Bagian Epitaksial Si

Komponen Berlapis SiC CVD untuk Epitaksi Silikon (Si Epi)

Dirancang dengan presisi untuk sistem deposisi epitaksial silikon (SiC) wafer tunggal dan batch, susceptor, disk satelit, dan komponen medan termal berlapis SiC CVD kami memberikan keseragaman termal yang luar biasa dan tanpa pelepasan gas. Lapisan pelapis β-SiC kubik dengan kepadatan tinggi sepenuhnya menyelubungi substrat grafit kemurnian tinggi, mencegah etsa gas reaktif (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) dan menjamin tingkat pengotor logam ultra-rendah (< 5 ppm) selama pemrosesan Si Epi suhu tinggi (1000°C - 1200°C).

Keseragaman Medan Termal

Emisivitas terkontrol memastikan konsistensi ketebalan lapisan film yang tepat dari tepi ke tengah wafer.

Ketahanan terhadap Etching HCl

Memberikan perlindungan yang kuat terhadap bahan kimia pembersih ruang di tempat dan guncangan termal.

Kompatibilitas Sistem OEM

Dibuat dengan mesin CNC presisi agar sesuai dengan alat Epi single-wafer 200mm/300mm standar (Applied Materials, ASM).

Parameter Teknis	Nilai Spesifikasi	Standar / Metode Pengujian
Bahan Pelapis	CVD β-SiC (Fase Kubik)	Struktur Kristal Kepadatan Tinggi
Bahan Substrat	Grafit Isostatik Ultra Murni	Kepadatan: 1,82 - 1,88 g/cm³
Kemurnian Kimia	Total Impuritas < 5 ppm	GDMS Teruji
Ketebalan Lapisan	80 μm - 150 μm	Keseragaman ≤ ±5%