ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု- မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက် Crucibles များဖြင့် CZ ပုံဆောင်ခဲဆွဲအားနှင့် သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ခြင်း

အင်ဂျင်နီယာခေါင်းဆောင်-ဒေါက်တာ မာကပ်စ်နှင့် VET Crystal Thermal Field & High-Purity Materials Engineering အဖွဲ့ နည်းပညာဆိုင်ရာ အစီရင်ခံစာ:VET Semiconductor ပစ္စည်းများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု (အစီရင်ခံစာနံပါတ်: VET-CS-2025-SAG04)

အလုပ်အမှုဆောင်အကျဉ်းချုပ်နှင့် စီမံကိန်းခြုံငုံသုံးသပ်ချက် စက်မှုလုပ်ငန်း:တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ဓာတ်အားသုံး ဝေဖာ ထုတ်လုပ်ခြင်း ဖောက်သည်-S-AG (ဦးဆောင် 300mm Semiconductor Wafer ထုတ်လုပ်သူ၊ ဂျာမနီ) လုပ်ငန်းစဉ်-Czochralski (CZ) ၁၂ လက်မ Monocrystalline Silicon Crystal ဆွဲကြိုး ဖြေရှင်းချက်:သိပ်သည်းဆမြင့်မားပြီး သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော Isostatic Graphite Crucible (ပြာ < 5 ppm) + 5-Axis Precision CNC Machining + FEA Thermal Modeling ပမာဏသတ်မှတ်ထားသော ရလဒ်များ-ပုံဆောင်ခဲဆွဲအားပမာဏ ၁၄.၂% တိုးလာပြီး၊ ဂရပ်ဖိုက်ခွက်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း ၂၅% တိုးလာကာ အရည်ပျော်အညစ်အကြေးညစ်ညမ်းမှုမှာ စက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းအောက် လျော့နည်းသွားခဲ့သည်။

Czochralski (CZ) monocrystalline silicon ကြီးထွားမှုတွင်၊ ဂရပ်ဖိုက် crucible သည် quartz crucible နှင့် molten silicon (>1,450°C) ကို ပံ့ပိုးပေးသည့် အဓိက load-bearing နှင့် thermal conduction component အဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်။ ၎င်း၏ သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုနှင့် thermal stress စွမ်းဆောင်ရည်သည် crystal ဆွဲအားနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ ရိုးရာ graphite ပစ္စည်းများသည် quartz crucible ပုံပျက်ခြင်း၊ သတ္တုမသန့်စင်မှုပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် silicon အရည်ပျော်ညစ်ညမ်းခြင်းတို့ကို မကြာခဏဖြစ်စေလေ့ရှိသည်။ ဤဖြစ်ရပ်လေ့လာမှုတွင် VET ရှိ senior thermal field engineering team သည် S-AG (Germany) အတွက် high-purity isostatic graphite crucibles များကို မည်သို့စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခဲ့ပြီး၊ အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် မသန့်စင်မှုညစ်ညမ်းမှုနှင့် thermal stress စိန်ခေါ်မှုများကို မည်သို့ဖြေရှင်းခဲ့ကြောင်း အသေးစိတ်ဖော်ပြထားသည်။

ပုံ ၁: Czochralski (CZ) ပုံဆောင်ခဲများ ဆွဲယူသည့် မီးဖိုအတွင်းရှိ VET မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုရှိသော isostatic graphite crucible ၏ တပ်ဆင်မှုပုံ

CZ ဆီလီကွန်တွင် မသန့်ရှင်းမှုညစ်ညမ်းမှုနှင့် အပြစ်အနာအဆာများကို မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်ခွက်များက မည်သို့လျှော့ချပေးသနည်း။

အဓိကနိဂုံးချုပ်- ပြာပါဝင်မှု < 5 ppm ရှိသော မြင့်မားသောသန့်စင်မှု isostatic graphite crucibles များသည် ဆီလီကွန်အရည်ပျော်ထဲသို့ trace metal element ပျံ့နှံ့မှုကို ထိရောက်စွာပိတ်ဆို့ပေးပြီး ပုံဆောင်ခဲများရွေ့လျားမှုနှုန်းကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးပြီး minority carrier သက်တမ်းကို တိုးစေပါသည်။

၁။ လျှောက်လွှာနှင့် ဖောက်သည်များအတွက် အခက်အခဲများ

ဂျာမနီနိုင်ငံရှိ ၎င်း၏စက်ရုံတွင် ၁၂ လက်မ (၃၀၀ မီလီမီတာ) semiconductor-grade CZ silicon pulling furnaces များကို လည်ပတ်နေစဉ်၊ ဖောက်သည် S-AG သည် ingot minority carrier သက်တမ်း ပြင်းထန်စွာကျဆင်းခြင်းနှင့် edge dislocation rates မြင့်မားခြင်းတို့ကို ရင်ဆိုင်ခဲ့ရသည်။ စမ်းသပ်မှုအရ ရိုးရာ graphite crucibles အတွင်းရှိ trace ash မသန့်စင်မှုများ (B, Fe, Cu) သည် ၁၄၅၀°C အထက် အပူချိန်တွင် စဉ်ဆက်မပြတ်ဆွဲနေစဉ် quartz crucible နံရံများထဲသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ခဲ့ကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။ ဤညစ်ညမ်းပစ္စည်းများသည် silicon အရည်ပျော်ထဲသို့ တိုက်ရိုက်ပျံ့နှံ့သွားပြီး crystal structure ၏ တည်တံ့မှုကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေပြီး wafers များသည် SEMI C12 နှင့် ISO 9001 အရည်အသွေးစံနှုန်းများနှင့် မကိုက်ညီအောင် တားဆီးပေးခဲ့သည်။

၂။ အင်ဂျင်နီယာဖြေရှင်းချက်နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အကောင်အထည်ဖော်မှု

VET အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့သည် အပူချိန်မြင့် halogen ဓာတ်ငွေ့သန့်စင်မှု ပြုလုပ်ထားသော မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆရှိသော isostatic graphite crucibles များကို ပံ့ပိုးပေးခဲ့ပါသည်။

• ပစ္စည်းရွေးချယ်မှုနှင့် နက်ရှိုင်းစွာ သန့်စင်ခြင်း-အမှုန်အမွှားသေး (အမှုန်အရွယ်အစား ≤ 8 μm) နှင့် သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း (≥ 1.85 g/cm³) isostatic graphite ကို vacuum furnace တွင် အပူချိန်မြင့် halogen gas cycle ဖြင့် ၇၂ နာရီကြာ သန့်စင်ခဲ့ပြီး စုစုပေါင်းပြာပါဝင်မှုကို < 5 ppm အထိ လျှော့ချပေးခဲ့သည်။
• GDMS အသုတ်လိုက် စမ်းသပ်ခြင်း-အဓိက ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ppb အဆင့်အထိ လျှော့ချနိုင်ကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် မြင့်မားသော ရုပ်ထွက်ကောင်းမွန်သော Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS) ကို အသုံးပြု၍ အဓိက သတ္တု မသန့်စင်မှုများကို အသုတ်လိုက် စစ်ဆေးခဲ့သည် (အောက်ပါ အချက်အလက်ဇယားကို ကြည့်ပါ)။

မသန့်ရှင်းသောဒြပ်စင်	ရိုးရာ Extruded ဂရပ်ဖိုက်	VET မြင့်မားသောသန့်စင်မှု Isostatic ဂရပ်ဖိုက်	S-AG စံ (SEMI C12)
စုစုပေါင်းပြာ	≈ ၁၅၀ ပီပီအမ်	< ၃.၈ ပီပီအမ်	< ၅.၀ ppm
သံ (Fe)	၁၂.၅ ပီပီအမ်	၁၈ ပီပီပီ	၅၀ ပီပီဘီအောက်
ကြေးနီ (Cu)	၃.၂ ပီပီအမ်	< ၅ ပီပီဘီ	< ၁၀ ပီပီဘီပီ
ဘိုရွန် (ဘီ)	၁.၈ ပီပီအမ်	၁၂ ပီပီဘီပီ	< ၂၀ ပီပီဘီပီ
နီကယ် (Ni)	၄.၁ ပီပီအမ်	၁၅ ပီပီပီ	၃၀ ပီပီဘီအောက်

ထုတ်လုပ်မှု ဖြန့်ကျက်ပြီးနောက် ဆီလီကွန် အရည်ပျော် မသန့်စင်မှု ညစ်ညမ်းမှု ၈၅% ကျော် လျော့ကျသွားပြီး ပျမ်းမျှ ingot အနည်းစု သယ်ဆောင်သည့် သက်တမ်းမှာ ၃၂% မြင့်တက်လာပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ လာရောက်လည်ပတ်ပါ[အပူချိန်မြင့် ဟေလိုဂျင်ဓာတ်ငွေ့ သန့်စင်ခြင်းနှင့် GDMS စမ်းသပ်ဇုန်]အသေးစိတ် နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များကို လေ့လာရန်။

ပုံ ၂: S-AG တွင် VET မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက် crucibles များကို မသုံးစွဲမီနှင့် အသုံးပြုပြီးနောက် လူနည်းစု carrier ၏ တစ်သက်တာဖြန့်ဖြူးမှု နှိုင်းယှဉ်ချက်

Isostatic Graphite Crucibles များမှတစ်ဆင့် အပူစက်ကွင်းဖွဲ့စည်းပုံများနှင့် အပူရှော့ခ်ခံနိုင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း

အဓိကနိဂုံးချုပ်- မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော တူညီသော isotropic အပူစီးကူးမှုသည် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူလည်ပတ်မှုအတွင်း crucible ပုံပျက်ခြင်းနှင့် micro-crack ဖြစ်ပေါ်ခြင်းကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်ပေးပါသည်။

၁။ လျှောက်လွှာနှင့် ဖောက်သည်များအတွက် အခက်အခဲများ

S-AG ၏ မူရင်းထုတ်လွှတ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက် ခွက်များသည် အပူစက်ဝန်းများစွာပြီးနောက်တွင် ညီညာမှုမရှိသော ရေဒီယယ် အပူချဲ့ထွင်မှု၊ နံရံ အဏုကြည့်မှန်ကွဲခြင်း သို့မဟုတ် အောက်ခြေ တွဲကျခြင်းများကို မကြာခဏ ကြုံတွေ့ရလေ့ရှိသည်။ ၎င်းက မညီမျှသော ဖိစီးမှုနှင့် အတွင်းပိုင်း ကွာ့ဇ် ခွက်၏ အပူချိန်မြင့်မားမှုကြောင့် ပျော့ပျောင်းခြင်း/ပြိုကျခြင်းတို့ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး မီးဖိုပိတ်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေခဲ့သည်။ ဂရပ်ဖိုက် ခွက်၏ ပျမ်းမျှသက်တမ်းသည် အပူစက်ဝန်း ၁၈၀ အောက်ဖြစ်ပြီး ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် ရပ်တန့်ချိန် ကုန်ကျစရိတ်များစွာ ဖြစ်ပေါ်စေခဲ့သည်။

၂။ အင်ဂျင်နီယာဖြေရှင်းချက်နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အကောင်အထည်ဖော်မှု

အပူချိန်မြင့်မားသော အပူဖိစီးမှု ပုံပျက်ခြင်းကို ဖြေရှင်းရန်အတွက် ဒေါက်တာ မာကပ်စ်သည် VET အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့အား စံသတ်မှတ်ထားသော အဆင့်သုံးဆင့်ပါ အစားထိုးလုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် ဦးဆောင်ခဲ့သည်-

[အဆင့် ၁: ရောဂါရှာဖွေခြင်း] • FEA အပူပုံစံငယ်ပြုလုပ်ခြင်း • CTE အသေးစိတ်ချိန်ညှိခြင်း (၄.၈×၁၀−×၆;/K)

[အဆင့် ၂: ထုတ်လုပ်ခြင်း] • အအေးခံ အိုင်ဆိုစတက်တစ် ဖိခြင်း • 45 MPa ကွေးညွှတ်အား

[အဆင့် ၃: အတည်ပြုခြင်း] • ၆၀ ရက်ကြာ ဆိုက်တွင်း အစမ်းသုံးခွင့် • အပူစက်ဝန်း ၂၂၀+

• ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အကဲဖြတ်ခြင်းနှင့် အပူကိုက်ညီမှု (ရောဂါရှာဖွေခြင်း):အဖွဲ့သည် S-AG ၏ အပူ gradient များအပေါ်တွင် Finite Element Analysis (FEA) မော်ဒယ်လ်ကို ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး အပိုင်း ၃ ပိုင်းခွဲထားသော ဂရပ်ဖိုက် crucible အပြင်အဆင်ကို ပြန်လည်ဒီဇိုင်းထုတ်ခဲ့သည်။ ပစ္စည်းဖော်မြူလာကို 4.8×10−×6;/K တွင် Coefficient of Thermal Expansion (CTE) ကို ချိန်ညှိခဲ့ပြီး 1,450°C တွင် quartz liner နှင့် မြင့်မားသော တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကို ရရှိစေခဲ့ပြီး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ညှစ်ဆွဲအားကို ဖယ်ရှားပေးခဲ့သည်။
• မြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိရှိသော ပုံသွင်းခြင်းနှင့် တိကျသော စက်ယန္တရားဖြင့် ပြုလုပ်ခြင်း (ထုတ်လုပ်ခြင်း):Cold Isostatic Pressing (CIP) သည် 45 MPa flexural strength ရှိသော ဂရပ်ဖိုက်တုံးများကို ထုတ်လုပ်ပေးခဲ့သည်။ တိကျသော 5-axis CNC machining (±0.01mm tolerance) ကြောင့် ဆီလီကွန် ကီလိုဂရမ်ရာပေါင်းများစွာ တင်ဆောင်သည့်အခါ အစိတ်အပိုင်းများသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုများနှင့် အပူရှော့ခ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိကြောင်း သေချာစေသည်။
• လုပ်ငန်းခွင်စမ်းသပ်မှုနှင့် သက်တမ်းအတည်ပြုခြင်း (အတည်ပြုခြင်း):S-AG သည် ဂျာမနီတွင် ရက်ပေါင်း ၆၀ ကြာ စဉ်ဆက်မပြတ် စမ်းသပ်မှုတစ်ခု ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ အပူစက်ဝန်း ၂၂၀+ (အပူချိန်လွန်ကဲမှုတွင် ~၁,၅၀၀ နာရီ) ပြီးနောက်၊ အရွယ်အစားများသည် အက်ကွဲကြောင်းငယ်များမရှိဘဲ ပုံပျက်ခြင်းကင်းစင်နေခဲ့ပြီး crucible ချို့ယွင်းမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော မီးဖိုပိတ်ခြင်းကို အောင်မြင်စွာ ဖယ်ရှားပေးခဲ့သည်။

ပုံ ၃: VET 5-axis တိကျမှု CNC စက်ဖြင့် ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် GDMS mass spectrometry purity inspection workflow

CZ Monocrystalline Silicon ကြီးထွားမှုတွင် တိကျသော အပူဖိစီးမှု ထိန်းချုပ်မှုကို အသုံးချခြင်း

အဓိကနိဂုံးချုပ်- ဂျီဩမေတြီ ဆ៊ီမေထရီနှင့် အပူစီးကူးမှု ဖြန့်ဖြူးမှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းသည် အစိုင်အခဲ-အရည် မျက်နှာပြင်များကို တည်ငြိမ်စေပြီး၊ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု တိုးချဲ့စဉ်အတွင်း အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှု အတက်အကျကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။

၁။ လျှောက်လွှာနှင့် ဖောက်သည်များအတွက် အခက်အခဲများ

၁၂ လက်မ အထူအပါး ရောစပ်ထားသော သို့မဟုတ် အပြစ်အနာအဆာကင်းသော ဆီလီကွန်ချောင်းများကို ကြာရှည်စွာ ဆွဲယူစဉ်တွင် အစိုင်အခဲ-အရည် မျက်နှာပြင်ရှိ အပူဖိစီးမှု မညီမျှမှုသည် အရည်ပျော် convection turbulence ကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ ၎င်းသည် axial နှင့် radial oxygen concentration အတက်အကျများကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး နောက်ဆက်တွဲ wafer slicing အတွင်း annealing yields ကို လျော့ကျစေသည်။

၂။ နည်းပညာဆိုင်ရာ အကောင်အထည်ဖော်မှုနှင့် တန်ဖိုး

• အပူစက်ကွင်း သရုပ်ဖော်ခြင်း-FEA သရုပ်ဖော်မှုသည် crucible wall thickness gradients များကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ပေးခြင်းဖြင့် 1,450°C မှ 1,550°C အကြား အပူစီးကူးလမ်းကြောင်းများကို မြေပုံဆွဲခဲ့သည်။
• ဆ៊ီမက်ထရီ သည်းခံမှု ထိန်းချုပ်မှု:နံရံအထူခံနိုင်ရည်များကို ±0.005mm အတွင်း ကန့်သတ်ထားပြီး၊ အပူထပ်တူမှုကို 18% တိုးစေခဲ့သည်။

တိကျသော အပူဖိစီးမှုထိန်းချုပ်မှုမှတစ်ဆင့် S-AG သည် ingot axial oxygen concentration တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုတွင် ၂၂% တိုးတက်မှု၊ ဆွဲအားအမြန်နှုန်းတွင် ၈% တိုးလာမှုနှင့် dislocation ချို့ယွင်းချက်များကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးနိုင်ခဲ့သည်။ အစိတ်အပိုင်းအသေးစိတ်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏[မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော Isostatic ဂရပ်ဖိုက် ဒယ်အိုးများနှင့် အပူစက်ကွင်း အစိတ်အပိုင်းများ]ထုတ်ကုန်ကတ်တလောက်။

မကြာခဏမေးလေ့ရှိသော မေးခွန်းများ (FAQ)

နိဂုံးချုပ်နှင့် ဖောက်သည်တန်ဖိုး

VET ၏ မြင့်မားသောသန့်စင်မှု isostatic graphite crucibles များနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော thermal field solution များကို လက်ခံအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ဥရောပ wafer လုပ်ငန်းကြီး S-AG သည် မသန့်စင်မှုပျံ့နှံ့မှုနှင့် thermal stress အတားအဆီးများကို ကျော်လွှားနိုင်ခဲ့သည်။ အဓိကစီမံကိန်းရလဒ်များတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-

• Monocrystalline silicon ဆွဲအား ပမာဏ တိုးလာသည်၁၄.၂%
• ဂရပ်ဖိုက် အပူစက်ကွင်း အစိတ်အပိုင်း ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း တိုးချဲ့ထားသည်၂၅%(အပူစက်ဝန်း ၂၂၀+ ကျော်)
• ဆီလီကွန်ဝေဖာ တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် ಒಟ್ಟಾರೆ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် လျော့ကျသွားသည်၁၁%

စာရေးသူနှင့် နည်းပညာအဖွဲ့အကြောင်း ဒေါက်တာ မာကပ်စ် — အကြီးတန်း အပူဓာတ်ကွင်းနှင့် အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများ အင်ဂျင်နီယာ၊ စစ်မှုထမ်းဟောင်း ဒေါက်တာ မာကပ်စ်သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အပူစက်ကွင်းဒီဇိုင်းနှင့် ကာဗွန်အခြေခံ ပေါင်းစပ်သန့်စင်ခြင်းတွင် သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး အတွေ့အကြုံ ၁၅ နှစ်ကျော်ရှိပြီး CZ မီးဖို အပူဖိစီးမှု မော်ဒယ်လ်နှင့် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု ဂရပ်ဖိုက် (<5 ppm) လုပ်ငန်းစဉ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတို့တွင် အထူးပြုပါသည်။ ဤဖြစ်ရပ်လေ့လာမှုသည် ဥရောပဖောက်သည် S-AG (အစီရင်ခံစာနံပါတ်: VET-CS-2025-SAG04) မှ ကွင်းဆင်းအကောင်အထည်ဖော်မှုဒေတာကို အခြေခံထားသည်။

သင့်ရဲ့ CZ Pulling Furnace Thermal Field ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်လုပ်ဖို့ အဆင်သင့်ဖြစ်ပြီလား။ မသန့်စင်မှုအဆင့် မြင့်မားခြင်း၊ ဂရပ်ဖိုက် ခွက်ကွေးညွှတ်ခြင်း သို့မဟုတ် လူနည်းစု သယ်ဆောင်နိုင်သော သက်တမ်းနည်းပါးခြင်းတို့ကို ကြုံတွေ့ရပါက စိတ်ကြိုက် FEA မော်ဒယ်လ်နှင့် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှု အစားထိုးဖြေရှင်းချက်များအတွက် VET ၏ အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့ကို ဆက်သွယ်ပါ။ သင့်ရဲ့ CZ Pulling Furnace Thermal Field ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်လုပ်ဖို့ အဆင်သင့်ဖြစ်ပြီလား။ မသန့်စင်မှုအဆင့် မြင့်မားခြင်း၊ ဂရပ်ဖိုက် ခွက်ကွေးညွှတ်ခြင်း သို့မဟုတ် လူနည်းစု သယ်ဆောင်နိုင်သော သက်တမ်းနည်းပါးခြင်းတို့ကို ကြုံတွေ့ရပါက စိတ်ကြိုက် FEA မော်ဒယ်လ်နှင့် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှု အစားထိုးဖြေရှင်းချက်များအတွက် VET ၏ အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့ကို ဆက်သွယ်ပါ။ သန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ထုတ်ကုန်များကို ကြည့်ရှုပါ စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းချက်နှင့် GDMS နမူနာများ တောင်းဆိုပါ