SiC Epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အဆင့်မြင့် CVD အလွှာများ

အလွန်အမင်း အပူဖိစီးမှု (1500°C - 1700°C) အောက်တွင် လည်ပတ်နေသော မြင့်မားသော ပါဝါရှိသော semiconductor device လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ CVD SiC နှင့် TaC ဖြင့်အုပ်ထားသော ဂြိုဟ်အာရုံခံကိရိယာများ၊ ဂြိုလ်တုဒစ်ခ်များနှင့် ဓာတ်ငွေ့ဖယ်ထုတ်ကိရိယာများကို ထူးချွန်စေရန် တည်ဆောက်ထားပါသည်။ အမှုန်အမွှားများဖြစ်ပေါ်ခြင်း၊ မျက်နှာပြင်ပျက်စီးခြင်းနှင့် ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့ထွင်းခြင်း (H₂၊ SiH₄၊ C₃H∯) တို့ကို ကာကွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ အဆင့်မြင့်အလွှာများသည် လည်ပတ်မှုသက်တမ်းရှည်ခြင်း၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သော dopant ထိန်းချုပ်မှုနှင့် အလွှာအထူတူညီမှုကို သေချာစေသည်။၆ လက်မနှင့် ၈ လက်မ SiC epitaxial ဝေဖာများ.