ໃນການຜະລິດອຸປະກອນເຄິ່ງຕົວນຳທີ່ທັນສະໄໝ ແລະ ການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳປະສົມລຸ້ນທີສາມ (ເຊັ່ນ: ຊິລິໂຄນຄາໄບ [SiC] ແລະ ແກລຽມໄນໄຕຣດ [GaN]), ການສົນທະນາໃນອຸດສາຫະກຳມັກຈະສຸມໃສ່ເຄື່ອງຈັກພິມ EUV ທີ່ກ້າວໜ້າທີ່ສຸດ, ເຄື່ອງແກະສະຫຼັກພລາສມາ, ຫຼື ຄວາມບໍລິສຸດຂອງອາຍແກັສກ່ອນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ພາຍໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສະອາດທີ່ສຸດ, ກັດກ່ອນສູງ, ແລະ ມີອຸນຫະພູມສູງຂອງຫ້ອງປະຕິກິລິຍາມີວິລະບຸລຸດທີ່ບໍ່ໄດ້ຮັບການຍ້ອງຍໍ: ຕົວຮັບກຣາໄຟຕ໌.
1. Graphite Susceptor ແມ່ນຫຍັງ?
A ຕົວຮັບກຣາໄຟເປັນອົງປະກອບພາຫະນະທີ່ເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງແມ່ນຍໍາ ເຊິ່ງຜະລິດຈາກແກຣໄຟດ໌ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ຫລໍ່ດ້ວຍໄອໂຊ ຫຼື ແກຣໄຟດ໌ອັດ, ເຊິ່ງມັກຈະມີຮູບຊົງແຜ່ນ, ແບບມີຖົງ, ຫຼື ແບບກຳນົດເອງ.ຮູບຮ່າງສາມມິຕິທີ່ຖືກອອກແບບມາໃຫ້ເໝາະສົມກັບຫ້ອງປະຕິກິລິຍາສະເພາະ.
ໃນອຸປະກອນເຊັ່ນ: ການຕົກຕະກອນໄອເຄມີ (CVD), ການຕົກຕະກອນໄອເຄມີໂລຫະ-ອິນຊີ (MOCVD), ແລະ ເຕົາປະຕິກອນປະມວນຜົນຄວາມຮ້ອນໄວ (RTP), ໜ້າທີ່ຫຼັກຂອງແພລດຟອມພາຫະນະແມ່ນເພື່ອຍຶດແຜ່ນເວເຟີເຄິ່ງຕົວນຳໄວ້ຢ່າງປອດໄພ ໃນຂະນະທີ່ເປັນຕົວແລກປ່ຽນຄວາມຮ້ອນຫຼັກ. ໂດຍການນຳໃຊ້ກົນໄກການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແບບກະຕຸ້ນຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນຂອງກຣາໄຟທ໌, ສ່ວນປະກອບດັ່ງກ່າວດູດຊຶມພະລັງງານຄວາມຖີ່ວິທະຍຸ (RF) ຫຼື ພະລັງງານແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າໄມໂຄເວຟໄດ້ຢ່າງວ່ອງໄວ ແລະ ປ່ຽນມັນໃຫ້ເປັນພະລັງງານຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບ, ອຳນວຍຄວາມສະດວກໃນການຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນໃນລະດັບມິນລິວິນາທີໃນທົ່ວໜ້າດິນຂອງແຜ່ນເວເຟີ.
2. ສ່ວນປະກອບຂອງວັດສະດຸ ແລະ ໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກ: ເປັນຫຍັງຕ້ອງໃຊ້ Isostatic Graphite + CVD SiC Coating?
ແກຣໄຟດດິບທີ່ບໍ່ໄດ້ເຄືອບບໍ່ສາມາດຢູ່ລອດໄດ້ໃນບັນຍາກາດເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ ແລະ ຄວາມຕ້ອງການດ້ານຄວາມສະອາດທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ. ຕົວຮັບກຣາໄຟດທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ທັນສະໄໝນຳໃຊ້ລະບົບປະສົມສອງຊັ້ນພິເສດ:
(1) ພື້ນຜິວກຣາໄຟທ໌ໄອໂຊສະແຕັກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ຊັ້ນຮອງພື້ນຖານຫຼັກແມ່ນຜະລິດໂດຍໃຊ້ແກຣໄຟທ໌ທີ່ຖືກກົດດັນແບບ isostatic. ໂດຍການເພີ່ມປະສິດທິພາບການຈັດລຽນແບບຜລຶກຂອງແກຣໄຟທ໌ຈຸນລະພາກ, ມັນບັນລຸຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແບບ isotropic, ມີຮູພຸນຕ່ຳ, ແລະມີຄວາມແຂງແຮງດ້ານການບິດງໍກົນຈັກສູງ, ເຊິ່ງເປັນພື້ນຖານທີ່ເໝາະສົມສຳລັບການປຸງແຕ່ງຮູບຮ່າງຂອງຖົງເວເຟີທີ່ສັບສົນດ້ວຍການເຄື່ອງຈັກຂະໜາດນ້ອຍ.
(2) ການເຄືອບປ້ອງກັນ CVD ຊິລິກອນຄາໄບ (SiC)
ໂດຍການໃຊ້ Chemical Vapor Deposition, ຊັ້ນ poly-crystalline B-SiC ທີ່ໜາແໜ້ນສູງ (ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວໜາ 10 ຫາ 100 um ແລະມີຄວາມບໍລິສຸດ 99.999%) ຈະຖືກປູກຢູ່ເທິງຊັ້ນ graphite. ການເຄືອບນີ້ປິດຮູຂຸມຂົນຂະໜາດນ້ອຍຂອງໜ້າດິນ graphite ໄດ້ຢ່າງສົມບູນ, ປ້ອງກັນການຫຼົ່ນຂອງອະນຸພາກ, ແລະ ເປັນສິ່ງກີດຂວາງທີ່ບໍ່ຊຶມຜ່ານໄດ້ຕໍ່ກັບອາຍແກັສທີ່ກັດກ່ອນເຊັ່ນ: HCI, NH4, ແລະ ສານປະກອບ fluorinated.
3. ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບທີ່ສຳຄັນ ແລະ ລາຍລະອຽດຂອງວັດສະດຸ
ອີງຕາມການທົດສອບໃນຫ້ອງທົດລອງທີ່ເຂັ້ມງວດ ແລະ ມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນ, ຕົວຮັບສັນຍານກຣາໄຟທ໌ທີ່ເຄືອບດ້ວຍຄວາມບໍລິສຸດສູງສະແດງໃຫ້ເຫັນຕົວກໍານົດທາງກາຍະພາບທີ່ສໍາຄັນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
| ພາລາມິເຕີທາງກາຍະພາບ / ເຄມີ | ຄ່າອ້າງອີງມາດຕະຖານ | ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງຂະບວນການ ແລະ ຜົນກະທົບຕໍ່ປະສິດທິພາບ |
| ປະລິມານຂີ້ເທົ່າທັງໝົດ (ຄວາມບໍລິສຸດ) | < 5 ppm (ອ້າງອີງ: ຂໍ້ມູນສະເພາະ XR Graphite) | ກຳຈັດມົນລະພິດຂອງໂລຫະ, ຮັບປະກັນຊັ້ນ epitaxial ທີ່ບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ. |
| ຄວາມໜາແໜ້ນທີ່ປາກົດຂື້ນ | ພື້ນຜິວ: 1.85 g/cm³ | SiC: 3.21 g/cm³ | ຄວາມเฉื่อยທາງຄວາມຮ້ອນຕໍ່າສຳລັບອັດຕາການຂຶ້ນຢ່າງໄວວາຄຽງຄູ່ກັບເປືອກທີ່ຊຶມເຂົ້າບໍ່ໄດ້. |
| ຄວາມແຂງແຮງຂອງການບິດງໍ | ≥ 49 MPa (ຊັ້ນໃຕ້ດິນ) | ~450 MPa (SiC) | ທົນທານຕໍ່ຄວາມກົດດັນທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ ແລະ ການໂຫຼດແຜ່ນເວເຟີໜັກໂດຍບໍ່ມີການບິດເບືອນ. |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການສູງສຸດ | > 1500°C – 1800°C | ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງໃນລະຫວ່າງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ SiC ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. |
| ການນຳຄວາມຮ້ອນ | ~116 W/m·K (100 kcal/cm·h·°C) | ກະຈາຍຈຸດຮ້ອນໃນທ້ອງຖິ່ນຢ່າງວ່ອງໄວ, ບັນລຸການປ່ຽນແປງຄວາມຮ້ອນໜ້ອຍທີ່ສຸດ (ΔT). |
| ຄວາມຕ້ານທານໄຟຟ້າ | ~11 μΩ·m | ເໝາະສຳລັບຄວາມຮ້ອນແບບອິນດັກຊັນຂອງຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນ Graphite ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. |
ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານວິສະວະກຳຫຼັກ:
1. ຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນໄດ້ດີເລີດສາມາດທົນຕໍ່ວົງຈອນການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ ແລະ ຄວາມເຢັນຢ່າງໄວວາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (ສູງກວ່າ 1500°C) ໂດຍບໍ່ມີການແຕກ ຫຼື ການແຍກອອກເປັນຕ່ອນໆ.
2. ຄວາມเฉื่อยชาທາງເຄມີປ້ອງກັນການເສື່ອມສະພາບຈາກ H2, NH3, ອາຍແກັສໄຊເລນ ແລະ ສານເຄມີທີ່ຮຸນແຮງໄດ້ຢ່າງສົມບູນ.
3. ການຈັບຄູ່ຄ່າສຳປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນ (CTE)ຂະບວນການວາງ SiC ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງໂດຍ VET Energy ສອດຄ່ອງກັບພຶດຕິກຳການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນຂອງການເຄືອບ SiC ກັບແກນ graphite, ປ້ອງກັນການແຕກຫັກຂອງເຄືອບໃນອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງ.
4. ບົດບາດ ແລະ ການນຳໃຊ້ໃນການປະມວນຜົນແບບເຄິ່ງຕົວນຳ
ຕົວຮັບສັນຍານກຣາໄຟທ໌ທີ່ມີຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືສູງເຮັດໜ້າທີ່ເປັນອົງປະກອບພື້ນຖານທີ່ຊ່ວຍໃຫ້ສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ໃນຂັ້ນຕອນການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳທີ່ສຳຄັນຫຼາຍຢ່າງ:
(1) ການເຕີບໂຕຂອງເສັ້ນເລືອດໃນສະໝອງຕີບ ແລະ ເສັ້ນເລືອດໃນສະໝອງຕີບ (Epi)
ໃນການຜະລິດໄຟ LED GaN, epitaxy ຂອງອຸປະກອນພະລັງງານ SiC, ແລະ epi-growth ຂອງແຜ່ນຊິລິໂຄນ, ຄວາມໜາຂອງຟິມ ແລະ ຄວາມສະໝໍ່າສະເໝີຂອງສານເສີມແມ່ນຂຶ້ນກັບຄວາມສະໝໍ່າສະເໝີຂອງສະໜາມຄວາມຮ້ອນ. ຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນກຣາໄຟດແຈກຢາຍຄວາມຮ້ອນຢ່າງເທົ່າທຽມກັນໃນທົ່ວການຕັ້ງຄ່າແຜ່ນດຽວ ຫຼື ຫຼາຍແຜ່ນໃນລະຫວ່າງການໝຸນ, ສະກັດກັ້ນການໂຄ້ງຂອງແຜ່ນແຜ່ນ ຫຼື ເສັ້ນລື່ນທີ່ເກີດຈາກຄວາມກົດດັນທາງຄວາມຮ້ອນ.
(2) ການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກດຽວ (ວິທີ PVT)
ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໂຕຂອງຊິລິກອນຄາໄບ (SiC) ແລະ ຜລຶກແກ້ວໄພລິນຜ່ານການຂົນສົ່ງໄອທາງກາຍະພາບ (PVT), ຕົວຮັບຄວາມຊຸ່ມຊື່ນກຳນົດຄວາມຜັນຜວນຂອງເຂດຄວາມຮ້ອນ, ເຊິ່ງນຳພາການສ້າງແທ່ງຜລຶກດ່ຽວໂດຍກົງ ແລະ ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມໜາແໜ້ນຂອງການເຄື່ອນທີ່.
(3) ການປຸງແຕ່ງດ້ວຍຄວາມຮ້ອນໄວ (RTP) ແລະ ການອົບແຫ້ງ
ໂດຍການນໍາໃຊ້ວິທີຄວາມຮ້ອນແບບກະຕຸ້ນຂອງຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນ Graphite ທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ແພລດຟອມດັ່ງກ່າວຊ່ວຍໃຫ້ມີເວລາຕອບສະໜອງຄວາມຮ້ອນທີ່ໄວທີ່ສຸດ ເຊິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການອົບແຫ້ງຕາຂ່າຍຫຼັງການຝັງຕົວ ແລະ ການສ້າງຈຸດຕໍ່.
5. ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VET Energy?
ດ້ວຍຄວາມຕ້ອງການທີ່ຮຽກຮ້ອງສູງສຳລັບຄວາມຢືດຢຸ່ນຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ການສະໜອງ, ຄວາມບໍລິສຸດທີ່ສຸດ, ແລະ ອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ຍາວນານ.ພະລັງງານ VETໂດດເດັ່ນໃນຖານະຄູ່ຮ່ວມງານດ້ານວິສະວະກຳທົ່ວໂລກທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້:
1. ການເຄື່ອງຈັກຂະໜາດນ້ອຍທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງສູນເຄື່ອງຈັກ CNC ຫຼາຍແກນຊ່ວຍໃຫ້ມີຮູແຜ່ນເວເຟີທີ່ສັບສົນ, ຮ່ອງຂະໜາດນ້ອຍ, ແລະ ຊ່ອງທາງອາຍແກັສທາງອາກາດທີ່ກຳນົດເອງດ້ວຍຄວາມທົນທານລົງເຖິງລະດັບໄມໂຄຣມິເຕີ.
2. ການວາງຊັ້ນ SiC CVD ແບບໜາແໜ້ນຂັ້ນສູງຂະບວນການ CVD ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງຂອງພວກເຮົາບັນລຸໄດ້ການເຄືອບ SiC ທີ່ໜາແໜ້ນສູງ ແລະ ສາມາດຂັດເງົາໄດ້ ເຊິ່ງຊ່ວຍຍືດອາຍຸການໃຊ້ງານຂອງວົງຈອນຄວາມຮ້ອນໄດ້ຫຼາຍກວ່າ 30%.
3. ສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງທີ່ສະອາດທີ່ສຸດການກັ່ນຕອງຢ່າງຄົບຖ້ວນ ແລະ ການຈັດການຫ້ອງສະອາດຮັບປະກັນປະລິມານຂີ້ເທົ່າທັງໝົດທີ່ຮັກສາໄວ້ໃຫ້ຕໍ່າກວ່າ 5 ppm ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານເຄິ່ງຕົວນຳ OEM ທີ່ເຂັ້ມງວດມາດຕະຖານທີ່ດີເລີດ.
4. ຕົ້ນທຶນການເປັນເຈົ້າຂອງ (CoO) ທີ່ດີທີ່ສຸດVET Energy ສົ່ງມອບເວລານຳທີ່ໄວຂຶ້ນພ້ອມກັບອັດຕາສ່ວນລາຄາຕໍ່ປະສິດທິພາບທີ່ແຂ່ງຂັນໄດ້, ຊ່ວຍໃຫ້ຜູ້ຜະລິດຊິບຫຼຸດຜ່ອນລາຍຈ່າຍທີ່ບໍລິໂພກໄດ້.
ເວລາໂພສ: ສິງຫາ-14-2026