De eisen van de halfgeleiderindustrie aan grafietmateriaal zijn bijzonder hoog. Grafiet met een fijne deeltjesgrootte heeft voordelen zoals hoge precisie, hoge temperatuurbestendigheid, hoge sterkte en een laag verlies, bijvoorbeeld bij de vervaardiging van mallen voor gesinterde grafietproducten.Omdat de grafietapparatuur die in de halfgeleiderindustrie wordt gebruikt (waaronder verwarmingselementen en hun gesinterde chips) bestand moet zijn tegen herhaalde verwarmings- en afkoelingsprocessen, is het, om de levensduur van de grafietapparatuur te verlengen, doorgaans vereist dat de gebruikte grafietmaterialen stabiele prestaties en een hittebestendige schokbestendigheid hebben.
01 Grafietaccessoires voor de groei van halfgeleiderkristallen
Alle processen die worden gebruikt voor de groei van halfgeleiderkristallen vinden plaats in een omgeving met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden. De hete zone van een kristalgroeioven is doorgaans uitgerust met hittebestendige en corrosiebestendige componenten van zeer zuiver grafiet, zoals een verwarmingselement, smeltkroes, isolatiecilinder, geleidingscilinder, elektrode, smeltkroeshouder, elektrodemoer, enzovoort.
Wij kunnen alle grafietonderdelen voor kristalproductie-installaties produceren. Deze kunnen afzonderlijk of in sets worden geleverd, of op maat gemaakte grafietonderdelen in diverse afmetingen volgens de specificaties van de klant. De afmetingen van de producten kunnen ter plaatse worden opgemeten en het asgehalte van de afgewerkte producten kan lager zijn.dan 5 ppm.
02 Grafietaccessoires voor halfgeleiderepitaxie
Epitaxiale groei verwijst naar de groei van een laag enkelkristallijn materiaal met dezelfde roosterstructuur als het substraat op een enkelkristallijn substraat. Bij epitaxiale groei wordt de wafer op een grafietschijf geplaatst. De prestaties en kwaliteit van de grafietschijf spelen een cruciale rol in de kwaliteit van de epitaxiale laag op de wafer. In de epitaxiale productie is veel ultrahoogzuiver grafiet en hoogzuiver grafiet met een SiC-coating nodig.
De grafietbasis van ons bedrijf voor halfgeleiderepitaxie heeft een breed scala aan toepassingen, is compatibel met de meeste gangbare apparatuur in de industrie en kenmerkt zich door een hoge zuiverheid, uniforme coating, uitstekende levensduur, hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.
03 Grafietaccessoires voor ionenimplantatie
Ionimplantatie verwijst naar het proces waarbij een plasmabundel van boor, fosfor en arseen tot een bepaalde energie wordt versneld en vervolgens in de oppervlaktelaag van het wafermateriaal wordt geïnjecteerd om de materiaaleigenschappen van die oppervlaktelaag te veranderen. De componenten van het ionimplantatieapparaat moeten gemaakt zijn van zeer zuivere materialen met een uitstekende hittebestendigheid, thermische geleidbaarheid, geringe corrosie door de ionenbundel en een laag gehalte aan onzuiverheden. Hoogzuiver grafiet voldoet aan de toepassingseisen en kan worden gebruikt voor de vluchtbuis, diverse spleten, elektroden, elektrodeafdekkingen, leidingen, bundelafsluiters, enzovoort van de ionimplantatieapparatuur.
Wij kunnen niet alleen grafietbeschermingskappen leveren voor diverse ionenimplantatiemachines, maar ook hoogzuivere grafietelektroden en ionenbronnen met een hoge corrosiebestendigheid in verschillende specificaties. Toepasselijke modellen: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM en andere apparatuur. Daarnaast kunnen we ook bijpassende keramische, wolfraam-, molybdeen- en aluminiumproducten en gecoate onderdelen leveren.
04 Grafietisolatiematerialen en andere
In halfgeleiderproductieapparatuur worden thermische isolatiematerialen gebruikt, zoals hard grafietvilt, zacht vilt, grafietfolie, grafietpapier en grafiettouw.
Al onze grondstoffen zijn geïmporteerd grafiet, dat op maat gesneden kan worden volgens de specifieke wensen van de klant of als geheel verkocht kan worden.
De koolstof-koolstofplaat wordt gebruikt als drager voor de filmcoating in het productieproces van monokristallijne en polykristallijne silicium zonnecellen. Het werkingsprincipe is als volgt: de siliciumchip wordt in de koolstof-koolstofplaat geplaatst en vervolgens in de ovenbuis geleid voor het aanbrengen van de filmcoating.
