SiC epitaxiális alkatrészek

Korszerű CVD bevonatok SiC epitaxiális növekedéshez

A nagy teljesítményű, extrém hőterhelés (1500°C - 1700°C) alatt működő félvezető eszközök gyártási folyamataihoz igazított CVD SiC és TaC bevonatú bolygószuszceptorainkat, szatellitkorongjainkat és gázterelőinket a kiváló teljesítményre terveztük. A részecskék képződésének, a felület degradációjának és a reaktív gázmaratásnak (H₂, SiH₄, C₃H∯) megakadályozására tervezett fejlett bevonataink hosszú üzemi élettartamot, kiváló adalékolás-szabályozást és nagyfokú filmvastagság-egyenletességet biztosítanak a felületeken.6 hüvelykes és 8 hüvelykes SiC epitaxiális ostyák.

Rendkívül magas hőmérsékleti stabilitás

Hőstabil akár 1700°C-ig súlyos H₂/szilán redukáló környezetben.

Gradiens CTE illesztés

Megakadályozza a bevonat delaminációját, a mikrorepedések kialakulását és lepattogzását a gyors hőciklusok során.

8 hüvelykes ostyaméret-készség

Precíziós CNC megmunkálás a következő generációs, nagy áteresztőképességű SiC Epi reaktorokhoz (LPE, Aixtron, Nuflare).

Műszaki paraméter	Specifikáció Érték	Szabvány / Vizsgálati módszer
Bevonóanyag-opciók	CVD SiC / Tantál-karbid (TaC)	Nagy tisztaságú hermetikus réteg
Alapfelület	Tisztított izosztatikus grafit	Tömeges szennyeződés < 5 ppm
Hősokk-állóság	Delta T > 500°C Felfutási sebesség	Nincs repedés/hámlás
Felületi érdesség (Ra)	≤ 0,4 μm (tükörfényesre polírozott)	Megakadályozza az ostya összeragadását és a részecskék lerakódását