Hír

  • A félvezető ostyák szennyeződésének forrásai és tisztítása

    A félvezető ostyák szennyeződésének forrásai és tisztítása

    A félvezetőgyártáshoz bizonyos szerves és szervetlen anyagokra szükség van. Ezenkívül, mivel a folyamatot mindig tiszta helyiségben, emberi részvétellel végzik, a félvezető ostyák elkerülhetetlenül szennyeződnek különféle szennyeződésekkel. A ... szerint
    További információ
  • Szennyező források és megelőzésük a félvezetőgyártó iparban

    Szennyező források és megelőzésük a félvezetőgyártó iparban

    A félvezető eszközök gyártása főként diszkrét eszközöket, integrált áramköröket és azok csomagolási folyamatait foglalja magában. A félvezetők gyártása három szakaszra osztható: a termék testének anyaggyártása, a termék szeletének gyártása és az eszköz összeszerelése. Ezek közé tartozik...
    További információ
  • Miért van szükség ritkításra?

    Miért van szükség ritkításra?

    A háttér-feldolgozási szakaszban a lapkát (előlapon áramkörökkel ellátott szilíciumlapka) hátulról elvékonyítani kell a későbbi darabolás, hegesztés és csomagolás előtt, hogy csökkentsék a tokozás magasságát, a chip tokozásának térfogatát, javítsák a chip hődiffúzióját...
    További információ
  • Nagy tisztaságú SiC egykristályos por szintézisfolyamat

    Nagy tisztaságú SiC egykristályos por szintézisfolyamat

    A szilícium-karbid egykristályos növekedési folyamatában a fizikai gőzszállítás a jelenlegi fő iparosítási módszer. A PVT növekedési módszernél a szilícium-karbid por nagy hatással van a növekedési folyamatra. A szilícium-karbid por összes paramétere...
    További információ
  • Miért tartalmaz egy ostyadoboz 25 ostyát?

    Miért tartalmaz egy ostyadoboz 25 ostyát?

    A modern technológia kifinomult világában a waferek, más néven szilícium waferek, a félvezetőipar alapvető alkotóelemei. Ezek képezik a különféle elektronikus alkatrészek, például mikroprocesszorok, memóriák, érzékelők stb. gyártásának alapját, és minden wafer...
    További információ
  • Gyakran használt talapzatok gőzfázisú epitaxiához

    Gyakran használt talapzatok gőzfázisú epitaxiához

    A gőzfázisú epitaxia (VPE) eljárás során az alapzat szerepe az aljzat megtámasztása és az egyenletes melegítés biztosítása a növekedési folyamat során. A különböző típusú alapzatok alkalmasak különböző növekedési körülményekhez és anyagrendszerekhez. Az alábbiakban néhány...
    További információ
  • Hogyan lehet meghosszabbítani a tantál-karbid bevonatú termékek élettartamát?

    Hogyan lehet meghosszabbítani a tantál-karbid bevonatú termékek élettartamát?

    A tantál-karbid bevonatú termékek gyakran használt, magas hőmérsékletű anyagok, amelyeket magas hőmérséklet-állóság, korrózióállóság, kopásállóság stb. jellemez. Ezért széles körben használják olyan iparágakban, mint a repülőgépipar, a vegyipar és az energetika. A ...
    További információ
  • Mi a különbség a PECVD és az LPCVD között a félvezető CVD berendezésekben?

    Mi a különbség a PECVD és az LPCVD között a félvezető CVD berendezésekben?

    A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) egy szilárd film szilíciumlap felületére történő leválasztásának folyamatát jelenti gázkeverék kémiai reakciója révén. A különböző reakciókörülmények (nyomás, prekurzor) szerint különféle berendezésekre osztható...
    További információ
  • A szilícium-karbid grafitforma jellemzői

    A szilícium-karbid grafitforma jellemzői

    Szilícium-karbid grafit forma A szilícium-karbid grafit forma egy kompozit forma, amelynek alapja szilícium-karbid (SiC), erősítőanyaga pedig grafit. Ez a forma kiváló hővezető képességgel, magas hőmérséklettel és korrózióállósággal rendelkezik...
    További információ
Online csevegés WhatsApp-on!