სიახლეები

SiC ინტეგრირებული სქემის კვლევის სტატუსი
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
S1C დისკრეტული მოწყობილობებისგან განსხვავებით, რომლებიც მაღალი ძაბვის, მაღალი სიმძლავრის, მაღალი სიხშირის და მაღალი ტემპერატურის მახასიათებლებს ახორციელებენ, SiC ინტეგრირებული სქემის კვლევის მიზანი ძირითადად ინტელექტუალური სიმძლავრის ინტეგრირებული სქემების მართვის სქემისთვის მაღალი ტემპერატურის ციფრული სქემის მიღებაა. როგორც SiC ინტეგრირებული სქემა...
დაწვრილებით
SiC მოწყობილობების გამოყენება მაღალი ტემპერატურის გარემოში
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
აერონავტიკულ და საავტომობილო მოწყობილობებში ელექტრონიკა ხშირად მაღალ ტემპერატურაზე მუშაობს, მაგალითად, თვითმფრინავის ძრავები, ავტომობილის ძრავები, მზის მახლობლად მისიებზე მყოფი კოსმოსური ხომალდები და თანამგზავრებში მაღალი ტემპერატურის მქონე მოწყობილობები. გამოიყენეთ ჩვეულებრივი Si ან GaAs მოწყობილობები, რადგან ისინი ძალიან მაღალ ტემპერატურაზე არ მუშაობენ, ამიტომ...
დაწვრილებით
მესამე თაობის ნახევარგამტარული ზედაპირული -SiC (სილიციუმის კარბიდი) მოწყობილობები და მათი გამოყენება
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
როგორც ნახევარგამტარული მასალის ახალი ტიპი, SiC გახდა უმნიშვნელოვანესი ნახევარგამტარული მასალა მოკლეტალღოვანი ოპტოელექტრონული მოწყობილობების, მაღალი ტემპერატურის მოწყობილობების, რადიაციული წინააღმდეგობის მოწყობილობების და მაღალი სიმძლავრის/მაღალი სიმძლავრის ელექტრონული მოწყობილობების წარმოებისთვის, მისი შესანიშნავი ფიზიკური და კონსტრუქციული მახასიათებლების გამო...
დაწვრილებით
სილიკონის კარბიდის გამოყენება
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
სილიციუმის კარბიდი ასევე ცნობილია, როგორც ოქროს ფოლადის ქვიშა ან ცეცხლგამძლე ქვიშა. სილიციუმის კარბიდი მზადდება კვარცის ქვიშისგან, ნავთობის კოქსისგან (ან ნახშირის კოქსისგან), ხის ნაფოტებისგან (მწვანე სილიციუმის კარბიდის წარმოებას მარილის დამატება სჭირდება) და სხვა ნედლეულისგან რეზისტენტულ ღუმელში მაღალტემპერატურული დნობის გზით. ამჟამად...
დაწვრილებით
შესავალი წყალბადის ენერგიასა და საწვავის უჯრედებში
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
ელექტროლიტის თვისებებისა და გამოყენებული საწვავის მიხედვით, საწვავის უჯრედები შეიძლება დაიყოს პროტონგაცვლის მემბრანულ საწვავის უჯრედებად (PEMFC) და პირდაპირი მეთანოლის საწვავის უჯრედებად (DMFC), ფოსფორმჟავას საწვავის უჯრედებად (PAFC), გამდნარი კარბონატის საწვავის უჯრედებად (MCFC), მყარი ოქსიდის საწვავის უჯრედებად (SOFC), ტუტე საწვავის უჯრედებად (AFC) და ა.შ.
დაწვრილებით
SiC/SiC-ის გამოყენების სფეროები
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
SiC/SiC-ს აქვს შესანიშნავი სითბოს წინააღმდეგობა და ჩაანაცვლებს სუპერშენადნობებს აეროძრავების გამოყენებაში. მაღალი ბიძგისა და წონის თანაფარდობა თანამედროვე აეროძრავების მიზანია. თუმცა, ბიძგისა და წონის თანაფარდობის ზრდასთან ერთად, ტურბინის შესასვლელი ტემპერატურა მუდმივად იზრდება და არსებული სუპერშენადნობი მასალა...
დაწვრილებით
სილიკონის კარბიდის ბოჭკოს ძირითადი უპირატესობები
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-23
სილიციუმის კარბიდის ბოჭკო და ნახშირბადის ბოჭკო ორივე კერამიკული ბოჭკოა მაღალი სიმტკიცით და მაღალი მოდულით. ნახშირბადის ბოჭკოსთან შედარებით, სილიციუმის კარბიდის ბოჭკოს ბირთვს აქვს შემდეგი უპირატესობები: 1. მაღალ ტემპერატურაზე ანტიოქსიდანტური მოქმედება მაღალ ტემპერატურაზე ჰაერში ან აერობულ გარემოში, სილიციუმის კარბიდი...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის ნახევარგამტარული მასალა
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-01
სილიციუმის კარბიდის (SiC) ნახევარგამტარი მასალა ფართო ზოლური უფსკრულის მქონე შემუშავებულ ნახევარგამტარებს შორის ყველაზე მოწიფულია. SiC ნახევარგამტარულ მასალებს ფართო გამოყენების პოტენციალი აქვთ მაღალი ტემპერატურის, მაღალი სიხშირის, მაღალი სიმძლავრის, ფოტოელექტრონიკისა და რადიაციისადმი მდგრადი მოწყობილობების წარმოებაში, მათი ფართო ბაზის გამო...
დაწვრილებით
სილიკონის კარბიდის მასალა და მისი მახასიათებლები
ადმინისტრატორის მიერ 22-08-01
ნახევარგამტარი მოწყობილობა თანამედროვე სამრეწველო მანქანა-დანადგარების ბირთვია, რომელიც ფართოდ გამოიყენება კომპიუტერებში, სამომხმარებლო ელექტრონიკაში, ქსელურ კომუნიკაციებში, საავტომობილო ელექტრონიკასა და სხვა სფეროებში, ნახევარგამტარული ინდუსტრია ძირითადად ოთხი ძირითადი კომპონენტისგან შედგება: ინტეგრირებული სქემები, ოპტიკურ-ტექნიკური სქემები...
დაწვრილებით