Nieuws

Wat zijn de technische barrières voor siliciumcarbide?
door admin op 24-05-22
De eerste generatie halfgeleidermaterialen wordt vertegenwoordigd door traditioneel silicium (Si) en germanium (Ge), die de basis vormen voor de productie van geïntegreerde schakelingen. Ze worden veel gebruikt in laagspannings-, laagfrequentie- en laagvermogentransistors en -detectoren. Meer dan 90% van de halfgeleiderproduc...
Lees verder
Hoe wordt SiC-micropoeder gemaakt?
door admin op 24-05-13
SiC monokristal is een samengesteld halfgeleidermateriaal uit groep IV-IV, dat bestaat uit twee elementen, Si en C, in een stoichiometrische verhouding van 1:1. De hardheid is alleen lager dan die van diamant. De koolstofreductiemethode van siliciumoxide voor de bereiding van SiC is voornamelijk gebaseerd op de volgende chemische reactieformule...
Lees verder
Hoe helpen epitaxiale lagen halfgeleiderapparaten?
door admin op 24-05-13
De oorsprong van de naam epitaxiale wafer Laten we eerst een klein concept populariseren: wafervoorbereiding omvat twee belangrijke schakels: substraatvoorbereiding en epitaxiaal proces. Het substraat is een wafer gemaakt van halfgeleider monokristallijn materiaal. Het substraat kan direct de waferfabriek ingaan...
Lees verder
Inleiding tot chemische dampdepositie (CVD) dunnefilmdepositietechnologie
door admin op 24-05-06
Chemical Vapor Deposition (CVD) is een belangrijke dunnefilmdepositietechnologie die vaak wordt gebruikt om diverse functionele films en dunnelaagmaterialen te bereiden. Het wordt veel gebruikt in de halfgeleiderproductie en andere sectoren. 1. Werkingsprincipe van CVD Bij het CVD-proces wordt een gasprecursor (één of...
Lees verder
Het geheim van het ‘zwarte goud’ achter de fotovoltaïsche halfgeleiderindustrie: de wens en afhankelijkheid van isostatisch grafiet
door admin op 24-05-06
Isostatisch grafiet is een zeer belangrijk materiaal in de fotovoltaïsche sector en halfgeleiders. Met de snelle opkomst van binnenlandse isostatisch-grafietbedrijven is het monopolie van buitenlandse bedrijven in China doorbroken. Dankzij continu onafhankelijk onderzoek en ontwikkeling en technologische doorbraken ...
Lees verder
De essentiële kenmerken van grafietboten in de productie van halfgeleiderkeramiek onthuld
door admin op 24-04-22
Grafietboten, ook wel grafietboten genoemd, spelen een cruciale rol in de complexe processen van de productie van halfgeleiderkeramiek. Deze gespecialiseerde schepen dienen als betrouwbare dragers voor halfgeleiderwafers tijdens behandelingen bij hoge temperaturen en zorgen voor een nauwkeurige en gecontroleerde verwerking. Met ...
Lees verder
De interne structuur van de ovenbuisapparatuur wordt gedetailleerd uitgelegd
door admin op 24-04-22
Zoals hierboven weergegeven, is een typisch onderdeel De eerste helft: ▪ Verwarmingselement (verwarmingsspiraal): bevindt zich rond de ovenbuis, meestal gemaakt van weerstandsdraden, en wordt gebruikt om de binnenkant van de ovenbuis te verwarmen. ▪ Kwartsbuis: de kern van een hete oxidatieoven, gemaakt van kwarts met een hoge zuiverheidsgraad dat h...
Lees verder
Effecten van SiC-substraat en epitaxiale materialen op de eigenschappen van MOSFET-apparaten
door admin op 24-04-16
Driehoekig defect. Driehoekige defecten zijn de meest fatale morfologische defecten in epitaxiale lagen van SiC. Een groot aantal literatuurrapporten heeft aangetoond dat de vorming van driehoekige defecten verband houdt met de 3C-kristalvorm. Door verschillende groeimechanismen verandert de morfologie van veel...
Lees verder
Groei van SiC-siliciumcarbide-monokristal
door admin op 24-04-16
Sinds de ontdekking ervan heeft siliciumcarbide brede aandacht getrokken. Siliciumcarbide bestaat uit de helft Si-atomen en de helft C-atomen, die via covalente bindingen met elkaar verbonden zijn via elektronenparen die sp3-hybride orbitalen delen. In de basisstructuur van het monokristal bevinden zich vier Si-atomen...
Lees verder