Mir hunn eis eege Verkafséquipe, Designéquipe, technescht Team, QC-Team a Verpackungséquipe. Mir hunn strikt Qualitéitskontrollprozedure fir all Prozess. Ausserdeem hunn all eis Mataarbechter Erfahrung am Dréckberäich fir e Präisoffer fir China High Temperature Resistance Green Silicon Carbide Abrasive Powder Black Silicon Carbide Polishing Powder. De Virdeel an d'Zefriddenheet vun de Clienten sinn normalerweis eis gréisst Zil. Denkt drun, eis ze kontaktéieren. Gitt eis eng Chance, mir iwwerraschen Iech.
Mir hunn eis eege Verkafséquipe, Designéquipe, technescht Team, QC-Team a Verpackungséquipe. Mir hunn strikt Qualitéitskontrollprozedure fir all Prozess. Ausserdeem hunn all eis Mataarbechter Erfahrung am Dréckberäich fir ...China Siliziumkarbid, Sic, Wat ass e gudde Präis? Mir bidden de Clienten e Fabréckspräis. Ënnert der Viraussetzung vu gudder Qualitéit sollt op Effizienz opgepasst ginn an entspriechend niddreg a gesond Gewënn erhale bleiwen. Wat ass eng séier Liwwerung? Mir liwweren no de Wënsch vun de Clienten. Och wann d'Liwwerzäit vun der Bestellquantitéit an der Komplexitéit dovun ofhänkt, probéieren mir trotzdem Produkter a Léisungen fristgerecht ze liwweren. Mir hoffen häerzlech, datt mir eng laangfristeg Geschäftsbezéiung opbauen kënnen.
Produktbeschreiwung
Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mam CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden.
Haaptmerkmale:
1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen: D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt, och wann d'Temperatur bis zu 1600 °C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
Haaptspezifikatioune vun der CVD-SIC Beschichtung
| SiC-CVD Eegeschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC β Phase | |
| Dicht | g/cm³ | 3.21 |
| Häert | Vickers-Härkeet | 2500 |
| Kärengréisst | μm | 2~10 |
| Chemesch Rengheet | % | 99.99995 |
| Hëtztkapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatiounstemperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural Stäerkt | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Young säi Modul | Gpa (4pt Biegung, 1300℃) | 430 |
| Thermesch Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitfäegkeet | (W/mK) | 300 |
-
18 Joer Fabréck China Edelstahl Kleng Ma ...
-
China Bëlleg Präis 60w Pure Hydrogen Brennstoffzell C ...
-
Héichopléisend 30ml Héichtemperatur Transparent...
-
Fabréckspräis Brennstoffzell Redox Flow Batterie Bipo ...
-
Fabréck fir d'Produktioun vu China elektreschen Héichvakuum Selbst ...
-
Nei Arrivée mat héijer Wärmetransfereffizienz Gra ...












