Àwọn ohun èlò ìtọ́jú gíráfítì tí a fi SiC bo, ìbòrí síkí, ìbòrí SíC tí a fi gíráfítì sobusitireti bo fún Semiconductor

Ti a fi silikoni carbide boDíìsìkì graphite ni láti pèsè ìpele ààbò silicon carbide lórí ojú graphite nípa lílo ìtújáde èéfín àti fífọ́ omi. A lè so ìpele ààbò silicon carbide mọ́ graphite matrix dáadáa, èyí tí yóò mú kí ojú ìpìlẹ̀ graphite náà nípọn tí kò sì ní àwọn òfo, èyí tí yóò fún graphite matrix ní àwọn ànímọ́ pàtàkì, títí bí resistance oxidation, resistance acid àti alkali, resistance ogbara, resistance corrosion, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Lọ́wọ́lọ́wọ́, ìbòrí Gan jẹ́ ọ̀kan lára ​​àwọn ohun èlò pàtàkì tí ó dára jùlọ fún ìdàgbàsókè epitaxial ti silicon carbide.

Semikondokitorin silikoni carbide ni ohun elo pataki ti semikondokitori gap band tuntun ti a ṣe agbekalẹ. Awọn ẹrọ rẹ ni awọn abuda resistance iwọn otutu giga, resistance foliteji giga, igbohunsafẹfẹ giga, agbara giga ati resistance itankalẹ. O ni awọn anfani ti iyara iyipada iyara ati ṣiṣe giga. O le dinku lilo agbara ọja pupọ, mu ṣiṣe iyipada agbara dara si ati dinku iwọn ọja. A lo o ni pataki ni ibaraẹnisọrọ 5g, aabo orilẹ-ede ati ile-iṣẹ ologun. Aaye RF ti a ṣojuuṣe nipasẹ aaye aerospace ati aaye itanna agbara ti awọn ọkọ ayọkẹlẹ agbara tuntun ati “awọn amayederun tuntun” ṣojuuṣe ni awọn ireti ọja ti o han gbangba ati ti o tobi ni awọn aaye ilu ati ologun.

Sọ́bìtì silicon carbide ni ohun èlò pàtàkì ti semiconductor gap band tuntun tí a ṣe. Sọ́bìtì silicon carbide ni a sábà máa ń lò nínú microwave electronics, power electronics àti àwọn pápá mìíràn.Ó wà ní iwájú ẹ̀wọ̀n ilé iṣẹ́ semiconductor gap tó gbòòrò, ó sì jẹ́ ohun èlò pàtàkì tó gbòòrò àti tó jẹ́ ohun èlò pàtàkì. A lè pín ohun èlò silicon carbide sí oríṣi méjì: semi insulating àti conductive. Láàárín wọn, semi insulating silicon carbide substrate ní resistance gíga (resistive ≥ 105 Ω· cm). Semi insulating substrate tí a so pọ̀ mọ́ heterogeneous gallium nitride epitaxial sheet le ṣee lo gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ti àwọn ẹ̀rọ RF, èyí tí a sábà máa ń lò nínú ìbánisọ̀rọ̀ 5g, ààbò orílẹ̀-èdè àti ilé iṣẹ́ ológun ní àwọn ìṣẹ̀lẹ̀ tí a kọ sókè; Èkejì ni conductive silicon carbide substrate pẹ̀lú resistance kékeré (ibiti resistance jẹ 15 ~ 30m Ω· cm). A lè lo epitaxy oníṣọ̀kan ti conductive silicon carbide substrate àti silicon carbide gẹ́gẹ́ bí ohun èlò fún àwọn ẹ̀rọ agbára. Àwọn ìṣẹ̀lẹ̀ pàtàkì tí a lò ni àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn ètò agbára àti àwọn pápá mìíràn