समाचार

सिलिकॉन कार्बाइड के लिए तकनीकी बाधाएं क्या हैं?
admin द्वारा 24-05-22 को पोस्ट किया गया
अर्धचालक पदार्थों की पहली पीढ़ी का प्रतिनिधित्व पारंपरिक सिलिकॉन (Si) और जर्मेनियम (Ge) द्वारा किया जाता है, जो एकीकृत सर्किट निर्माण का आधार हैं। इनका व्यापक रूप से कम वोल्टेज, कम आवृत्ति और कम शक्ति वाले ट्रांजिस्टर और डिटेक्टरों में उपयोग किया जाता है। 90% से अधिक अर्धचालक उत्पाद...
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SiC माइक्रो पाउडर कैसे बनाया जाता है?
admin द्वारा 24-05-13 को पोस्ट किया गया
SiC सिंगल क्रिस्टल एक ग्रुप IV-IV यौगिक अर्धचालक पदार्थ है जो दो तत्वों, Si और C से बना है, जो 1:1 के स्टोइकोमेट्रिक अनुपात में है। इसकी कठोरता हीरे के बाद दूसरे स्थान पर है। SiC तैयार करने के लिए सिलिकॉन ऑक्साइड विधि का कार्बन अपचयन मुख्य रूप से निम्नलिखित रासायनिक प्रतिक्रिया सूत्र पर आधारित है...
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एपीटैक्सियल परतें अर्धचालक उपकरणों की किस प्रकार सहायता करती हैं?
admin द्वारा 24-05-13 को पोस्ट किया गया
एपिटैक्सियल वेफर नाम की उत्पत्ति सबसे पहले, आइए एक छोटी अवधारणा को लोकप्रिय बनाएं: वेफर तैयारी में दो प्रमुख लिंक शामिल हैं: सब्सट्रेट तैयारी और एपिटैक्सियल प्रक्रिया। सब्सट्रेट अर्धचालक एकल क्रिस्टल सामग्री से बना एक वेफर है। सब्सट्रेट सीधे वेफर निर्माण में प्रवेश कर सकता है ...
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रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सी.वी.डी.) पतली फिल्म निक्षेपण प्रौद्योगिकी का परिचय
admin द्वारा 24-05-06 को
रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) एक महत्वपूर्ण पतली फिल्म जमाव तकनीक है, जिसका उपयोग अक्सर विभिन्न कार्यात्मक फिल्मों और पतली परत वाली सामग्रियों को तैयार करने के लिए किया जाता है, और इसका व्यापक रूप से अर्धचालक विनिर्माण और अन्य क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है। 1. CVD का कार्य सिद्धांत CVD प्रक्रिया में, एक गैस अग्रदूत (एक या अधिक) को एक साथ मिलाया जाता है।
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फोटोवोल्टिक सेमीकंडक्टर उद्योग के पीछे का "काला सोना" रहस्य: आइसोस्टेटिक ग्रेफाइट पर इच्छा और निर्भरता
admin द्वारा 24-05-06 को
आइसोस्टेटिक ग्रेफाइट फोटोवोल्टिक्स और सेमीकंडक्टर में एक बहुत ही महत्वपूर्ण सामग्री है। घरेलू आइसोस्टेटिक ग्रेफाइट कंपनियों के तेजी से बढ़ने के साथ, चीन में विदेशी कंपनियों का एकाधिकार टूट गया है। निरंतर स्वतंत्र अनुसंधान और विकास और तकनीकी सफलताओं के साथ, ...
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सेमीकंडक्टर सिरेमिक विनिर्माण में ग्रेफाइट बोट्स की आवश्यक विशेषताओं का अनावरण
admin द्वारा 24-04-22 को पोस्ट किया गया
ग्रेफाइट बोट्स, जिन्हें ग्रेफाइट बोट्स के नाम से भी जाना जाता है, सेमीकंडक्टर सिरेमिक्स निर्माण की जटिल प्रक्रियाओं में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। ये विशेषीकृत बर्तन उच्च तापमान उपचार के दौरान सेमीकंडक्टर वेफर्स के लिए विश्वसनीय वाहक के रूप में काम करते हैं, जिससे सटीक और नियंत्रित प्रसंस्करण सुनिश्चित होता है। ...
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भट्ठी ट्यूब उपकरण की आंतरिक संरचना को विस्तार से समझाया गया है
admin द्वारा 24-04-22 को पोस्ट किया गया
जैसा कि ऊपर दिखाया गया है, यह एक विशिष्ट पहला भाग है: ▪ हीटिंग तत्व (हीटिंग कॉइल): भट्ठी ट्यूब के चारों ओर स्थित, आमतौर पर प्रतिरोध तारों से बना होता है, जिसका उपयोग भट्ठी ट्यूब के अंदर गर्म करने के लिए किया जाता है। ▪ क्वार्ट्ज ट्यूब: एक गर्म ऑक्सीकरण भट्ठी का कोर, उच्च शुद्धता वाले क्वार्ट्ज से बना होता है जो उच्च तापमान का सामना कर सकता है ...
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MOSFET डिवाइस विशेषताओं पर SiC सब्सट्रेट और एपिटैक्सियल सामग्रियों का प्रभाव
admin द्वारा 24-04-16 को
त्रिकोणीय दोष त्रिकोणीय दोष SiC एपिटैक्सियल परतों में सबसे घातक रूपात्मक दोष हैं। बड़ी संख्या में साहित्य रिपोर्टों ने दिखाया है कि त्रिकोणीय दोषों का गठन 3C क्रिस्टल रूप से संबंधित है। हालांकि, विभिन्न विकास तंत्रों के कारण, कई की आकृति विज्ञान...
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SiC सिलिकॉन कार्बाइड एकल क्रिस्टल का विकास
admin द्वारा 24-04-16 को
अपनी खोज के बाद से, सिलिकॉन कार्बाइड ने व्यापक ध्यान आकर्षित किया है। सिलिकॉन कार्बाइड आधे Si परमाणुओं और आधे C परमाणुओं से बना होता है, जो sp3 हाइब्रिड ऑर्बिटल्स को साझा करने वाले इलेक्ट्रॉन जोड़े के माध्यम से सहसंयोजक बंधों से जुड़े होते हैं। इसके एकल क्रिस्टल की मूल संरचनात्मक इकाई में, चार Si परमाणु एक...
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