Hír

Mi a CMP planarizációs mechanizmusa?
admin által, 2025.11.24-én
A kettős damaszkuszi eljárás egy olyan eljárástechnológia, amelyet integrált áramkörök fémösszekötőinek gyártására használnak. Ez a damaszkuszi eljárás továbbfejlesztése. Azáltal, hogy átmenő furatokat és hornyokat alakítanak ki egyszerre, ugyanabban a folyamatlépésben, és ezeket fémmel töltik meg, az integrált gyártás...
További információ
Grafit TaC bevonattal
admin által, 2021.11.24-én
I. Folyamatparaméterek feltárása 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar rendszer 2. Leválasztási hőmérséklet: A termodinamikai képlet szerint kiszámítható, hogy amikor a hőmérséklet nagyobb, mint 1273 K, a reakció Gibbs-szabadenergiája nagyon alacsony, és a reakció viszonylag teljes. A reakció...
További információ
Szilícium-karbid kristálynövekedési folyamat és berendezéstechnológia
admin által, 2021.11.24-én
1. SiC kristálynövekedési technológiai útvonal A PVT (szublimációs módszer), a HTCCD (magas hőmérsékletű CVD) és az LPE (folyadékfázisú módszer) három gyakori SiC kristálynövekedési módszer; Az iparágban a legismertebb módszer a PVT módszer, és a SiC egykristályok több mint 95%-át PVT-vel növesztik...
További információ
Porózus szilícium-karbon kompozit anyagok előállítása és teljesítményének javítása
admin által, 2013.11.24-én
A lítium-ion akkumulátorok fejlesztése főként a nagy energiasűrűség irányába halad. Szobahőmérsékleten a szilícium alapú negatív elektródú anyagok lítiummal ötvöződnek, így lítiumban gazdag Li3,75Si fázisú terméket hoznak létre, amelynek fajlagos kapacitása akár 3572 mAh/g is lehet, ami jóval magasabb, mint az elméletileg...
További információ
Egykristályos szilícium termikus oxidációja
admin által, 2013.11.24-én
A szilícium-dioxid szilícium felületén történő képződését oxidációnak nevezik, és a stabil és erősen tapadó szilícium-dioxid létrejötte vezetett a szilícium integrált áramköri síktechnológia megszületéséhez. Bár számos módja van a szilícium-dioxid közvetlen növesztésének a szilícium felületén...
További információ
UV-feldolgozás a Fan-Out ostya szintű csomagoláshoz
admin által, 2005.11.24-én
A félvezető iparban a kiterítéses lapka szintű csomagolás (FOWLP) egy költséghatékony módszer. Ennek az eljárásnak azonban tipikus mellékhatásai a vetemedés és a chip eltolódása. A lapka szintű és panel szintű kiterítési technológia folyamatos fejlesztése ellenére ezek a fröccsöntéssel kapcsolatos problémák továbbra is fennállnak...
További információ
Szilícium-karbid kerámia: a fotovoltaikus kvarc alkatrészek terminátora
admin által, 2005.11.24-én
A mai világ folyamatos fejlődésével a nem megújuló energiaforrások egyre inkább kimerülnek, és az emberi társadalom egyre sürgetőbben használja a megújuló energiát, amelyet a „szél, a fény, a víz és az atomenergia” képvisel. Más megújuló energiaforrásokhoz képest az emberiség...
További információ
Reakciós szinterezés és nyomásmentes szinterezés szilícium-karbid kerámia előállítási eljárás
admin által, 2029.10.24-én
Reakciós szinterezés A szilícium-karbid kerámia reakciós szintereléses előállítási folyamata magában foglalja a kerámia tömörítését, a szinterelési fluxus infiltrációs szer tömörítését, a reakciós szinterelési kerámia termék előkészítését, a szilícium-karbid fa kerámia előkészítését és egyéb lépéseket. A reakciós szinterelési szilícium...
További információ
Szilícium-karbid kerámia: precíziós alkatrészek, amelyek szükségesek a félvezető folyamatokhoz
admin által, 2029.10.24-én
A fotolitográfiai technológia főként optikai rendszerek használatára összpontosít, amelyek áramköri mintákat mutatnak be szilíciumlapkákon. Ennek a folyamatnak a pontossága közvetlenül befolyásolja az integrált áramkörök teljesítményét és hozamát. A chipgyártás egyik legfontosabb berendezéseként a litográfiai gép akár...
További információ