सिलिकॉन एपिटॅक्सी (Si Epi) साठी CVD SiC लेपित घटक
सिंगल-वेफर आणि बॅच सिलिकॉन एपिटॅक्सियल डिपॉझिशन सिस्टीमसाठी अचूकपणे डिझाइन केलेले, आमचे CVD SiC कोटेड ससेप्टर्स, सॅटेलाइट डिस्क्स आणि थर्मल फील्ड कंपोनंट्स उत्कृष्ट थर्मल एकसमानता आणि शून्य आउटगॅसिंग देतात. उच्च-घनतेचा क्यूबिक β-SiC कोटिंग थर उच्च-शुद्धतेच्या ग्राफाइट सबस्ट्रेटला पूर्णपणे वेढतो, ज्यामुळे रिॲक्टिव्ह गॅस एचिंग (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) टाळले जाते आणि उच्च-तापमान Si Epi प्रक्रियेदरम्यान (1000°C - 1200°C) अत्यंत कमी धातूंच्या अशुद्धतेची पातळी (< 5 ppm) सुनिश्चित केली जाते.
नियंत्रित उत्सर्जनशीलतेमुळे वेफरच्या कडेपासून मध्यभागापर्यंत फिल्मच्या जाडीमध्ये अचूक सुसंगतता सुनिश्चित होते.
जागेवरच चेंबर स्वच्छ करणाऱ्या रसायनांपासून आणि औष्णिक धक्क्यांपासून भक्कम संरक्षण प्रदान करते.
प्रचलित २०० मिमी/३०० मिमी सिंगल-वेफर एपीआय टूल्स (अप्लाइड मटेरियल्स, एएसएम) मध्ये बसण्यासाठी अचूक सीएनसी मशीनिंग केलेले.
| तांत्रिक मापदंड | विनिर्देश मूल्य | मानक / चाचणी पद्धत |
|---|---|---|
| कोटिंग मटेरियल | CVD β-SiC (घन अवस्था) | उच्च-घनता स्फटिक रचना |
| आधार सामग्री | अति-शुद्ध आयसोस्टॅटिक ग्राफाइट | घनता: १.८२ - १.८८ ग्रॅम/सेमी³ |
| रासायनिक शुद्धता | एकूण अशुद्धता < ५ पीपीएम | जीडीएमएस चाचणी केली |
| कोटिंगची जाडी | ८० μm - १५० μm | एकसमानता ≤ ±५% |
