Nunc multos egregios sodales habemus qui periti sunt in mercatione interretiali, qualitate qualitatis (QC), et laborant cum generibus difficultatum molestarum intra methodum fabricationis pro Fidelis Venditore Sinensi Altae Temperaturae Resistente ad Cincturam Silicii Carbidi Graphiti Crucible. Sincere speramus nos cum clientibus nostris toto orbe terrarum crescere.
Nunc multos egregios sodales habemus, qui periti sunt in mercatione interretiali, qualitate qualitatis, et tractatione generum problematum in processu fabricationis.Crucibulum Sinense, Crustulum GraphicumHodie, clientes ex toto orbe terrarum habemus, inter quos Civitates Foederatae Americae, Russia, Hispania, Italia, Singapura, Malaesia, Thailandia, Polonia, Irania et Iraquia. Missio societatis nostrae est merces optimae qualitatis optimo pretio praebere. Negotium vobiscum agere exspectavimus.
Carbonium / composita carbonica(deinceps appellatum ""C / C vel CFC") est genus materiae compositae quae in carbone fundatur et fibra carbonica eiusque productis (praeforma fibrae carbonicae) roboratur. Et inertiam carbonis et magnam firmitatem fibrae carbonicae habet. Proprietates mechanicas bonas, resistentiam caloris, resistentiam corrosionis, mitigationem frictionis et conductivitatem thermalem et electricam habet.
CVD-SiCObductio proprietates habet structurae uniformis, materiae compactae, resistentiae temperaturae altae, resistentiae oxidationis, puritatis altae, resistentiae acidorum et alcali, et reagentis organici, cum proprietatibus physicis et chemicis stabilibus.
Comparatus cum materiis graphitis altae puritatis, graphitus incipit oxidari ad 400°C, quod iacturam pulveris propter oxidationem efficiet, pollutionem environmentalem machinarum periphericarum et camerarum vacui efficiens, et impuritates ambientis altae puritatis augens.
Attamen, obductio SiC stabilitatem physicam et chemicam ad 1600 gradus servare potest, late in industria moderna, praesertim in industria semiconductorum, adhibetur.
Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicis, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales, carbonem et silicium continentes, alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes. SIC formatum firmiter basi graphiti adhaeret, basi graphiti proprietates speciales tribuens, ita superficiem graphiti compactam, sine porositate, resistentem altae temperaturae, corrosioni, et oxidationi reddit.
Proprietates principales:
1. Resistentia oxidationis altae temperaturae:
Resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura usque ad 1600°C alta pervenit.
2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.
3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.
4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.
Specificationes principales tegumentorum CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitas | (g/cc)
| 3.21 |
| Robur flexurale | (Mpa)
| 470 |
| Expansio thermalis | (10-6/K) | 4
|
| Conductivitas thermalis | (W/mK) | trecenti
|
