revestido com carbeto de silícioO revestimento de grafite em disco consiste na preparação de uma camada protetora de carbeto de silício sobre a superfície do grafite por deposição física ou química de vapor e pulverização. Essa camada protetora de carbeto de silício adere firmemente à matriz de grafite, tornando a superfície da base de grafite densa e livre de vazios, conferindo à matriz de grafite propriedades especiais, incluindo resistência à oxidação, resistência a ácidos e álcalis, resistência à erosão, resistência à corrosão, etc. Atualmente, o revestimento de grafite em disco é um dos melhores componentes essenciais para o crescimento epitaxial de carbeto de silício.
O semicondutor de carbeto de silício é o material central dos semicondutores de banda larga recentemente desenvolvidos. Seus dispositivos apresentam características como alta resistência à temperatura, alta tensão, alta frequência, alta potência e resistência à radiação. Possui as vantagens de alta velocidade de comutação e alta eficiência. Pode reduzir significativamente o consumo de energia do produto, melhorar a eficiência de conversão de energia e reduzir o volume do produto. É utilizado principalmente em comunicações 5G, defesa nacional e indústria militar. O campo de radiofrequência, representado pela indústria aeroespacial, e o campo da eletrônica de potência, representado por veículos de nova energia e "nova infraestrutura", apresentam perspectivas de mercado claras e consideráveis tanto no setor civil quanto no militar.
O substrato de carbeto de silício é o material central do semicondutor de banda proibida larga recentemente desenvolvido. O substrato de carbeto de silício é usado principalmente em eletrônica de micro-ondas, eletrônica de potência e outras áreas.O carbeto de silício está na vanguarda da cadeia produtiva de semicondutores de banda larga e é um material fundamental e de ponta. O substrato de carbeto de silício pode ser dividido em dois tipos: semi-isolante e condutor. O substrato semi-isolante de carbeto de silício possui alta resistividade (resistividade ≥ 10⁵ Ω·cm). Combinado com uma camada epitaxial heterogênea de nitreto de gálio, o substrato semi-isolante pode ser utilizado como material para dispositivos de radiofrequência (RF), principalmente nas áreas de comunicação 5G, defesa nacional e indústria militar. Já o substrato condutor de carbeto de silício apresenta baixa resistividade (na faixa de 15 a 30 mΩ·cm). A epitaxia homogênea do substrato condutor de carbeto de silício pode ser utilizada em dispositivos de potência. Seus principais cenários de aplicação incluem veículos elétricos, sistemas de energia e outros campos.
Data da publicação: 21/02/2022