SiC-ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਰੂਸੀਬਲ ਸਥਿਰ ਪੁੰਜ ਉਤਪਾਦਨ ਕਿਉਂ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦੇ ਹਨ?

SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ ਪ੍ਰੋਡਕਸ਼ਨ ਲਾਈਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਇੰਜੀਨੀਅਰ ਗਰਮ-ਜ਼ੋਨ ਡਿਜ਼ਾਈਨ, ਤਾਪਮਾਨ ਨਿਯੰਤਰਣ ਕਰਵ, ਅਤੇ ਪਾਊਡਰ ਫਾਰਮੂਲੇਸ਼ਨ 'ਤੇ ਧਿਆਨ ਕੇਂਦ੍ਰਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਫਿਰ ਵੀ ਜਦੋਂ ਉਪਜ ਵਿੱਚ ਉਤਰਾਅ-ਚੜ੍ਹਾਅ ਆਉਂਦੇ ਹਨ, ਤਾਂ ਮੂਲ ਕਾਰਨ ਅਕਸਰ ਉਸੇ ਹਿੱਸੇ - ਕਰੂਸੀਬਲ - ਵੱਲ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਰੌਸ਼ਨੀ ਨਹੀਂ ਛੱਡਦਾ, ਘੁੰਮਦਾ ਨਹੀਂ, ਅਤੇ ਡਰਾਇੰਗਾਂ ਵਿੱਚ "ਕੋਰ ਪੈਰਾਮੀਟਰ" ਵਜੋਂ ਨਹੀਂ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦਾ। ਪਰ ਜੇਕਰ ਇੱਕ ਪਰਤ ਸਤ੍ਹਾ ਤੋਂ ਛਿੱਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਇੱਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗਲਤ ਜਗ੍ਹਾ 'ਤੇ ਬਣਦਾ ਹੈ, ਜਾਂ ਇੱਕ ਕੋਨੇ ਤੋਂ ਥੋੜ੍ਹਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਕਾਰਬਨ ਬਾਹਰ ਨਿਕਲਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਪੂਰੇ ਬੂਲ ਵਿੱਚ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਨੁਕਸ ਇੱਕ ਗੱਲ ਸਪੱਸ਼ਟ ਕਰਦੇ ਹਨ: ਇਹ ਹਿੱਸਾ ਸਹਾਇਕ ਭੂਮਿਕਾ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਦੂਰ ਹੈ।

ਦੀ ਵਧਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀSiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਰੂਸੀਬਲਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ ਫਰਨੇਸਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸਧਾਰਨ ਵਿਆਖਿਆ ਹੈ: ਗ੍ਰੋਥ ਜ਼ੋਨ ਵਿੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਅਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਆਵਾਜਾਈ ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਨੂੰ ਵਧਾ ਰਹੀ ਹੈ। ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਮਸ਼ੀਨੀਬਿਲਟੀ, ਅਤੇ ਗਰਮੀ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਹੈ - ਪਰ ਇਹ ਆਪਣੇ ਸੁਭਾਅ ਦੇ ਨਾਲ ਆਉਂਦਾ ਹੈ: ਅਸਥਿਰਤਾ, ਪਾਰਦਰਸ਼ੀਤਾ, ਭਾਫ਼ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਜਾਂ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਨਾਲ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ, ਅਤੇ ਪਾਊਡਰਿੰਗ ਅਤੇ ਕਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਅਟੱਲ ਜੋਖਮ। SiC ਕੋਟਿੰਗ ਬਿਲਕੁਲ ਇਹਨਾਂ ਦਰਦ ਬਿੰਦੂਆਂ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਇੱਕ ਸਖ਼ਤ ਰੁਕਾਵਟ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੀ ਹੈ।

ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਰੂਸੀਬਲਾਂ 'ਤੇ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਿਉਂ ਕਰੀਏ?

ਤਿੰਨ ਮੁੱਖ ਕਾਰਨ:

1. ਕਾਰਬਨ ਅਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਓ

ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਉੱਚੇ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਸਬਲਿਮਟਿੰਗ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਅਯੋਗ ਗੈਸ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਵੀ। ਜਾਰੀ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਕਾਰਬਨ PVT ਵਿਕਾਸ ਦੌਰਾਨ ਭਾਫ਼ ਪੜਾਅ ਦੇ ਰਸਾਇਣ ਨੂੰ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਜਮ੍ਹਾ ਗਤੀ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਦਖਲ ਦਿੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਨੁਕਸ ਗਠਨ ਜਾਂ ਅਸਥਿਰ ਵਿਕਾਸ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਉਤਸ਼ਾਹਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।

2. ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਦੇ ਸਰੋਤਾਂ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰੋ

ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦਬਾਏ ਗਏ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਵਿੱਚ ਵੀ ਸੂਖਮ-ਛਿਦ੍ਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਪੂਰਵਗਾਮੀਆਂ, ਉਪ-ਉਤਪਾਦਾਂ, ਜਾਂ ਨਮੀ ਵਰਗੀਆਂ ਪ੍ਰਜਾਤੀਆਂ ਨੂੰ ਸੋਖਣ ਦੀ ਇੱਕ ਸਹਿਜ ਪ੍ਰਵਿਰਤੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਰਨ ਦੌਰਾਨ ਛੱਡੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਸਮਝੌਤਾ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇੱਕ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਛੇਦਾਂ ਨੂੰ ਸੀਲ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੀ ਸਫਾਈ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ।

3. ਉਮਰ ਵਧਾਓ ਅਤੇ ਸਪੈਲੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਦਬਾਓ

ਕਈ ਵਾਰ ਦੌੜਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਤਹਾਂ ਡਿਗਰੇਡੇਸ਼ਨ ਦਾ ਸ਼ਿਕਾਰ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ: ਪਾਊਡਰਿੰਗ, ਛਿੱਲਣਾ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਕ੍ਰੈਕਿੰਗ, ਅਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਲਟਕਣਾ। ਇਹ ਕਣਾਂ ਦੀ ਗੰਦਗੀ ਅਤੇ ਘੱਟ ਉਪਜ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​SiC ਕੋਟਿੰਗ ਸਤਹ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ, ਅਜਿਹੇ ਅਸਫਲਤਾ ਵਿਧੀਆਂ ਵਿੱਚ ਕਾਫ਼ੀ ਦੇਰੀ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨਿਯੰਤਰਣ ਕਰੂਸੀਬਲ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ

ਮੁੱਖ ਧਾਰਾ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿਧੀ ਹੈ ਸੀਵੀਡੀਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ SiC ਦਾ (ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ)। ਇਹ ਪਰਿਪੱਕ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਥਿਰ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇੱਕ ਪਰਤ ਹੋਣਾ ਕਾਫ਼ੀ ਨਹੀਂ ਹੈ - ਖੇਤਰ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਵਿੱਚ ਅਸਲ ਅੰਤਰ ਬਾਰੀਕ ਵੇਰਵਿਆਂ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ:

● ਕੋਟਿੰਗ ਮੋਟਾਈ ਇਕਸਾਰਤਾ

ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਕਰੂਸੀਬਲ ਜਿਓਮੈਟਰੀ—ਪੜਾਅ, ਗਰੂਵ, ਫਿਲਲੇਟ—ਪਰਛਾਵੇਂ ਜਾਂ ਘੱਟ-ਜਮਾਤ ਵਾਲੇ ਖੇਤਰ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ ਜਿੱਥੇ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨਿਰਧਾਰਨ ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ ਆ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਪਤਲੇ ਜ਼ੋਨ ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਦੇ ਅਧੀਨ ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਘਟਦੇ ਹਨ।

ਹੱਲ:ਕੋਟਿੰਗ ਸਪਲਾਇਰ ਕੋਲ ਸਟੀਕ 3D ਫਲੋ-ਫੀਲਡ ਕੰਟਰੋਲ ਅਤੇ ਗਤੀਸ਼ੀਲ ਰੋਟੇਸ਼ਨ ਸਿਸਟਮ ਹੋਣੇ ਚਾਹੀਦੇ ਹਨ ਤਾਂ ਜੋ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਹਿੱਸਿਆਂ 'ਤੇ ਵੀ ਇਕਸਾਰ ਕਵਰੇਜ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਈ ਜਾ ਸਕੇ।

● ਕੋਟਿੰਗ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਪਿੰਨਹੋਲ ਖਤਮ ਕਰਨਾ

ਜੇਕਰ CVD ਪੈਰਾਮੀਟਰ (ਤਾਪਮਾਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ, ਗੈਸ ਅਨੁਪਾਤ, ਰਿਹਾਇਸ਼ ਸਮਾਂ) ਨੂੰ ਸਖ਼ਤੀ ਨਾਲ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ, ਤਾਂ ਸੂਖਮ ਪਿੰਨਹੋਲ ਬਣ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਕਾਰਬਨ ਦੇ ਨਿਕਲਣ ਅਤੇ ਸਥਾਨਕ ਖੋਰ ਹੋਣ ਦੇ ਨਾਲ ਅਸਫਲਤਾ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਬਿੰਦੂ ਬਣ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

ਖੋਜ:ਮੁੱਢਲੀ ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਵਿਜ਼ੂਅਲ ਨਿਰੀਖਣ ਕਾਫ਼ੀ ਨਹੀਂ ਹਨ। ਲੁਕਵੀਂ ਪੋਰੋਸਿਟੀ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਲਈ ਕਈ ਥਰਮਲ ਚੱਕਰਾਂ ਵਿੱਚ ਹੀਲੀਅਮ ਲੀਕ ਟੈਸਟ ਜਾਂ ਬਕਾਇਆ ਭਾਰ ਘਟਾਉਣ ਦੀ ਜਾਂਚ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ।

● ਐਡਹੈਜ਼ਨ ਤਾਕਤ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ

SiC ਅਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਦੇ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੇ ਗੁਣਾਂਕ ਹਨ। ਜੇਕਰ ਕੋਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਬਚੇ ਹੋਏ ਤਣਾਅ ਨੂੰ ਘੱਟ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ, ਜਾਂ ਸਤ੍ਹਾ ਨੂੰ ਖੁਰਦਰਾ/ਪ੍ਰੀ-ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ ਨਾਕਾਫ਼ੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਥਰਮਲ ਸਾਈਕਲਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਡੀਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਵਧੀਆ ਅਭਿਆਸ:ਕੋਟਿੰਗ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਗਰਿੱਟ-ਬਲਾਸਟ ਅਤੇ ਅਲਟਰਾਸੋਨਿਕ ਸਫਾਈ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰੋ, ਅਤੇ ਅਸਲ ਫਰਨੇਸ ਸਾਈਕਲਿੰਗ ਨਾਲ ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਮਾਣਿਤ ਕਰੋ।

ਆਮ ਅਸਫਲਤਾ ਢੰਗ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦਾ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪ੍ਰਭਾਵ

ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ ਵਾਰ ਕਰੂਸੀਬਲ ਫੇਲ੍ਹ ਹੋ ਜਾਣ 'ਤੇ, ਨਤੀਜਾ ਅਕਸਰ ਸਿਰਫ਼ ਕੁਝ ਪੀਪੀਐਮ ਹੀ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ, ਸਗੋਂ ਪੂਰਾ ਬੈਚ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਕਈ ਹਫ਼ਤਿਆਂ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵਿਘਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਸਿਰਫ਼ ਇੱਕ ਭੌਤਿਕ ਮੁੱਦਾ ਨਹੀਂ ਹੈ - ਇਹ ਇੱਕ ਸਿਸਟਮ ਸਥਿਰਤਾ ਸਮੱਸਿਆ ਹੈ।