სიახლეები

კრისტალების გასაზრდელად სწორი გრაფიტის ტილოების შერჩევა: პრაქტიკული სახელმძღვანელო
ადმინისტრატორის მიერ 26-02-05
კრისტალების ზრდის სამყაროში — იქნება ეს SiC, GaN, საფირონი თუ სხვა მოწინავე მასალები — გრაფიტის ტიგმენტი მხოლოდ კონტეინერი არ არის. ის თერმული საზღვარია, რეაქციის ინტერფეისი და სისუფთავის კარიბჭე. სწორი ტიგმენტის არჩევას შეუძლია მნიშვნელოვნად იმოქმედოს მოსავლიანობაზე, კრისტალის ხარისხზე,...
დაწვრილებით
TaC დაფარული გრაფიტის ტილოების შერჩევის სახელმძღვანელო
ადმინისტრატორის მიერ 26-01-28
მაღალტემპერატურულ კრისტალების ზრდისა და ეპიტაქსიის/დალექვის აპარატურაში გრაფიტის ტიგანი ერთდროულად სამ როლს ასრულებს: თერმული საზღვარი, რეაქციის ინტერფეისი და პოტენციური დაბინძურების წყარო/დაბინძურების ბარიერი. სწორედ ამიტომ ხდება TaC-ით დაფარული გრაფიტის ტიგანი სულ უფრო გავრცელებული - ...
დაწვრილებით
რატომ განსაზღვრავს SiC-ით დაფარული გრაფიტის ტიგელი სტაბილურ მასობრივ წარმოებას?
ადმინისტრატორის მიერ 26-01-21
SiC კრისტალების ზრდის წარმოების ხაზებში, ბევრი ინჟინერი ფოკუსირებულია ცხელი ზონის დიზაინზე, ტემპერატურის კონტროლის მრუდებსა და ფხვნილის ფორმულირებაზე. თუმცა, როდესაც მოსავლიანობის რყევები წარმოიქმნება, ძირითადი მიზეზი ხშირად იმავე კომპონენტში - ტილოში - უნდა ვეძებოთ. ის არ ასხივებს სინათლეს, არ ბრუნავს და არ აჩვენებს...
დაწვრილებით
რა არის MOCVD SiC დაფარული გამათბობელი
ადმინისტრატორის მიერ 26-01-14
MOCVD (ლითონ-ორგანული ქიმიური ორთქლის დეპონირება) მაღალი ხარისხის თხელი ფენის დეპონირების ფართოდ გამოყენებადი ტექნიკაა და მნიშვნელოვან როლს ასრულებს ნახევარგამტარებისა და ელექტრონიკის წარმოების ინდუსტრიებში. MOCVD პროცესის ძირითადი კომპონენტის სახით, SiC-ით დაფარული გამათბობლები ხშირად გამოიყენება მაღალი ტემპერატურული ეფექტურობის უზრუნველსაყოფად...
დაწვრილებით
გრაფიტის გამათბობელი ელემენტის მაქსიმალური ტემპერატურა: რა ზღუდავს მას ჰაერსა და ვაკუუმში?
ადმინისტრატორის მიერ 26-01-07
გრაფიტის გამათბობელი ელემენტები, როგორც მაღალი ტემპერატურის გამათბობელი მოწყობილობები, ფართოდ გამოიყენება მრავალ ინდუსტრიაში, მათ შორის მეტალურგიაში, ელექტრონიკაში, ნახევარგამტარებსა და ქიმიკატებში. გრაფიტის მასალებს აქვთ შესანიშნავი თბოგამტარობა, მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადობა და ქიმიური სტაბილურობა, რაც მათ საშუალებას აძლევს შეინარჩუნონ...
დაწვრილებით
გრაფიტის თექის გამოყენება ნაკადის აკუმულატორში
ადმინისტრატორის მიერ 25-12-29
ენერგიის დაგროვების მოწინავე სფეროში, ნაკადის ბატარეები თანდათანობით გაჩნდა, როგორც მასშტაბირებადი და ხანგრძლივი მოქმედების გადაწყვეტა, განსაკუთრებით სტაციონარული აპლიკაციებისთვის, როგორიცაა ქსელის დაბალანსება, განახლებადი ენერგიის ინტეგრაცია და სამრეწველო სარეზერვო სისტემები. ძირითად მასალებს შორის, რომლებიც განსაზღვრავენ შესრულებას...
დაწვრილებით
გრაფიტის ბატარეის თექის გამოყენება ნაკადის აკუმულატორებსა და საწვავის უჯრედებში
ადმინისტრატორის მიერ 25-12-23
გრაფიტის აკუმულატორის თექა გადამწყვეტ როლს ასრულებს თანამედროვე აკუმულატორების ტექნოლოგიებში, განსაკუთრებით ნაკადის აკუმულატორებსა და საწვავის უჯრედებში. როგორც ეფექტური და გამძლე მასალა, გრაფიტის თექა უზრუნველყოფს შესანიშნავ ელექტროგამტარობას და თერმულ სტაბილურობას, ამასთანავე ხელს უწყობს აკუმულატორის მუშაობის გაუმჯობესებას, მაგ...
დაწვრილებით
რა არის გრაფიტის ელექტროდის თექა?
ადმინისტრატორის მიერ 25-12-16
გრაფიტის ელექტროდის თექა არის ფოროვანი, მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადი ნახშირბადის ბაზაზე დამზადებული მასალა, რომელიც ფართოდ გამოიყენება ელექტროქიმიურ აპლიკაციებში, განსაკუთრებით ენერგიის შენახვისა და გარდაქმნის სისტემებში, როგორიცაა რედოქს ნაკადის ბატარეები, საწვავის უჯრედები და ელექტროლიტური რეაქტორები. იგი მზადდება კარბონიზაციით და გრაფიტით...
დაწვრილებით
რა არის SOI?
ადმინისტრატორის მიერ 25-12-09
SOI არის Silicon-On-Insulator-ის აბრევიატურა. სიტყვასიტყვით, ეს ნიშნავს „სილიციუმს იზოლატორზე“. პრაქტიკაში, სტრუქტურა ასეთია: სილიციუმის ვაფლის თავზე არის ულტრათხელი საიზოლაციო ფენა, როგორიცაა SiO₂, და შემდეგ ამ საიზოლაციო ფენის თავზე წარმოიქმნება თხელი სილიციუმის ფენა. ეს სტრიქონი...
დაწვრილებით