Nuntii

Quid est sectio crustulorum in cubos?
ab administratore die XXIV mensis Octobris anni MMX
Lamella, ut vera lamella semiconductoria fiat, tres mutationes subire debet: primo, massa quadrata in lamellas secatur; in secundo processu, transistores in fronte lamellae per processum priorem inciduntur; denique, involucrum perficitur, id est, per processum sectionis...
Plura lege
Usus ceramicae carburi silicii in campo semiconductorum
ab administratore die XXIV mensis Octobris anni MMX
Materia praeferenda pro partibus accuratis machinarum photolithographicarum. In agro semiconductorum, materiae ceramicae carburi silicii imprimis in apparatu clavi ad fabricationem circuituum integratorum adhibentur, ut puta mensa operatoria carburi silicii, lineis ductoriis, reflectoribus, mandrino suctionis ceramico, brachiis,...
Plura lege
Quae sunt sex systemata fornacis monocrystallinae?
ab administratore die XXIV mensis Septembris, anno XXIII
Fornax monocrystallina est instrumentum quod calefactore graphito utitur ad materias silicii polycrystallinas in ambiente gasis inertis (argonis) liquefaciendas et methodo Czochralskiana adhibita ad monocrystallos non dislocatos crescendos. His systematibus praecipue constat: Mechanica...
Plura lege
Cur graphitum in campo thermali fornacis monocrystallinae requirimus?
ab administratore die XXIV mensis Septembris, anno XXIII
Systema thermalis fornacis verticalis monocrystallinae etiam campus thermalis appellatur. Munus systematis campi thermalis graphitae ad totum systema pertinet ad materias siliconis liquefaciendas et incrementum monocrystalli ad certam temperaturam conservandum. Simpliciter dictum, est systema completum...
Plura lege
Plures genera processuum ad secandum crustas semiconductorum potentiae
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMXX
Sectio laminarum inter nexus maximi momenti in productione semiconductorum potentiae numeratur. Hic gradus ad accurate separandos circuitus integratos singulos vel laminas a laminis semiconductorum destinatus est. Clavis ad sectionem laminarum est posse separare singulas laminas simul curando ut structura delicata...
Plura lege
Processus BCD
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMXVIII
Quid est processus BCD? Processus BCD est technologia processus integrati unius microplaciti, primum a ST anno 1986 introducta. Haec technologia potest machinas bipolares, CMOS et DMOS in eodem microplacito creare. Aspectus eius aream microplaciti magnopere minuit. Dici potest processum BCD plene uti...
Plura lege
BJT, CMOS, DMOS et aliae technologiae processus semiconductorum
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMX
Ad nostram paginam interretialem te salutat, ubi informationes de productis et consultationes invenies. Pagina nostra interretialis est: https://www.vet-china.com/ Dum processus fabricationis semiconductorum pergunt progressus facere, famosa sententia "Lex Moore" appellata per industriam circumfertur. Ea erat...
Plura lege
Processus formationis semiconductorum per fluxum incisurae
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMX
Prima corrosio humida progressionem processuum purgationis vel cineris promovit. Hodie, corrosio sicca plasma utens processus corrosio vulgaris facta est. Plasma ex electronibus, cationibus et radicalibus constat. Energia plasmati applicata electrones extremos...
Plura lege
Investigatio de fornace epitaxiali SiC octo unciarum et processu homoepitaxiali-II
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMIV
2 Resultata experimentalia et disputatio 2.1 Crassitudo et uniformitas strati epitaxialis Crassitudo strati epitaxialis, concentratio dopantis et uniformitas inter indices principales sunt ad iudicandam qualitatem laminarum epitaxialium. Crassitudo accurate moderabilis, concentratio dopantis...
Plura lege