-
ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု：ဂျာမန်ဖုန်စုပ်မီးဖို C/C ပေါင်းစပ်အပူဇုန်အဆင့်မြှင့်တင်မှု- ပုံပျက်ခြင်းကိုကာကွယ်ခြင်းနှင့် အလေးချိန်ပေါ့ပါးခြင်း
ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု | Hot Zone Materials German Vacuum Furnace C/C Composite Hot Zone အဆင့်မြှင့်တင်မှု- ပုံပျက်ခြင်းကို ဆန့်ကျင်ခြင်းနှင့် အလေးချိန်ပေါ့ပါးခြင်း Dr. Wang ရေးသားသည် | CTO၊ Hot Zone Materials Division၊ VET Energy ဩဂုတ်လ ၂၇ ရက်၊ ၂၀၂၆ -၆၂% Hot Zone Tare Weight +၃၅% အသားတင်ဝန်အား -၂၂% ငြိမ်းသတ်စွမ်းအင် >၃x Component L...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု- မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက် Crucibles များဖြင့် CZ ပုံဆောင်ခဲဆွဲအားနှင့် သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ခြင်း
ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု- မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက် Crucibles ဖြင့် CZ ပုံဆောင်ခဲဆွဲအားနှင့် သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ခြင်း အင်ဂျင်နီယာခေါင်းဆောင်- ဒေါက်တာ Marcus နှင့် VET ပုံဆောင်ခဲ အပူပေးစက်နှင့် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ပစ္စည်းအင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့ နည်းပညာဆိုင်ရာ အစီရင်ခံစာ- VET Semiconductor Materials & Process Optimization ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု (...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု- N-Type ဆီလီကွန်ကြီးထွားမှုတွင် ၃၂ လက်မ Monocrystalline အပူကွင်းများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ
ဖြစ်ရပ်လေ့လာမှု- N-Type Silicon ကြီးထွားမှုတွင် ၃၂ လက်မ Monocrystalline အပူကွင်းများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ စာရေးသူ- Dr. Steven Qiu၊ VET Energy တွင် အကြီးတန်း Semiconductor ပစ္စည်းအင်ဂျင်နီယာနှင့် နည်းပညာဒါရိုက်တာ ထုတ်ဝေသည့်ရက်စွဲ- ဩဂုတ်လ ၂၀၂၆ | နည်းပညာကွင်းဆင်းအစီရင်ခံစာနှင့် အင်ဂျင်နီယာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာချက် ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အာရုံခံကိရိယာများအတွက် ပြည့်စုံသောလမ်းညွှန်
ခေတ်မီ semiconductor device ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် တတိယမျိုးဆက် compound semiconductor ထုတ်လုပ်မှု (ဥပမာ Silicon Carbide [SiC] နှင့် Gallium Nitride [GaN]) တို့တွင် စက်မှုလုပ်ငန်းဆွေးနွေးမှုများသည် အလွန်အဆင့်မြင့် EUV lithography စက်များ၊ plasma etcher များ သို့မဟုတ် precursor gas purity တို့ကို အဓိကထားလေ့ရှိသည်။ သို့သော်၊ အတွင်းပိုင်းတွင်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း Epitaxy အတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်ဖြေရှင်းချက်များ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း Epitaxy အတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်ဖြေရှင်းချက်များ MOCVD (သတ္တု-အော်ဂဲနစ်ဓာတုဗေဒအငွေ့စုပုံခြင်း) နှင့် SiC epitaxial ကြီးထွားမှုကဲ့သို့သော အပူချိန်မြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အပူစက်ကွင်းထိန်းချုပ်မှုသည် ဖလင်အနည်ထိုင်မှုအထူတူညီမှု၊ doping အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် u ကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဂရပ်ဖိုက် Crucible ရှင်းလင်းချက်- ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ၊ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် အပူချိန်မြင့် Semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးချမှုများ
မိတ်ဆက်- ဂရပ်ဖိုက် ဒယ်အိုးများ — အပူချိန်အလွန်အမင်းမြင့်မားသော ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများ ခေတ်မီ အဆင့်မြင့် ထုတ်လုပ်ရေးနယ်ပယ်တွင် အရေးကြီးသော လုပ်ငန်းစဉ်များစွာသည် အပူအလွန်အမင်းရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်များအပေါ်တွင် မှီခိုနေရသည်။ ရိုးရာသတ္တု အရည်ကျိုခြင်းမှသည် တတိယမျိုးဆက် သတ္တုထုတ်လုပ်မှုအထိ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော မြင့်မားသောသန့်စင်မှု Isostatic Graphite Crucible Case: မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း Induction အရည်ပျော်ခြင်းတွင် အက်ကွဲခြင်းနှင့်ညစ်ညမ်းခြင်းဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများကို မည်သို့ဖြေရှင်းမည်နည်း။
၁။ အမှုဆောင်အကျဉ်းချုပ် / အဓိကဒေတာ အကျဉ်းချုပ်- ၁၂ မှ ၄၀ ကြိမ်အထိ – အန္တရာယ်နှင့်တန်ဖိုး အကဲဖြတ်ခြင်းဆိုင်ရာ ရှင်းလင်းသော အဓိကအချက်- ဖောက်သည်သည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း induction အရည်ပျော်ခြင်းတွင် မကြာခဏ quenching အက်ကွဲကြောင်းများနှင့် ပြာညစ်ညမ်းမှုကို ကနဦးတွင် ရင်ဆိုင်ခဲ့ရသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဖြေရှင်းချက်မှာ isostatic graphite crucible ဖြစ်သည် – mate မှတစ်ဆင့် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ စီမံဆောင်ရွက်ခြင်းနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများ
၁။ မိတ်ဆက် Porous Silicon Carbide (Porous SiC) ကြွေထည်များသည် ဆီလီကွန်ကာဘိုက်၏ ထူးချွန်သောဂုဏ်သတ္တိများကို ဂရုတစိုက်အင်ဂျင်နီယာပြုလုပ်ထားသော porous structure နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းသော SiC ကြွေထည်များနှင့်မတူဘဲ porous SiC သည် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ထားသော porous များကို မိတ်ဆက်ပေးပြီး နောက်ထပ်ပေးစွမ်းသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Induction Melting နှင့် Semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု Isostatic Graphite Crucible နည်းပညာလက်စွဲနှင့် ရွေးချယ်မှုလမ်းညွှန်
၁။ ပစ္စည်းအင်ဂျင်နီယာနှင့် အူတိုင်နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ အူတိုင်ထိုးထွင်းသိမြင်မှု- Cold Isostatic Pressing (CIP) သည် ရိုးရာ extruded သို့မဟုတ် vibration-molded graphite ထက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအစွမ်းသတ္တိ၊ တိုက်စားမှုခံနိုင်ရည်နှင့် အပူထိရောက်မှုတို့တွင် သိသိသာသာသာလွန်သော သိပ်သည်းဆမြင့်မားပြီး တူညီသော အဏုကြည့်ဖွဲ့စည်းပုံကို ဖန်တီးပေးသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur