Nuntii

Fontes contaminationis et purgationis laminarum semiconductorum
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno MMXIII
Quaedam substantiae organicae et inorganicae ad fabricationem semiconductorum requiruntur. Praeterea, cum processus semper in conclavi mundo cum participatione humana peragatur, laminae semiconductorum necessario variis impuritatibus contaminantur. Secundum...
Plura lege
Fontes pollutionis et praeventio in industria fabricationis semiconductorum
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno MMXIII
Productio instrumentorum semiconductorum imprimis instrumenta discreta, circuitus integratos, et processus eorum involucri comprehendit. Productio semiconductorum in tres gradus dividi potest: productio materiae corporis producti, fabricatio lamellae producti, et congregatio instrumentorum. Inter ea,...
Plura lege
Cur opus est rarificatione?
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno MMVIII
In stadio posteriori processus, crustulum (crustulum silicii cum circuitibus in fronte) a tergo tenuari debet ante subsequentia sectionem, soldaduram et involucrum ad altitudo involucri figendi reducenda, volumen involucri microplagulae reducendum, diffusio thermalis microplagulae emendanda...
Plura lege
Processus synthesis pulveris monocrystalli SiC altae puritatis
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno MMVIII
In processu accretionis monocrystalli carburi silicii, transportatio vaporis physica est methodus industrializationis hodie praecipua. In methodo accretionis PVT, pulvis carburi silicii magnam vim in processum accretionis habet. Omnes parametri pulveris carburi silicii diriguntur...
Plura lege
Cur pyxis oblatarum viginti quinque oblatas continet?
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXX
In mundo technologiae modernae perpolito, crustae, etiam crustae silicii appellatae, partes principales industriae semiconductorum sunt. Fundamentum sunt fabricationis variarum partium electronicarum, ut microprocessorum, memoriae, sensorum, etc., et quaeque crusta...
Plura lege
Bases vulgo adhibitae ad epitaxiam vaporis phasis
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXX
Per processum epitaxiae phasis vaporis (VPE), munus basis est substratum sustinere et calefactionem uniformem per processum crescentiae curare. Genera basium varia apta sunt variis condicionibus crescentiae et systematibus materiarum. Sequuntur nonnulla...
Plura lege
Quomodo vitam utilem productorum tantalio carburo obductorum extendere possumus?
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXVI
Producta tantalio carburo obducta sunt materiae vulgo ad altas temperaturas adhibitae, quae resistentia altae temperaturae, resistentia corrosionis, resistentia attritionis, et cetera insignitur. Quapropter late in industriis sicut aerospatialis, chemica, et energia adhibentur. Ut ex...
Plura lege
Quid interest inter PECVD et LPCVD in apparatu CVD semiconductorum?
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno XXIV
Depositio vaporis chemici (DVC) ad processum depositionis pelliculae solidae in superficie lamellae silicii per reactionem chemicam mixturae gasorum refertur. Secundum diversas condiciones reactionis (pressionem, praecursorem), in varia instrumenta dividi potest...
Plura lege
Proprietates formae graphitae carburi silicii
ab administratore die XXIV mensis Iulii, anno MMXVIII
Forma Graphita e Carburo Silicio Forma graphita e carburo silicio est forma composita, cuius basis est carburus silicio (SiC) et materia firmans est graphitus. Haec forma praeclaram conductivitatem thermalem, resistentiam altae temperaturae, resistentiam corrosionis et...
Plura lege