एसआयसी एपिटॅक्सियल वाढीसाठी प्रगत सीव्हीडी कोटिंग्ज

अत्यंत उष्णतेच्या ताणाखाली (१५००°C - १७००°C) चालणाऱ्या उच्च-शक्तीच्या सेमीकंडक्टर उपकरण प्रक्रियांसाठी विशेषतः तयार केलेले, आमचे CVD SiC आणि TaC लेपित प्लॅनेटरी ससेप्टर्स, सॅटेलाइट डिस्क्स आणि गॅस डिफ्लेक्टर्स उत्कृष्ट कामगिरीसाठी बनवलेले आहेत. कणांची निर्मिती, पृष्ठभागाचा ऱ्हास आणि प्रतिक्रियाशील वायूंचे क्षरण (H₂, SiH₄, C₃H∯) रोखण्यासाठी डिझाइन केलेले, आमचे प्रगत लेप दीर्घ कार्यकाळ, उत्कृष्ट डोपंट नियंत्रण आणि संपूर्ण पृष्ठभागावर फिल्मच्या जाडीची उच्च एकसमानता सुनिश्चित करतात.६-इंच आणि ८-इंच एसआयसी एपिटॅक्सियल वेफर्स.