Pembawa Grafit Berlapis SiC, pelapisan SiC, pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk Semikonduktor

dilapisi silikon karbidaLapisan pelindung silikon karbida pada permukaan grafit dibuat dengan metode pengendapan uap fisik atau kimia dan penyemprotan. Lapisan pelindung silikon karbida yang dihasilkan dapat terikat kuat pada matriks grafit, membuat permukaan dasar grafit menjadi padat dan bebas rongga, sehingga memberikan sifat khusus pada matriks grafit, termasuk ketahanan terhadap oksidasi, asam dan basa, erosi, korosi, dan lain-lain. Saat ini, lapisan Gan merupakan salah satu komponen inti terbaik untuk pertumbuhan epitaksial silikon karbida.

Semikonduktor silikon karbida adalah material inti dari semikonduktor celah pita lebar yang baru dikembangkan. Perangkatnya memiliki karakteristik tahan suhu tinggi, tahan tegangan tinggi, frekuensi tinggi, daya tinggi, dan tahan radiasi. Keunggulannya meliputi kecepatan peralihan yang cepat dan efisiensi tinggi. Material ini dapat mengurangi konsumsi daya produk secara signifikan, meningkatkan efisiensi konversi energi, dan mengurangi volume produk. Penggunaan utamanya adalah dalam komunikasi 5G, pertahanan nasional dan industri militer, serta bidang RF yang diwakili oleh industri kedirgantaraan dan bidang elektronika daya yang diwakili oleh kendaraan energi baru dan "infrastruktur baru", yang memiliki prospek pasar yang jelas dan signifikan baik di bidang sipil maupun militer.

Substrat silikon karbida adalah material inti dari semikonduktor celah pita lebar yang baru dikembangkan. Substrat silikon karbida terutama digunakan dalam elektronika gelombang mikro, elektronika daya, dan bidang lainnya.Silikon karbida berada di ujung depan rantai industri semikonduktor celah pita lebar dan merupakan material inti dasar dan mutakhir. Substrat silikon karbida dapat dibagi menjadi dua jenis: semi-isolasi dan konduktif. Di antaranya, substrat silikon karbida semi-isolasi memiliki resistivitas tinggi (resistivitas ≥ 10⁵ Ω·cm). Substrat semi-isolasi yang dikombinasikan dengan lembaran epitaksial galium nitrida heterogen dapat digunakan sebagai material perangkat RF, yang terutama digunakan dalam komunikasi 5G, pertahanan nasional, dan industri militer di bidang-bidang tersebut; yang lainnya adalah substrat silikon karbida konduktif dengan resistivitas rendah (kisaran resistivitas 15 ~ 30 mΩ·cm). Epitaksi homogen substrat silikon karbida konduktif dan silikon karbida dapat digunakan sebagai material untuk perangkat daya. Skenario aplikasi utamanya adalah kendaraan listrik, sistem tenaga, dan bidang lainnya.