ການສຶກສາກໍລະນີ: ອົງປະກອບກຣາໄຟທ໌ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງສຳລັບສະໜາມຄວາມຮ້ອນແບບ monocrystalline ຂະໜາດ 32 ນິ້ວໃນການເຕີບໂຕຂອງຊິລິໂຄນປະເພດ N

ບົດນຳ: ສິ່ງທ້າທາຍດ້ານສະໜາມຄວາມຮ້ອນຂະໜາດ 32 ນິ້ວໃນການເຕີບໂຕຂອງຊິລິໂຄນປະເພດ N ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ

ໃນຂະນະທີ່ອຸດສາຫະກຳແສງອາທິດຫັນປ່ຽນຢ່າງໄວວາຈາກ PERC ປະເພດ P ໄປສູ່ແຜງແສງອາທິດ TOPCon ປະເພດ N ແລະ ແຜງແສງອາທິດ Heterojunction (HJT), ຄວາມຕ້ອງການແຜ່ນຊິລິກອນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງໄວວາ. ແຜງຊິລິກອນປະເພດ N ຕ້ອງການອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ສູງຫຼາຍ (ໂດຍປົກກະຕິ >300 μs) ແລະ ການປົນເປື້ອນຂອງໂລຫະປະສົມທີ່ເກືອບສູນ.

ເພື່ອເພີ່ມປະລິມານການຜະລິດ, ຜູ້ຜະລິດແຜ່ນຊິລິໂຄນກຳລັງຂະຫຍາຍຂະໜາດຂອງໝໍ້ຫຸງຕົ້ມເປັນ 32 ນິ້ວ ແລະ ຫຼາຍກວ່ານັ້ນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ການເຮັດວຽກທີ່ອຸນຫະພູມເກີນ 1,450°C ໃນສະໜາມຄວາມຮ້ອນ 32 ນິ້ວ ເຮັດໃຫ້ເກີດສິ່ງທ້າທາຍດ້ານວິສະວະກຳທີ່ຮ້າຍແຮງ:

1. ການເສື່ອມສະພາບດ້ວຍຄວາມຮ້ອນ ແລະ ຄວາມບໍ່ສົມດຸນ:ການປ່ຽນແປງທາງຄວາມຮ້ອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍເຮັດໃຫ້ເກີດການຜິດຮູບໂຄງສ້າງ ແລະ ຮອຍແຕກໃນເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ແລະ ເສົາກຣາໄຟທ໌ມາດຕະຖານ.
2. ການປົນເປື້ອນຂອງໂລຫະທີ່ລະເຫີຍໄດ້:ອົງປະກອບມົນລະພິດຕາມຮ່ອງຮອຍ (Fe, Ni, Cu, V) ພາຍໃນແກຣໄຟດ໌ທຳມະດາຈະລະເຫີຍໃນລະຫວ່າງການດຶງໄປເຊຍກັນເປັນເວລາດົນ, ເຄື່ອນຍ້າຍໂດຍກົງເຂົ້າໄປໃນຊິລິໂຄນທີ່ລະລາຍ ແລະ ເຮັດໃຫ້ເກີດການເສື່ອມສະພາບຕະຫຼອດຊີວິດຂອງຕົວນຳສ່ວນໜ້ອຍຢ່າງຮ້າຍແຮງ.

ວິທີແກ້ໄຂດ້ານວິສະວະກຳ: ກຣາໄຟທ໌ໄອໂຊສະແຕັກທີ່ບໍລິສຸດສູງ ແລະ ການປ້ອງກັນ CVD SiC

ເພື່ອເອົາຊະນະບັນຫາທາງເທັກນິກເຫຼົ່ານີ້, VeTek Semiconductor ໄດ້ນຳໃຊ້ການຍົກລະດັບວັດສະດຸທີ່ສົມບູນແບບໃນທົ່ວຊຸດປະກອບພາກສະໜາມຄວາມຮ້ອນຂະໜາດ 32 ນິ້ວທັງໝົດ, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍແກຣໄຟທ໌ isostatic ຄວາມໜາແໜ້ນສູງທີ່ຜ່ານການກັ່ນຕອງຮາໂລເຈນທີ່ອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ການເຄືອບ CVD Silicon Carbide (SiC) ປ້ອງກັນ.

1. ການເຮັດໃຫ້ຮາໂລເຈນບໍລິສຸດຢ່າງເລິກເຊິ່ງ (ປະລິມານຂີ້ເທົ່າ ≤ 2-5 ppm)

ແກຣໄຟຕ໌ອຸດສາຫະກຳມາດຕະຖານມີປະລິມານຂີ້ເທົ່າຢູ່ໃນລະຫວ່າງ 50 ppm ແລະ 200 ppm. ທີ່ອຸນຫະພູມ 1,450°C ພາຍໃຕ້ສູນຍາກາດ, ທາດເຫຼົ່ານີ້ຈະລະເຫີຍ. ຂະບວນການກັ່ນຕອງອາຍແກັສຮາໂລເຈນອຸນຫະພູມສູງທີ່ເປັນກຳມະສິດຂອງພວກເຮົາປ່ຽນສິ່ງເຈືອປົນໂລຫະໃຫ້ກາຍເປັນສານປະກອບຮາໂລເຈນທີ່ລະເຫີຍໄດ້ (ຄລໍໄຣດ໌/ຟລູອໍໄຣດ໌) ທີ່ອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 2,400°C.

• ການທົດສອບມວນສານແສງ (GDMS)ກວດສອບວ່າສິ່ງເຈືອປົນໂລຫະທັງໝົດ (Fe, Cr, Ni, Cu, V) ຖືກຫຼຸດລົງໃຫ້ຕໍ່າກວ່າ 0.5 ppm, ເຊິ່ງບັນລຸປະລິມານຂີ້ເທົ່າໂດຍລວມ ≤ 2 ppm.
• ຜົນໄດ້ຮັບ:ກຳຈັດວິວັດທະນາການຂອງອາຍແກັສໂລຫະພື້ນຫຼັງ, ປົກປ້ອງສະລອຍນ້ຳຊິລິໂຄນທີ່ລະລາຍຈາກການປົນເປື້ອນໃນລະຫວ່າງວົງຈອນດຶງຕໍ່ເນື່ອງຫຼາຍກວ່າ 120 ຊົ່ວໂມງ.

2. ໂຄງສ້າງກຣາໄຟທ໌ໄອໂຊສະແຕັກທີ່ມີຄວາມໜາແໜ້ນສູງເພື່ອຄວາມໝັ້ນຄົງທາງຄວາມຮ້ອນ

ອົງປະກອບຕ່າງໆລວມທັງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນແກຣໄຟ, ຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນຂອງຖ້ວຍທົດລອງ, ແລະ ຖັງກັນຄວາມຮ້ອນແມ່ນຜະລິດຈາກແກຣໄຟທີ່ມີຄວາມໜາແໜ້ນສູງ (1.85 g/cm³), ເມັດລະອຽດ (ຂະໜາດເມັດ <10 μm). ການກົດດັນແບບໄອໂຊສະແຕັກຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນແບບໄອໂຊໂທຣປິກ (CTE) ຢ່າງເປັນເອກະພາບ, ປ້ອງກັນຄວາມກົດດັນທາງຄວາມຮ້ອນໃນທ້ອງຖິ່ນ, ການບິດເບືອນ, ແລະ ການແຕກຫັກທາງກົນຈັກພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ຳໆ.

3. ການເຄືອບປ້ອງກັນ CVD Silicon Carbide (SiC)

ອົງປະກອບທີ່ສຳຄັນທີ່ສຳຜັດກັບໄອຊິລິກອນ ແລະ ອາຍແກັສທີ່ກັດກ່ອນຈະຖືກເຄືອບດ້ວຍຊັ້ນໜາແໜ້ນ 50–80 μm ຂອງຊິລິກອນຄາໄບ (SiC) ທີ່ວາງອາຍເຄມີ (CVD).

• ອຸປະສັກການກັດກ່ອນ:ປ້ອງກັນປະຕິກິລິຍາເຄມີໂດຍກົງລະຫວ່າງໄອຊິລິໂຄນທີ່ລະເຫີຍໄດ້ (SiO) ແລະ ຊັ້ນໃຕ້ດິນແກຣໄຟ (SiO + 2C → SiC + CO), ກຳຈັດການຕັດເຊາະໜ້າດິນ ແລະ ການສ້າງຝຸ່ນຄາບອນ.
• ຄວາມແມ່ນຍຳທາງເລຂາຄະນິດ:ຮັກສາຮູບຮ່າງຂອງພາກສະໜາມຄວາມຮ້ອນທີ່ແນ່ນອນໃນໄລຍະເວລາການບໍລິການທີ່ຍາວນານກວ່າ 30%.

ຂໍ້ມູນການປະຕິບັດທີ່ວັດແທກ ແລະ ການຢັ້ງຢືນການທົດລອງພາກສະໜາມ

ການທົດລອງພາກສະໜາມປຽບທຽບເປັນເວລາ 6 ເດືອນໄດ້ດຳເນີນໄປໃນເຕົາອົບ CZ ຂະໜາດ 32 ນິ້ວ ຂະໜາດການຜະລິດ 50 ເຕົາ ທີ່ໂຮງງານຜະລິດແຜ່ນຊິລິໂຄນ TOPCon ຊັ້ນ 1. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນມາດຕະຖານການປະຕິບັດທີ່ປຽບທຽບອົງປະກອບແກຣໄຟຕ໌ມາດຕະຖານກັບວິທີແກ້ໄຂພາກສະໜາມຄວາມຮ້ອນທີ່ບໍລິສຸດຂອງ VeTek Semiconductor:

ຄຳຖາມທີ່ຖືກຖາມເລື້ອຍໆ (FAQ)

ສະຫຼຸບ ແລະ ການປຶກສາຫາລືດ້ານວິຊາການ

ການຍົກລະດັບເປັນອົງປະກອບແກຣໄຟທ໌ໄອໂຊສະແຕັກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງດ້ວຍການປ້ອງກັນ CVD SiC ໃຫ້ເສັ້ນທາງທີ່ວັດແທກໄດ້ໂດຍກົງເພື່ອແກ້ໄຂຂໍ້ຈຳກັດຂອງຜົນຜະລິດ ແລະ ສິ່ງປົນເປື້ອນໃນການເຕີບໂຕຂອງຊິລິໂຄນ monocrystalline ປະເພດ N ຂະໜາດ 32 ນິ້ວ. ດ້ວຍການປັບປຸງ 18% ໃນຜົນຜະລິດຊັ້ນນຳ ແລະ ອາຍຸການໃຊ້ງານຂອງສະໜາມຄວາມຮ້ອນທີ່ຍາວນານຂຶ້ນ 30%, ຜູ້ຜະລິດແຜ່ນເວເຟີແສງຕາເວັນສາມາດບັນລຸຜົນຕອບແທນຈາກການລົງທຶນທີ່ສຳຄັນ.