Si epitaxiális alkatrészek

CVD SiC bevonatú alkatrészek szilícium-epitaxiához (Si Epi)

Precíziósan tervezve az egyszeletes és szakaszos szilícium-epitaxiális leválasztó rendszerekhez, CVD SiC bevonatú szuszceptoraink, szatellit tárcsáink és hőtér-komponenseink kiemelkedő hőegyenletességet és nulla gázkibocsátást biztosítanak. A nagy sűrűségű köbös β-SiC bevonatréteg teljesen körülöleli a nagy tisztaságú grafit hordozót, megakadályozva a reaktív gázmaratást (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl), és garantálva a rendkívül alacsony fémszennyeződési szintet (< 5 ppm) a magas hőmérsékletű Si Epi feldolgozás (1000°C - 1200°C) során.

Termikus mező egyenletessége

A szabályozott emissziós tényező biztosítja a ostya precíz, széltől középpontig terjedő rétegvastagság-konzisztenciáját.

HCl maratási ellenállás

Robusztus védelmet nyújt a helyszíni kamratisztító vegyszerek és a hősokkok ellen.

OEM rendszer kompatibilitás

Precíziós CNC megmunkálással, hogy illeszkedjen a hagyományos 200 mm-es/300 mm-es, egykarikás Epi szerszámokhoz (Applied Materials, ASM).

Műszaki paraméter	Specifikáció Érték	Szabvány / Vizsgálati módszer
Bevonóanyag	CVD β-SiC (köbös fázis)	Nagy sűrűségű kristályos szerkezet
Hordozóanyag	Ultratiszta izosztatikus grafit	Sűrűség: 1,82 - 1,88 g/cm³
Kémiai tisztaság	Összes szennyeződés < 5 ppm	GDMS tesztelt
Bevonat vastagsága	80 μm - 150 μm	Egyenletesség ≤ ±5%