ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု- N-Type ဆီလီကွန်ကြီးထွားမှုတွင် ၃၂ လက်မ Monocrystalline အပူကွင်းများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ

မိတ်ဆက်- မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည် N-Type ဆီလီကွန်ကြီးထွားမှုတွင် ၃၂ လက်မအပူစက်ကွင်းစိန်ခေါ်မှု

ဖိုတိုဗို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးလုပ်ငန်းသည် P-type PERC မှ N-type TOPCon နှင့် Heterojunction (HJT) ဆိုလာဆဲလ်များသို့ လျင်မြန်စွာကူးပြောင်းလာသည်နှင့်အမျှ ပိုမိုသန့်စင်သော ဆီလီကွန်ဝေဖာများအတွက် ဝယ်လိုအားမှာ တစ်ဟုန်ထိုးမြင့်တက်လာခဲ့သည်။ N-type ဆီလီကွန်အောက်ခံများသည် အလွန်မြင့်မားသော လူနည်းစုသယ်ဆောင်သူသက်တမ်း (ပုံမှန်အားဖြင့် >300 μs) နှင့် သုညနီးပါးအကူးအပြောင်းသတ္တုညစ်ညမ်းမှု လိုအပ်ပါသည်။

ထုတ်လုပ်မှုပမာဏ တိုးမြှင့်ရန်အတွက် ဆီလီကွန်ဝေဖာ ထုတ်လုပ်သူများသည် crucible အရွယ်အစားများကို ၃၂ လက်မနှင့်အထက်သို့ တိုးချဲ့လျက်ရှိသည်။ သို့သော် ၃၂ လက်မ အပူစက်ကွင်းတွင် ၁၄၅၀°C ထက်ကျော်လွန်သော အပူချိန်တွင် လည်ပတ်ခြင်းသည် ပြင်းထန်သော အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်-

1. အပူယိုယွင်းပျက်စီးခြင်းနှင့် မညီမျှခြင်း-ကြီးမားသော အပူပြောင်းလဲမှုများသည် စံဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်များနှင့် အောက်ခံခုံများတွင် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံပုံပျက်ခြင်းနှင့် အက်ကွဲခြင်းကို ဖြစ်စေသည်။
2. ပျံ့လွင့်နိုင်သော သတ္တုညစ်ညမ်းမှု-ရိုးရာဂရပ်ဖိုက်အတွင်းရှိ မသန့်စင်သော ဒြပ်စင်များ (Fe, Ni, Cu, V) သည် ပုံဆောင်ခဲများကို ကြာရှည်စွာ ဆွဲယူနေစဉ်အတွင်း အငွေ့ပျံသွားပြီး အရည်ပျော်ဆီလီကွန်ထဲသို့ တိုက်ရိုက်ရွှေ့ပြောင်းကာ လူနည်းစုသယ်ဆောင်သူ တစ်သက်တာ ယိုယွင်းပျက်စီးမှုကို ပြင်းထန်စွာ ဖြစ်စေသည်။

အင်ဂျင်နီယာဖြေရှင်းချက်- အလွန်သန့်စင်ထားသော Isostatic Graphite နှင့် CVD SiC အကာအကွယ်

ဤနည်းပညာဆိုင်ရာ အတားအဆီးများကို ကျော်လွှားရန်အတွက် VeTek Semiconductor သည် အပူချိန်မြင့် halogen သန့်စင်မှုနှင့် အကာအကွယ် CVD Silicon Carbide (SiC) အလွှာများဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ isostatic graphite ပါဝင်သည့် ၃၂ လက်မ thermal field assembly တစ်ခုလုံးတွင် ပြည့်စုံသော ပစ္စည်းအဆင့်မြှင့်တင်မှုကို ဖြန့်ကျက်ခဲ့သည်။

၁။ နက်ရှိုင်းသော ဟေလိုဂျင် သန့်စင်ခြင်း (ပြာပါဝင်မှု ≤ ၂-၅ ppm)

စံသတ်မှတ်ထားသော စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး ဂရပ်ဖိုက်တွင် ပြာပမာဏ ၅၀ ppm မှ ၂၀၀ ppm အကြား ပါဝင်သည်။ လေဟာနယ်အောက်တွင် ၁၄၅၀°C တွင် ဤသဲလွန်စဒြပ်စင်များသည် အငွေ့ပျံသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ မူပိုင် အပူချိန်မြင့် ဟေလိုဂျင်ဓာတ်ငွေ့ သန့်စင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် သတ္တုမသန့်စင်မှုများကို ၂၄၀၀°C အထက် အပူချိန်တွင် အငွေ့ပျံနိုင်သော ဟေလိုဂျင်ဒြပ်ပေါင်းများ (ကလိုရိုက်/ဖလိုရိုက်) အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးသည်။

• Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS) စမ်းသပ်ခြင်းစုစုပေါင်းသတ္တုမသန့်စင်မှုများ (Fe, Cr, Ni, Cu, V) ကို 0.5 ppm အောက်သို့ လျှော့ချပြီး စုစုပေါင်းပြာပါဝင်မှု ≤ 2 ppm ရှိကြောင်း အတည်ပြုသည်။
• ရလဒ်:နောက်ခံသတ္တုဓာတ်ငွေ့ပြောင်းလဲမှုကို ဖယ်ရှားပေးပြီး အဆက်မပြတ်ဆွဲငင်အား ၁၂၀+ နာရီကျော်အတွင်း အရည်ပျော်နေသော ဆီလီကွန်ရေကန်ကို ညစ်ညမ်းမှုမှ ကာကွယ်ပေးသည်။

၂။ အပူတည်ငြိမ်မှုအတွက် သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော Isostatic ဂရပ်ဖိုက်ဖွဲ့စည်းပုံ

ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်၊ crucible susceptor နှင့် insulation barrel အပါအဝင် အစိတ်အပိုင်းများကို မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ (1.85 g/cm³)၊ အမှုန်အမွှား (အမှုန်အရွယ်အစား <10 μm) isostatic graphite မှ စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ Isostatic pressing သည် uniform isotropic thermal expansion (CTE) ကိုသေချာစေပြီး၊ ထပ်ခါတလဲလဲ အပူစက်ဝန်းများအောက်တွင် ဒေသတွင်းအပူဖိစီးမှု၊ ကောက်ကွေးမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအက်ကွဲခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည်။

၃။ အကာအကွယ် CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံလွှာ

ဆီလီကွန်အငွေ့နှင့် ချေးချွတ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ထိတွေ့ရသော အရေးကြီးအစိတ်အပိုင်းများကို 50–80 μm သိပ်သည်းသော Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) အလွှာဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။

• သံချေးအတားအဆီး:ပျံ့လွင့်လွယ်သော ဆီလီကွန်အငွေ့ (SiO2) နှင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ (SiO2 + 2C → SiC + CO) အကြား တိုက်ရိုက်ဓာတုဗေဒ ဓာတ်ပြုမှုကို ကာကွယ်ပေးပြီး မျက်နှာပြင် တိုက်စားမှုနှင့် ကာဗွန်ဖုန်မှုန့်များ ဖြစ်ပေါ်မှုကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။
• ဂျီဩမေတြီ တိကျမှု-ဝန်ဆောင်မှုကြားကာလ ၃၀% ပိုကြာအောင် တိကျသော အပူစက်ကွင်း ဂျီသြမေတြီကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။

တိုင်းတာထားသော စွမ်းဆောင်ရည်ဒေတာနှင့် ကွင်းဆင်းစမ်းသပ်မှု အတည်ပြုချက်

အဆင့် ၁ TOPCon ဆီလီကွန်ဝေဖာ ထုတ်လုပ်ရေးစက်ရုံတွင် ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် ၃၂ လက်မ CZ မီးဖို ၅၀ တွင် ၆ လကြာ နှိုင်းယှဉ်ကွင်းဆင်းစမ်းသပ်မှုတစ်ခု ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ အောက်တွင် VeTek Semiconductor ၏ သန့်စင်ထားသော အပူကွင်းဖြေရှင်းချက်နှင့် စံဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို နှိုင်းယှဉ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်စံနှုန်းဖြစ်သည်။

မကြာခဏမေးလေ့ရှိသော မေးခွန်းများ (FAQ)

နိဂုံးချုပ်နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ တိုင်ပင်ဆွေးနွေးခြင်း

CVD SiC ကာကွယ်မှုပါရှိသော အလွန်သန့်စင်ထားသော isostatic graphite အစိတ်အပိုင်းများသို့ အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းသည် ၃၂ လက်မ N-type monocrystalline silicon ကြီးထွားမှုတွင် အထွက်နှုန်းနှင့် မသန့်စင်မှုအတားအဆီးများကို ဖြေရှင်းရန် တိုက်ရိုက်တိုင်းတာနိုင်သော လမ်းကြောင်းကို ပေးစွမ်းသည်။ အဓိကအထွက်နှုန်းတွင် ၁၈% တိုးတက်မှုနှင့် အပူစက်ကွင်းသက်တမ်း ၃၀% တိုးချဲ့ခြင်းဖြင့် solar wafer ထုတ်လုပ်သူများသည် သိသာထင်ရှားသော ROI ကို ရရှိနိုင်ပါသည်။