Nieuws

Waarom is silicium zo hard, maar zo broos?
door admin op 24-12-10
Silicium is een atomair kristal, waarvan de atomen door covalente bindingen met elkaar verbonden zijn en zo een ruimtelijke netwerkstructuur vormen. In deze structuur zijn de covalente bindingen tussen de atomen zeer directioneel en hebben ze een hoge bindingsenergie, waardoor silicium een hoge hardheid vertoont bij het weerstaan van externe krachten.
Lees verder
Waarom buigen zijwanden tijdens droogetsen?
door admin op 24-12-03
Niet-uniformiteit van ionenbombardement. Droog etsen is meestal een proces dat fysische en chemische effecten combineert, waarbij ionenbombardement een belangrijke fysische etmethode is. Tijdens het etsproces kunnen de invalshoek en de energieverdeling van ionen ongelijkmatig zijn. Als het ion...
Lees verder
Inleiding tot drie veelvoorkomende CVD-technologieën
door admin op 24-12-03
Chemische dampdepositie (CVD) is de meest gebruikte technologie in de halfgeleiderindustrie voor het deponeren van diverse materialen, waaronder een breed scala aan isolatiematerialen, de meeste metalen en metaallegeringen. CVD is een traditionele dunnefilmvoorbereidingstechnologie. Het principe...
Lees verder
Kan diamant andere krachtige halfgeleiderapparaten vervangen?
door admin op 24-11-25
Als hoeksteen van moderne elektronische apparaten ondergaan halfgeleidermaterialen ongekende veranderingen. Vandaag de dag toont diamant geleidelijk zijn grote potentieel als vierde-generatie halfgeleidermateriaal met zijn uitstekende elektrische en thermische eigenschappen en stabiliteit onder extreme omstandigheden.
Lees verder
Wat is het planarisatiemechanisme van CMP?
door admin op 24-11-25
Dual-Damascene is een procestechnologie die gebruikt wordt voor de productie van metalen verbindingen in geïntegreerde schakelingen. Het is een verdere ontwikkeling van het Damascus-proces. Door in dezelfde processtap tegelijkertijd gaten en groeven te vormen en deze met metaal te vullen, kan de geïntegreerde productie van m...
Lees verder
Grafiet met TaC-coating
door admin op 24-11-21
I. Procesparameterverkenning 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar-systeem 2. Afzettingstemperatuur: Volgens de thermodynamische formule wordt berekend dat wanneer de temperatuur hoger is dan 1273 K, de vrije Gibbs-energie van de reactie zeer laag is en de reactie relatief volledig is. De rea...
Lees verder
Technologie voor het proces en de apparatuur voor de groei van siliciumcarbidekristallen
door admin op 24-11-21
1. Technologieroute voor SiC-kristalgroei PVT (sublimatiemethode), HTCVD (hoge-temperatuur-CVD) en LPE (vloeistoffasemethode) zijn drie veelgebruikte methoden voor SiC-kristalgroei. De meest erkende methode in de sector is de PVT-methode, en meer dan 95% van de SiC-monokristallen wordt gekweekt via de PVT-methode.
Lees verder
Voorbereiding en prestatieverbetering van poreuze silicium-koolstofcomposietmaterialen
door admin op 24-11-13
Lithium-ionbatterijen ontwikkelen zich voornamelijk in de richting van een hoge energiedichtheid. Bij kamertemperatuur vormen siliciumgebaseerde negatieve elektrodematerialen een legering met lithium om een lithiumrijk product, de Li3.75Si-fase, te produceren, met een specifieke capaciteit tot 3572 mAh/g, wat veel hoger is dan de theorie...
Lees verder
Thermische oxidatie van enkelkristalsilicium
door admin op 24-11-13
De vorming van siliciumdioxide op het oppervlak van silicium wordt oxidatie genoemd, en de vorming van stabiel en sterk hechtend siliciumdioxide leidde tot de geboorte van de planaire technologie voor geïntegreerde siliciumschakelingen. Hoewel er veel manieren zijn om siliciumdioxide direct op het oppervlak van silicium te laten groeien,...
Lees verder