Berriak

  • Erdieroaleen obleen kutsadura eta garbiketaren iturriak

    Erdieroaleen obleen kutsadura eta garbiketaren iturriak

    Substantzia organiko eta ez-organiko batzuk beharrezkoak dira erdieroaleen fabrikazioan parte hartzeko. Gainera, prozesua beti gela garbi batean egiten denez gizakien parte-hartzearekin, erdieroaleen obleak hainbat ezpurutasunekin kutsatzen dira nahitaez....
    Irakurri gehiago
  • Kutsadura iturriak eta prebentzioa erdieroaleen fabrikazio industrian

    Kutsadura iturriak eta prebentzioa erdieroaleen fabrikazio industrian

    Erdieroaleen gailuen ekoizpenak batez ere gailu diskretuak, zirkuitu integratuak eta haien ontziratze-prozesuak hartzen ditu barne. Erdieroaleen ekoizpena hiru etapatan bana daiteke: produktuaren gorputz-materialaren ekoizpena, produktuaren oblearen fabrikazioa eta gailuaren muntaketa. Horien artean,...
    Irakurri gehiago
  • Zergatik behar da mehetzea?

    Zergatik behar da mehetzea?

    Atzeko prozesuaren fasean, oblea (aurrealdean zirkuituak dituen siliziozko oblea) atzealdetik mehetu behar da ondoren moztu, soldatu eta ontziratu aurretik, paketearen muntaketa altuera murrizteko, txiparen paketearen bolumena murrizteko, txiparen difusio termikoa hobetzeko...
    Irakurri gehiago
  • SiC kristal bakarreko hautsaren sintesi-prozesu purua

    SiC kristal bakarreko hautsaren sintesi-prozesu purua

    Silizio karburo monokristalen hazkuntza-prozesuan, lurrun-garraio fisikoa da gaur egungo industrializazio-metodo nagusia. PVT hazkuntza-metodoarentzat, silizio karburo hautsak eragin handia du hazkuntza-prozesuan. Silizio karburo hautsaren parametro guztiek...
    Irakurri gehiago
  • Zergatik ditu oblea-kutxa batek 25 oblea?

    Zergatik ditu oblea-kutxa batek 25 oblea?

    Teknologia modernoaren mundu sofistikatuan, obleak, siliziozko obleak bezala ere ezagunak, erdieroaleen industriaren osagai nagusiak dira. Mikroprozesadoreak, memoria, sentsoreak eta abar bezalako hainbat osagai elektroniko fabrikatzeko oinarria dira, eta oblea bakoitzak...
    Irakurri gehiago
  • Lurrun-faseko epitaxiarako ohiko oinarriak

    Lurrun-faseko epitaxiarako ohiko oinarriak

    Lurrun-faseko epitaxia (VPE) prozesuan, oinarriaren eginkizuna substratua eustea eta hazkuntza-prozesuan berotze uniformea ​​bermatzea da. Oinarri mota desberdinak egokiak dira hazkuntza-baldintza eta material-sistema desberdinetarako. Hona hemen batzuk...
    Irakurri gehiago
  • Nola luzatu tantalo karburoz estalitako produktuen bizitza erabilgarria?

    Nola luzatu tantalo karburoz estalitako produktuen bizitza erabilgarria?

    Tantalo karburoz estalitako produktuak tenperatura altuko material erabilienak dira, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, higadura-erresistentzia eta abarrengatik bereizten direnak. Hori dela eta, oso erabiliak dira industria aeroespazialean, kimikoan eta energian. Ahal izateko...
    Irakurri gehiago
  • Zein da PECVD eta LPCVD arteko aldea erdieroaleen CVD ekipamenduetan?

    Zein da PECVD eta LPCVD arteko aldea erdieroaleen CVD ekipamenduetan?

    Lurrun-deposizio kimikoa (CVD) siliziozko oblea baten gainazalean film solido bat metatzeko prozesuari egiten dio erreferentzia, gas-nahaste baten erreakzio kimiko baten bidez. Erreakzio-baldintza desberdinen arabera (presioa, aitzindaria), hainbat ekipamendutan bana daiteke...
    Irakurri gehiago
  • Silizio karburo grafito moldearen ezaugarriak

    Silizio karburo grafito moldearen ezaugarriak

    Silizio Karburo Grafitozko Moldea Silizio karburo grafitozko moldea silizio karburo (SiC) oinarri gisa eta grafitoa indargarri material gisa dituen molde konposatu bat da. Molde honek eroankortasun termiko bikaina, tenperatura altuarekiko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia eta...
    Irakurri gehiago
WhatsApp bidezko txata online!