Chemische dampafzetting (CVD) is een belangrijke technologie voor het afzetten van dunne films, die vaak wordt gebruikt voor de productie van diverse functionele films en dunne-laagmaterialen, en die op grote schaal wordt toegepast in de halfgeleiderindustrie en andere sectoren.
1. Werkingsprincipe van CVD
Bij het CVD-proces wordt een gasvormige precursor (een of meer gasvormige precursorverbindingen) in contact gebracht met het substraatoppervlak en verwarmd tot een bepaalde temperatuur. Dit veroorzaakt een chemische reactie, waarbij de precursor zich afzet op het substraatoppervlak en zo de gewenste film of coatinglaag vormt. Het product van deze chemische reactie is een vaste stof, meestal een verbinding van het gewenste materiaal. Als we bijvoorbeeld silicium aan een oppervlak willen hechten, kunnen we trichloorsilaan (SiHCl3) als precursorgas gebruiken: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl. Silicium hecht zich aan elk blootgesteld oppervlak (zowel intern als extern), terwijl chloor- en zoutzuurgassen uit de kamer worden afgevoerd.
2. Classificatie van hart- en vaatziekten
Thermische CVD: Door het verhitten van het precursorgas wordt het ontleed en afgezet op het substraatoppervlak. Plasma-enhanced CVD (PECVD): Plasma wordt toegevoegd aan thermische CVD om de reactiesnelheid te verhogen en het afzettingsproces te beheersen. Metaal-organische CVD (MOCVD): Met behulp van metaal-organische verbindingen als precursorgassen kunnen dunne films van metalen en halfgeleiders worden geprepareerd. Deze worden vaak gebruikt bij de productie van apparaten zoals LED's.
3. Aanvraag
(1) Halfgeleiderproductie
Silicidefilm: gebruikt voor de bereiding van isolerende lagen, substraten, isolatielagen, enz. Nitridefilm: gebruikt voor de bereiding van siliciumnitride, aluminiumnitride, enz., toegepast in LED's, vermogenscomponenten, enz. Metaalfilm: gebruikt voor de bereiding van geleidende lagen, gemetalliseerde lagen, enz.
(2) Weergavetechnologie
ITO-film: Transparante geleidende oxidefilm, veel gebruikt in platte beeldschermen en touchscreens. Koperfilm: gebruikt voor het maken van verpakkingslagen, geleidende lijnen, enz., om de prestaties van beeldschermen te verbeteren.
(3) Andere velden
Optische coatings: waaronder antireflectiecoatings, optische filters, enz. Anticorrosiecoating: gebruikt in auto-onderdelen, ruimtevaartapparatuur, enz.
4. Kenmerken van het CVD-proces
Gebruik een omgeving met hoge temperatuur om de reactiesnelheid te bevorderen. De procedure wordt doorgaans in een vacuümomgeving uitgevoerd. Verontreinigingen op het oppervlak van het onderdeel moeten vóór het lakken worden verwijderd. Het proces kan beperkingen hebben met betrekking tot de te coaten substraten, bijvoorbeeld temperatuurbeperkingen of reactiviteitsbeperkingen. De CVD-coating bedekt alle delen van het onderdeel, inclusief schroefdraad, blinde gaten en interne oppervlakken. Dit kan de mogelijkheid beperken om specifieke doelgebieden af te dekken. De laagdikte wordt beperkt door proces- en materiaaleigenschappen. Uitstekende hechting.
5. Voordelen van CVD-technologie
Uniformiteit: In staat om een uniforme afzetting te realiseren op substraten met een groot oppervlak.
Regelbaarheid: De afzettingssnelheid en filmeigenschappen kunnen worden aangepast door de stroomsnelheid en temperatuur van het precursorgas te regelen.
Veelzijdigheid: Geschikt voor het afzetten van diverse materialen, zoals metalen, halfgeleiders, oxiden, enz.
Geplaatst op: 6 mei 2024