Orain, langile bikain asko ditugu, internet marketinean, QC-n eta fabrikazio-prozesuan arazo mota mota desberdinak lantzen dituztenak, Txinako tenperatura altuko gerriko erresistentea den siliziozko karburozko grafitozko gurutzadura hornitzaile fidagarriarentzat. Zinez espero dugu mundu osoko gure bezeroekin batera hazten ari garela.
Orain, langile bikain asko ditugu, erabiltzaile bikainak internet marketinean, kalitate-kontrolean eta fabrikazio-prozesuko arazo zailekin lan egiten dutenak.Txinako Gurutzea, Grafitozko gurutzaduraGaur egun, mundu osoko bezeroak ditugu, besteak beste, AEB, Errusia, Espainia, Italia, Singapur, Malaysia, Thailandia, Polonia, Iran eta Irak. Gure enpresaren eginkizuna kalitate goreneko salgaiak prezio onenean eskaintzea da. Zurekin negozioak egiteko irrikitan gaude.
Karbono / karbono konpositeak(aurrerantzean “C/C edo CFC”) karbonoz oinarritutako eta karbono-zuntzez eta bere produktuez (karbono-zuntz aurreformaz) indartutako material konposatu mota bat da. Karbonoaren inertzia eta karbono-zuntzaren erresistentzia handia ditu. Ezaugarri mekaniko onak, beroarekiko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, marruskaduraren moteltzea eta eroankortasun termiko eta elektrikoaren ezaugarriak ditu.
CVD-SiCEstaldurak egitura uniformea, material trinkoa, tenperatura altuarekiko erresistentzia, oxidazioarekiko erresistentzia, purutasun handikoa, azido eta alkaliekiko erresistentzia eta erreaktibo organikoa ditu ezaugarri, propietate fisiko eta kimiko egonkorrak dituelarik.
Grafitozko material puruekin alderatuta, grafitoa 400 °C-tan oxidatzen hasten da, eta horrek hauts-galera eragiten du oxidazioaren ondorioz, eta ondorioz, ingurumen-kutsadura sortzen da gailu periferikoetan eta huts-ganberetan, eta ingurune puruaren ezpurutasunak handitzen dira.
Hala ere, SiC estaldurak egonkortasun fisiko eta kimikoa mantendu dezake 1600 gradutan, eta oso erabilia da industria modernoan, batez ere erdieroaleen industrian.
Gure enpresak SiC estaldura prozesu zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbono eta siliziozko gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatzen baitute purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatzen diren molekulak, SIC babes geruza eratuz. Sortutako SIC grafito oinarriari sendo lotuta dago, grafito oinarriari propietate bereziak emanez, horrela grafitoaren gainazala trinkoa, porositaterik gabekoa, tenperatura altuarekiko erresistentea, korrosioarekiko erresistentea eta oxidazioarekiko erresistentea bihurtuz.
Ezaugarri nagusiak:
1. Tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia:
Oxidazioarekiko erresistentzia oso ona da oraindik ere 1600 °C-ko tenperaturan.
2. Purutasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun kimikoaren bidez egindakoa.
3. Higaduraren aurkako erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.
4. Korrosioarekiko erresistentzia: azidoa, alkalia, gatza eta erreaktibo organikoak.
CVD-SIC estalduren zehaztapen nagusiak:
| SiC-CVD | ||
| Dentsitatea | (g/cc)
| 3.21 |
| Flexio-erresistentzia | (Mpa)
| 470 |
| Hedapen termikoa | (10-6/K) | 4
|
| Eroankortasun termikoa | (W/mK) | 300
|
