Pretium indicatum pro Pulvere Abrasivo Viridi Carburi Silicii Sinensi ad Altas Temperaturas Resistendum, Pulvere Politorio Carburi Silicii Nigro

Descriptio Brevis:


  • Locus Originis:Sina
  • Structura Crystallina:FCCβphasis
  • Densitas:3.21 g/cm³;
  • Duritia:2500 Vickers;
  • Magnitudo Grani:2~10μm;
  • Puritas Chemica:99.99995%;
  • Capacitas Calorifera:640J·kg⁻¹·K⁻¹;
  • Temperatura Sublimationis:2700℃;
  • Robur Feflexurale:415 Mpa (RT 4-Puncta);
  • Modulus Youngi:430 Gpa (flexura 4pt, 1300℃);
  • Expansio Thermalis (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Conductivitas thermalis:300 (W/mK);
  • Detalia Producti

    Etiquettae Productarum

    Nostrae sunt turmae venditionum, turmae designatorum, turmae technicae, turmae QC, et turmae sarcinatorum. Severas rationes qualitatis in singulis processibus habemus. Praeterea, omnes operarii nostri in arte typographica periti sunt. Pretium indicatum est pro Pulvere Abrasivo Viridi Silicii Carburis, Pulvere Politorio Nigro Silicii Carburis, ad Altas Temperaturas Resistendum. Utilitas et gratificatio emptorum plerumque maxima nostra intentio sunt. Memento nobiscum contactum facere. Da nobis occasionem, tibi rem inopinatam praebebimus.
    Nostrae sunt nostrae turmae venditionum, turmae designatorum, turmae technicae, turmae controlli qualitatis, et turmae sarcinarum. Severas rationes qualitatis in singulis processibus habemus. Praeterea, omnes operarii nostri in campo typographico periti sunt.Carbidum Silicii Sinense, SicQuid est bonum pretium? Pretium officinae clientibus offerimus. Bonae qualitatis fundamento, efficaciae attendendum est et lucrum sanum et humile conservandum. Quid est celeritas traditionis? Traditionem secundum desideria clientium facimus. Quamquam tempus traditionis a quantitate et complexitate ordinis pendet, tamen conamur producta et solutiones tempestive praebere. Sincere speramus nos necessitudinem commercialem diuturnam habere posse.
    Descriptio Producti

    Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicae, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales carbonium et silicium continentes alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes.

    Proprietates principales:

    1. Resistentia oxidationis altae temperaturae: resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura ad 1600°C pervenit.

    2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.

    3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.

    4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.

     

    Specificationes Principales Tegumentorum CVD-SIC

    Proprietates SiC-CVD

    Structura Crystallina FCC phasis beta
    Densitas g/cm³ 3.21
    Duritia Durities Vickersiana 2500
    Magnitudo Granorum μm 2~10
    Puritas Chemica % 99.99995
    Capacitas Calorifera J·kg-1 ·K-1 DCXL
    Temperatura Sublimationis Celsius 2700
    Robur Feflexurale MPa (RT 4 punctorum) 415
    Modulus Youngi Gpa (flexura 4pt, 1300℃) 430
    Expansio Thermalis (CTE) 10-6K-1 4.5
    Conductivitas thermalis (W/mK) trecenti

    1 Duo Tres quattuor quinque sex VII VIII IX

     

     

     

     


  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Colloquium WhatsApp Interretiale!