ציטירטער פרייז פאר כינע הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל גרין סיליקאָן קאַרבייד אַברייסיוו פּודער שוואַרץ סיליקאָן קאַרבייד פּאַלישינג פּודער

קורצע באַשרייַבונג:

אָרט פון אָפּשטאַם:כינע

קריסטאַל סטרוקטור:FCCβפאַזע

געדיכטקייט:3.21 ג/קמ²;

כאַרטקייט:2500 וויקערס;

גריין גרייס:2~10μm;

כעמישע ריינקייט:99.99995%;

היץ קאַפּאַציטעט:640 דזש·קג-1·ק-1;

סובלימאַציע טעמפּעראַטור:2700 ℃;

פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט:415 מפּאַ (RT 4-פונקט);

יונג'ס מאָדולוס:430 Gpa (4pt בייג, 1300 ℃);

טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE):4.5 10-6K-1;

טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:300 (וואט/מיליקאל);

שיקט אַן אימעיל צו אונדז אראָפּלאָדן ווי PDF

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

מיר האָבן אונדזער אייגענע פארקויף מאַנשאַפֿט, פּלאַן מאַנשאַפֿט, טעכניש מאַנשאַפֿט, QC מאַנשאַפֿט און פּאַקאַדזש מאַנשאַפֿט. מיר האָבן שטרענגע קוואַליטעט קאָנטראָל פּראָצעדורן פֿאַר יעדן פּראָצעס. אויך, אַלע אונדזער אַרבעטער זענען יקספּיריאַנסט אין דרוק פעלד פֿאַר ציטירט פּרייַז פֿאַר טשיינאַ הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל גרין סיליקאָן קאַרבייד אַברייסיוו פּודער שוואַרץ סיליקאָן קאַרבייד פּאַלישינג פּודער, קאַסטאַמערז 'נוץ און צופֿרידנקייט זענען נאָרמאַלי אונדזער גרעסטע כוונה. געדענקט צו קאָנטאַקט אונדז. געבן אונדז אַ געלעגנהייט, צושטעלן איר מיט אַ יבערראַשן.
מיר האָבן אונדזער אייגענע פארקויף מאַנשאַפֿט, פּלאַן מאַנשאַפֿט, טעכניש מאַנשאַפֿט, QC מאַנשאַפֿט און פּאַקעט מאַנשאַפֿט. מיר האָבן שטרענגע קוואַליטעט קאָנטראָל פּראָצעדורן פֿאַר יעדן פּראָצעס. אויך, אַלע אונדזערע אַרבעטער זענען יקספּיריאַנסט אין דרוק פעלד פֿאַרכינע סיליקאָן קאַרבייד, סיק, וואָס איז אַ גוטער פּרייז? מיר געבן קאַסטאַמערז אַ פאַבריק פּרייז. אין דער פּרעמיסע פון גוטער קוואַליטעט, זאָל מען אָפּהיטן עפעקטיווקייט און האַלטן צונעמען נידעריקע און געזונטע פּראָפיטן. וואָס איז אַ שנעלע ליפערונג? מיר מאַכן די ליפערונג לויט די באדערפענישן פון די קאַסטאַמערז. כאָטש די ליפערונג צייט דעפּענדס אויף דער אָרדער קוואַנטיטי און די קאָמפּלעקסיטי דערפון, מיר פּרובירן נאָך צו צושטעלן פּראָדוקטן און לייזונגען אין צייט. מיר האָפן אַז מיר קענען האָבן אַ לאַנג-טערמין געשעפט באַציִונג.
פּראָדוקט באַשרייַבונג

אונדזער פירמע גיט SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגען דורך CVD מעטאָד אויף דער ייבערפלאַך פון גראַפיט, קעראַמיק און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעלע גאַזן וואָס אַנטהאַלטן טשאַד און סיליקאָן רעאַגירן ביי הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דיפּאַזאַט אויף דער ייבערפלאַך פון די באדעקט מאַטעריאַלס, פאָרמינג SIC פּראַטעקטיוו שיכט.

הויפּט פֿעיִקייטן:

1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל: די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז אַזוי הויך ווי 1600 C.

2. הויך ריינקייט: געמאכט דורך כעמישע פארע דעפאזיציע אונטער הויך טעמפעראטור כלארינאציע באדינגונגען.

3. עראָזיע קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, קאָמפּאַקט ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.

4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַנישע רעאַגענץ.

הויפּט ספּעסיפיקאַציעס פון CVD-SIC קאָוטינג

SiC-CVD אייגנשאפטן
קריסטאַל סטרוקטור	FCC β פאַזע
געדיכטקייט	ג/קמ³	3.21
כאַרטקייט	וויקערס כאַרדנאַס	2500
גריין גרייס	מיקראָמעטער	2~10
כעמישע ריינקייט	%	99.99995
היץ קאַפּאַציטעט	דזש·קג-1 ·ק-1	640
סובלימאַציע טעמפּעראַטור	℃	2700
פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט	MPa (RT 4-פונקט)	415
יונגס מאָדולוס	Gpa (4 פּינט בייג, 1300℃)	430
טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE)	10-6K-1	4.5
טערמישע קאַנדאַקטיוויטי	(וואט/מיליקענסטער קאלקולאט)	300