Creuzetul din sticlă-carbon este un tip de creuzet fabricat din materiale speciale pentru experimente și aplicații la temperaturi ridicate. Are o rezistență excelentă la temperaturi ridicate, o stabilitate chimică bună și o puritate ridicată, deci este utilizat pe scară largă în diverse domenii, cum ar fi metalurgia, ceramica, substanțele chimice, semiconductorii și așa mai departe.
Procesul de fabricație a creuzetului din sticlă-carbon este foarte complex și necesită trecerea prin multiple procese și un control strict al calității. În primul rând, este necesar să se utilizeze materii prime de înaltă puritate, cum ar fi grafitul, asfaltul etc., după tratament la temperatură înaltă și reacție chimică, pentru a obține pulbere de sticlă-carbon. Apoi, pulberea este modelată în forma creuzetului după formare, sinterizare și alte procese. În cele din urmă, este necesar să se efectueze recoacere, șlefuire, lustruire și alte tratamente la temperatură înaltă pentru a asigura calitatea și performanța creuzetului.
Particularitate:
Diverse materiale din grafit pot fi utilizate ca substraturi
Proprietățile substratului de grafit nu se pierd
Poate reduce formarea prafului de grafit
Are o rezistență mai bună la zgârieturi și alte caracteristici anti-frecare
Aplicați:
Componente ale echipamentelor de trasare din siliciu monocristalin
Părți în creștere epitaxială
Matriță de turnare continuă
Dispozitiv de etanșare a sticlei
| Mmaterial | Densitatea în vrac | Harsură | Rezistență electrică | Rezistența la încovoiere | Rezistență la compresiune |
| ISEM-3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| GP1B | 0 | +3% | 0 | +8% | +3% |
| GP2Z | 0 | +3% | - | +7% | +4% |
| GP2B | 0 | +3% | 0 | +13% | +3% |
-
Susceptor de grafit acoperit cu carbură de siliciu pentru L...
-
Susceptor de plachetă cu acoperire TaC pentru G5 G10
-
Inel de focalizare CVD SiC pentru imprimare prin gravare a semiconductorilor...
-
Suport de grafit MOCVD cu acoperire CVD SiC
-
Tub de carbură de tantal de înaltă calitate pentru cristale SiC...
-
Suporturi de bază cu grafit acoperit cu SiC

