئىنژېنېرى ۋە تېخنىكىلىق مۇدىرى
نەشر قىلىنغان ۋاقتى:2026-يىلى 8-ئاي | تېخنىكىلىق ساھە دوكلاتى ۋە قۇرۇلۇش ئانالىزى
ئومۇمىي خۇلاسە ۋە لايىھە ئومۇمىي ئەھۋالى
- سانائەت:قۇياش ئېنېرگىيەسى PV ۋە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كرېمنىي ۋافېر ئىشلەپچىقىرىش
- جەريان:Czochralski (CZ) N تىپلىق (TOPCon/HJT) مونوكرىستاللىق قۇيما تارتىش
- ئۈسكۈنىلەر:32 دىيۇملۇق چوڭ دىئامېتىرلىق ئىسسىقلىق مەيدانى ئوچاقلىرى (باھالانغان 50 دانە)
- ھەل قىلىش چارىسى:چوڭقۇر گالوگېنلىق تازىلانغان ئىزوستاتىك گرافىت تەركىبلىرى (كۈل ≤ 2-5 ppm) + CVD SiC قاپلاش
- مىقدارلاشتۇرۇلغان تەسىر:ئاز سانلىق توشۇغۇچىنىڭ ئۆمرى <100 μs دىن >380 μs گىچە ئۇزارتىلدى؛ قۇيۇش ئۈنۈمى +18%؛ ئىسسىقلىق مەيدانى ئۆمرى +30%.
كىرىش سۆز: يۇقىرى ئۈنۈملۈك N تىپلىق كرېمنىينى ئۆستۈرۈشتىكى 32 دىيۇملۇق ئىسسىقلىق مەيدانى خىرىسى
فوتوۋولت سانائىتى P تىپلىق PERC دىن N تىپلىق TOPCon ۋە Heterojunction (HJT) قۇياش باتارېيەسىگە تېز سۈرئەتتە ئۆتۈۋاتقانلىقتىن، يۇقىرى ساپلىقتىكى كرېمنىي لېنتىسىغا بولغان ئېھتىياج زور دەرىجىدە ئاشتى. N تىپلىق كرېمنىي ئاساسىي قەۋىتى ئىنتايىن يۇقىرى ئاز سانلىق توشۇغۇچىنىڭ ئۆمرىنى (ئادەتتە >300 μs) ۋە نۆلگە يېقىن ئۆتكۈنچى مېتال ئارىلاشمىسى بۇلغىنىشىنى تەلەپ قىلىدۇ.
ئىشلەپچىقىرىش مىقدارىنى ئاشۇرۇش ئۈچۈن، كرېمنىيلىق لېنتا ئىشلەپچىقارغۇچىلار تىگېلنىڭ چوڭلۇقىنى 32 دىيۇم ۋە ئۇنىڭدىنمۇ چوڭايتىۋاتىدۇ. قانداقلا بولمىسۇن، 32 دىيۇملىق ئىسسىقلىق مەيدانىدا 1450 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىشلەش ئېغىر قۇرۇلۇش قىيىنچىلىقلىرىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ:
- ئىسسىقلىق بۇزۇلۇشى ۋە ئاسسىمېترىيە:چوڭ تېمپېراتۇرا ئۆزگىرىشى ئۆلچەملىك گرافىت ئىسسىتقۇچلار ۋە تۈۋرۈكلەردە قۇرۇلمىنىڭ دېفورماتسىيەسى ۋە يېرىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
- ئۇچۇچان مېتال بۇلغىنىشى:ئادەتتىكى گرافىتتىكى ئىز قوشۇلمىلىرى (Fe، Ni، Cu، V) ئۇزۇن مەزگىللىك كىرىستال تارتىش جەريانىدا پارغا ئايلىنىپ، ئېرىتىلگەن كرېمنىيغا بىۋاسىتە يۆتكىلىپ، ئاز سانلىق توشۇغۇچىلارنىڭ ئۆمۈر بويى ئېغىر دەرىجىدە پارچىلىنىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
ئىنژېنېرلىق چارىسى: ئۇلترا تازىلانغان ئىزوستاتىك گرافىت ۋە CVD SiC قوغداش
بۇ تېخنىكىلىق توسالغۇلارنى يېڭىش ئۈچۈن، VeTek Semiconductor شىركىتى 32 دىيۇملۇق ئىسسىقلىق مەيدانىنىڭ پۈتۈن قۇرۇلمىسىغا ئومۇميۈزلۈك ماتېرىيال يېڭىلاش ئۇسۇلىنى قوللاندى، بۇ سىستېمىغا يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا گالوگېن تازىلاشقا ئۇچرىغان يۇقىرى زىچلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت ۋە قوغداش CVD كرېمنىي كاربىد (SiC) قاپلىمىلىرى كىرگۈزۈلگەن.
1. چوڭقۇر گالوگېن تازىلاش (كۈل مىقدارى ≤ 2-5 ppm)
ئۆلچەملىك سانائەت گرافىتىدا 50 ppm دىن 200 ppm غىچە بولغان مىقداردىكى كۈل مىقدارى بار. ۋاكۇئۇم ئاستىدا 1450°C دا، بۇ مىكرو ئېلېمېنتلار ئۇچۇۋاتىدۇ. بىزنىڭ مەخسۇس يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق گالوگېن گاز تازىلاش جەريانىمىز مېتاللىق بۇلغانمىلارنى 2400°C دىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئۇچۇچان گالوگېن بىرىكمىلىرىگە (خلورىد/فتور) ئايلاندۇرىدۇ.
- پارقىراقلىق چىقىرىش ماسسا سپېكترومېتىرىيەسى (GDMS) سىنىقىئومۇمىي مېتال قوشۇلمىلىرىنىڭ (Fe, Cr, Ni, Cu, V) 0.5 ppm دىن تۆۋەنگە چۈشۈپ، ئومۇمىي كۈل مىقدارىنىڭ ≤ 2 ppm غا يەتكەنلىكىنى تەكشۈرىدۇ.
- نەتىجە:120 سائەتتىن ئارتۇق ئۈزلۈكسىز تارتىش دەۋرىيلىكى جەريانىدا ئېرىتىلگەن كرېمنىي كۆلچىكىنى بۇلغىنىشتىن ساقلايدۇ، ئارقا كۆرۈنۈشتىكى مېتال گازىنىڭ ئېقىشىنى يوقىتىدۇ.
2. ئىسسىقلىق مۇقىملىقى ئۈچۈن يۇقىرى زىچلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت قۇرۇلمىسى
گرافىت ئىسسىتقۇچ، تىگېللىق سۇسېپتور ۋە ئىزولياتسىيە تۇڭى قاتارلىق زاپچاسلار يۇقىرى زىچلىقتىكى (1.85 گرام/cm³)، ئىنچىكە دانلىق (دان چوڭلۇقى <10 μm) ئىزوستاتىك گرافىتتىن ياسالغان. ئىزوستاتىك بېسىش بىردەك ئىزوتروپىك ئىسسىقلىق كېڭىيىشىنى (CTE) كاپالەتلەندۈرۈپ، قايتا-قايتا ئىسسىقلىق دەۋرىيلىكى ئاستىدا يەرلىك ئىسسىقلىق بېسىمى، بۇرمىلىنىش ۋە مېخانىكىلىق يېرىلىشنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.
3. قوغداش CVD كرېمنىي كاربىد (SiC) قاپلىمى
كرېمنىي پارى ۋە چىرىتىشچان تازىلاش گازلىرىغا دۇچ كەلگەن مۇھىم زاپچاسلار 50-80 مىكرومېتىر قېلىنلىقتىكى خىمىيىلىك پار چۆكمىسى (CVD) كرېمنىي كاربىد (SiC) قەۋىتى بىلەن قاپلىنىدۇ.
- چىرىشتىن ساقلىنىش توسۇقى:ئۇچۇچان كرېمنىي پارى (SiO) بىلەن گرافىت ئاساسى (SiO + 2C → SiC + CO) ئوتتۇرىسىدىكى بىۋاسىتە خىمىيىلىك رېئاكسىيەنىڭ ئالدىنى ئېلىپ، يۈزەكى ئېروزىيە ۋە كاربون چاڭلىرىنىڭ پەيدا بولۇشىنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.
- گېئومېتىرىيەلىك ئېنىقلىق:خىزمەت ئارىلىقىنىڭ %30 تىن ئارتۇق ئۇزۇنراق بولۇشى بىلەن، ئېنىق ئىسسىقلىق مەيدانى گېئومېتىرىيەسىنى ساقلايدۇ.
ئۆلچەنگەن ئىقتىدار سانلىق مەلۇماتلىرى ۋە سىناق سىنىقىنىڭ دەلىللىشى
1-دەرىجىلىك TOPCon كرېمنىي لېنتىسىنى ئىشلەپچىقىرىش زاۋۇتىدا 50 دانە ئىشلەپچىقىرىش كۆلىمىدىكى 32 دىيۇملۇق CZ ئوچاقلىرىدا 6 ئايلىق سېلىشتۇرما سىناق ئېلىپ بېرىلدى. تۆۋەندە ئۆلچەملىك گرافىت تەركىبلىرىنى VeTek Semiconductor نىڭ تازىلانغان ئىسسىقلىق مەيدانى ئېرىتمىسى بىلەن سېلىشتۇرۇش ئىقتىدارى ئۆلچىمى كۆرسىتىلدى:
| ئىقتىدار كۆرسەتكۈچى | ئۆلچەملىك گرافىت ئىسسىقلىق مەيدانى | VeTek ساپلاشتۇرۇلغان گرافىك ھەل قىلىش چارىسى |
|---|---|---|
| گرافىتنىڭ كۆپ مىقداردىكى كۈل مىقدارى | 50 – 100 ppm | ≤ 2 – 5 ppm (ھالوگېنلىق تازىلانغان) |
| ئومۇمىي مېتال ئارىلاشمىلىرى (GDMS) | ~15 – 30 ppm (Fe، Ni، V) | < 0.5 ppm |
| ئاز سانلىق مىللەتلەر توشۇغۇچىلىرىنىڭ ئوتتۇرىچە ئۆمرى | 85 – 120 μs (يۇقىرى ئۆزگىرىشچانلىق) | 380 – 450 μs (دائىم يۇقىرى) |
| ئىسسىقلىق مەيدانى تەركىبىنىڭ ئۆمرى | 60 – 75 تارتىش دەۋرىيلىكى | 90 – 105 تارتىش دەۋرى (+30%) |
| A دەرىجىلىك N تىپلىق قۇيۇش ئۈنۈمى نىسبىتى | 74.5% | %92.5 (+%18 مەھسۇلاتنىڭ ياخشىلىنىشى) |
كۆپ سورىلىدىغان سوئاللار (FAQ)
1-سوئال: 32 دىيۇملۇق N تىپلىق مونوكرىستاللىق كرېمنىي تارتىشتا مەھسۇلات مىقدارىنىڭ تۆۋەنلىشىنىڭ ئاساسلىق سەۋەبى نېمە؟
A1:مەھسۇلات مىقدارىنىڭ تۆۋەنلىشى ئاساسلىقى مېتال ئارىلاشمىسىنىڭ بۇلغىنىشى (ئاز سانلىق توشۇغۇچىلارنىڭ ئۆمرىنى قىسقارتىش) ۋە چوڭ دىئامېتىرلىق گرافىت ئىسسىتقۇچلارنىڭ قۇرۇلما ئىسسىقلىق دېفورماتسىيەسى سەۋەبىدىن كېلىپ چىقىدۇ، بۇ قاتتىق ماددا بىلەن سۇيۇق كىرىستالنىڭ چېگرىسىنى بۇزىدۇ.
2-سوئال: گالوگېن تازىلاش ئۇسۇلى قانداق قىلىپ كۈل مىقدارىنى 5 ppm دىن تۆۋەنگە يەتكۈزىدۇ؟
A2:گالوگېن تازىلاش ئۇسۇلى ئارقىلىق گرافىت پارچىلىرى يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا (>2400°C) دۇچ كېلىدۇ، شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا خىلور ۋە فتور گازلىرى كىرگۈزۈلىدۇ. بۇ گازلار چوڭقۇر قاتلامدىكى مېتال ئېلېمېنتلىرى بىلەن رېئاكسىيەگە كىرىپ، ئۇلارنى ئۇچۇشچان مېتال گالوگېنىدلارغا ئايلاندۇرۇپ، ئىنتايىن ساپ گرافىت ھاسىل قىلىدۇ.
3-سوئال: CVD SiC قاپلىمىسىنى قايتا قاپلىغىلى ياكى بارلىق گرافىت ئىسسىقلىق مەيدانى تەركىبلىرىگە ئىشلەتكىلى بولامدۇ؟
A3:CVD SiC قاپلىمىسىنى گرافىت تىگېل، ئېقىم يېتەكلىگۈچ، ئىسسىتقۇچ ۋە ئىزولياتورلۇق تۇڭ قاتارلىق يۇقىرى ئۇپرايدىغان زاپچاسلارغا ئىشلىتىش ئەڭ ياخشى. ئاساسىي قاتلامنىڭ ئۇپراش دەرىجىسىگە ئاساسەن، بەزى زاپچاسلارنى قايتا پىششىقلاپ ۋە قايتا قاپلاپ، ئومۇمىي ئىشلىتىش تەننەرخىنى تۆۋەنلىتىشكە بولىدۇ.
خۇلاسە ۋە تېخنىكىلىق مەسلىھەت
CVD SiC قوغداش ئىقتىدارىغا ئىگە ئۇلترا ساپلاشتۇرۇلغان ئىزوستاتىك گرافت تەركىبلىرىگە يېڭىلاش، 32 دىيۇملۇق N تىپلىق مونوكرىستاللىق كرېمنىي ئۆسۈشىدىكى مەھسۇلات مىقدارى ۋە ئارىلاشما توسالغۇلارنى ھەل قىلىشنىڭ بىۋاسىتە، ئۆلچىگىلى بولىدىغان يولىنى تەمىنلەيدۇ. قۇياش نۇرى لېنتىسىنى ئىشلەپچىقارغۇچىلار ئاساسلىق مەھسۇلات مىقدارىنىڭ %18 ئېشىشى ۋە ئىسسىقلىق مەيدانىنىڭ ئۆمرىنىڭ %30 ئۇزارتىلىشى بىلەن زور ROI غا ئېرىشەلەيدۇ.
بۈگۈن مونوكرىستاللىق ئىسسىقلىق مەيدانىڭىزنى ئەلالاشتۇرۇڭ
تولۇق تېخنىكىلىق سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىنى (TDS) چۈشۈرۈڭ ياكى خاسلاشتۇرۇلغان باھا ئۈچۈن قۇرۇلۇش مۇتەخەسسىسلىرىمىز بىلەن ئالاقىلىشىڭ.
بۈگۈن مونوكرىستاللىق ئىسسىقلىق مەيدانىڭىزنى ئەلالاشتۇرۇڭ
تولۇق تېخنىكىلىق سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىنى (TDS) چۈشۈرۈڭ ياكى خاسلاشتۇرۇلغان باھا ئۈچۈن قۇرۇلۇش مۇتەخەسسىسلىرىمىز بىلەن ئالاقىلىشىڭ.
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2026-يىلى 8-ئاينىڭ 15-كۈنى