Εξαρτήματα με επικάλυψη CVD SiC για επιταξία πυριτίου (Si Epi)

Σχεδιασμένοι με ακρίβεια για συστήματα εναπόθεσης Silicon Epitaxial μονού πλακιδίου και παρτίδας, οι επιδέκτες μας με επικάλυψη CVD SiC, οι δορυφορικοί δίσκοι και τα εξαρτήματα θερμικού πεδίου προσφέρουν εξαιρετική θερμική ομοιομορφία και μηδενική απαγωγή αερίων. Το στρώμα επικάλυψης υψηλής πυκνότητας κυβικού β-SiC περικλείει πλήρως το υπόστρωμα γραφίτη υψηλής καθαρότητας, αποτρέποντας την ενεργή χάραξη αερίου (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) και εγγυώντας εξαιρετικά χαμηλά επίπεδα μεταλλικών προσμίξεων (< 5 ppm) κατά την επεξεργασία Si Epi σε υψηλή θερμοκρασία (1000°C - 1200°C).