Nuntii

Cur pyxis oblatarum viginti quinque oblatas continet?
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXX
In mundo technologiae modernae perpolito, crustae, etiam crustae silicii appellatae, partes principales industriae semiconductorum sunt. Fundamentum sunt fabricationis variarum partium electronicarum, ut microprocessorum, memoriae, sensorum, etc., et quaeque crusta...
Plura lege
Bases vulgo adhibitae ad epitaxiam vaporis phasis
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXX
Per processum epitaxiae phasis vaporis (VPE), munus basis est substratum sustinere et calefactionem uniformem per processum crescentiae curare. Genera basium varia apta sunt variis condicionibus crescentiae et systematibus materiarum. Sequuntur nonnulla...
Plura lege
Quomodo vitam utilem productorum tantalio carburo obductorum extendere possumus?
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXVI
Producta tantalio carburo obducta sunt materiae vulgo ad altas temperaturas adhibitae, quae resistentia altae temperaturae, resistentia corrosionis, resistentia attritionis, et cetera insignitur. Quapropter late in industriis sicut aerospatiali, chemica, et energetica adhibentur. Ut ex...
Plura lege
Quid interest inter PECVD et LPCVD in apparatu CVD semiconductorum?
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXIV
Depositio chemica vaporis (CVD) ad processum depositionis pelliculae solidae in superficie lamellae silicii per reactionem chemicam mixturae gasorum refertur. Secundum diversas condiciones reactionis (pressionem, praecursorem), in varia instrumenta dividi potest...
Plura lege
Proprietates formae graphitae carburi silicii
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno MMXVIII
Forma Graphita e Carburo Silicio Forma graphita e carburo silicio est forma composita, cuius basis est carburus silicio (SiC) et materia firmans est graphitus. Haec forma praeclaram conductivitatem thermalem, resistentiam altae temperaturae, resistentiam corrosionis et...
Plura lege
Processus semiconductoris plenus processus photolithographiae
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno MMXVI
Fabricatio cuiusque producti semiconductoris centenas processus requirit. Totum processum fabricationis in octo gradus dividimus: processus lamellarum - oxidatio - photolithographia - corrosio - depositio pelliculae tenuis - incrementum epitaxiale - diffusio - implantatio ionum. Ut te adiuvemus...
Plura lege
Quattuor miliarda! SK Hynix nuntiat pecuniam in involucris provectis semiconductoribus collocatam apud Purdue Research Park.
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno IX
West Lafayette, Indiana – SK Hynix Inc. consilia nuntiavit se fere quattuor miliarda dollariorum investituram esse ad fabricandam officinam provectam fabricationis involucrorum et investigationis et progressionis productorum intelligentiae artificialis apud Purdue Research Park. Nexus clavis in catena commeatus semiconductorum Americana in West Lafayette constituta...
Plura lege
Technologia laserica transformationem technologiae tractationis substrati carburi silicii ducit.
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno VIII
1. Conspectus technologiae processus substrati carburi silicii Gradus hodierni processus substrati carburi silicii includunt: trituram circuli exterioris, sectionem, bisellationem, detritionem, polituram, purgationem, etc. Sectio est gradus magni momenti in processu substrati semiconductoris...
Plura lege
Materiae campi thermalis vulgares: materiae compositae C/C
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno I
Composita carbonio-carbonio genus compositorum fibrae carbonis sunt, fibra carbonis ut materia firmans et carbone deposito ut materia matricis. Matrix compositorum C/C est carbonium. Cum fere tota ex carbone elementari composita sit, excellentem resistentiam altae temperaturae habet...
Plura lege