సివిడి-ఎస్ఐసిపూత ఏకరీతి నిర్మాణం, కాంపాక్ట్ పదార్థం, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, ఆక్సీకరణ నిరోధకత, అధిక స్వచ్ఛత, ఆమ్లం & క్షార నిరోధకత మరియు సేంద్రీయ కారకం వంటి లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది, స్థిరమైన భౌతిక మరియు రసాయన లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది.

అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన గ్రాఫైట్ పదార్థాలతో పోలిస్తే, గ్రాఫైట్ 400C వద్ద ఆక్సీకరణం చెందడం ప్రారంభిస్తుంది, ఇది ఆక్సీకరణ కారణంగా పొడిని కోల్పోవడానికి కారణమవుతుంది, ఫలితంగా పరిధీయ పరికరాలు మరియు వాక్యూమ్ చాంబర్‌లకు పర్యావరణ కాలుష్యం ఏర్పడుతుంది మరియు అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన పర్యావరణం యొక్క మలినాలను పెంచుతుంది.

అయితే, SiC పూత 1600 డిగ్రీల వద్ద భౌతిక మరియు రసాయన స్థిరత్వాన్ని నిర్వహించగలదు, ఇది ఆధునిక పరిశ్రమలో, ముఖ్యంగా సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.

మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద చర్య జరిపి అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన SiC అణువులను, పూత పూసిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయబడిన అణువులను పొందుతాయి, SIC రక్షణ పొరను ఏర్పరుస్తాయి. ఏర్పడిన SIC గ్రాఫైట్ బేస్‌తో దృఢంగా బంధించబడి, గ్రాఫైట్ బేస్‌కు ప్రత్యేక లక్షణాలను ఇస్తుంది, తద్వారా గ్రాఫైట్ ఉపరితలం కాంపాక్ట్, పోరోసిటీ-రహితం, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకతను కలిగిస్తుంది.

ప్రధాన లక్షణాలు:

1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

ఉష్ణోగ్రత 1600 C వరకు ఉన్నప్పుడు కూడా ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంటుంది.

2. అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ స్థితిలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

3. కోత నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.

4. తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారము, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

CVD-SIC పూతల యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు: