সেমিকন্ডাক্টরের উচ্চ-তাপমাত্রার থার্মাল ফিল্ডের জন্য এমন কোনো উপাদান নেই যা সবার জন্য উপযুক্ত। সঠিক উপাদান নির্বাচনের জন্য তাপ পরিবাহিতা, অ্যানাইসোট্রপি, তাপীয় প্রসারণ সহগ (CTE) এবং ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতার মধ্যে নিখুঁত সামঞ্জস্য প্রয়োজন। আমরা আমাদের বিশ্বব্যাপী ক্লায়েন্টদের নির্দিষ্ট প্রসেস এনভায়রনমেন্টের উপর ভিত্তি করে বৈজ্ঞানিক উপাদান সমন্বয় এবং থার্মাল ফিল্ডের কাঠামোগত অপ্টিমাইজেশন প্রদান করি।

• অতি-উচ্চ বিশুদ্ধ আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট:আমরা উচ্চ-ঘনত্ব ও সূক্ষ্ম-দানাদার আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট নির্বাচন করি, যার স্থূল ঘনত্ব ≥ ১.৮৫ গ্রাম/ঘন সেন্টিমিটার। অতি-উচ্চ তাপমাত্রায় পরিশোধন করার পর, ছাইয়ের পরিমাণ < ৫ পিপিএম-এ নিয়ন্ত্রণ করা হয়, যা উন্নত আইসোট্রপি এবং উচ্চ-তাপমাত্রায় যান্ত্রিক শক্তি প্রদান করে।
• দীর্ঘস্থায়ী সি/সি কম্পোজিট:বহু-চক্রীয় CVD/CVI ডিপোজিশন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে 2.5D/3D নিডল-পাঞ্চড কার্বন ফাইবার প্রিফর্ম ব্যবহার করলে, এর টেনসাইল ও ইমপ্যাক্ট শক্তি প্রচলিত গ্রাফাইটকে বহুগুণে ছাড়িয়ে যায়, যা বৃহৎ আকারের উচ্চ-তাপমাত্রার যন্ত্রাংশে ফাটলের ঝুঁকি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে।
• CVD SiC / TaC কোটিং প্রযুক্তি:CVD প্রযুক্তি ব্যবহার করে ঘন β-SiC কোটিং (H2/HCl ক্ষয়রোধী) অথবা ৩৮৮০°C পর্যন্ত গলনাঙ্কবিশিষ্ট CVD TaC কোটিং জমা করা হয় (যা ২০০০°C+ অতি-উচ্চ তাপমাত্রায় SiC-এর ঊর্ধ্বপাতন এবং ফাটলের সমস্যা সম্পূর্ণরূপে সমাধান করে)।
• FEA / CFD তাপীয় ও গ্যাস প্রবাহ সিমুলেশন:Ansys/COMSOL ব্যবহার করে MOCVD ওয়েফার ক্যারিয়ারের উপর তাপীয় পীড়ন বন্টন এবং গ্যাস প্রবাহ ক্ষেত্র সিমুলেট করা, যা আন্তর্জাতিক ক্লায়েন্টদের তাপীয় সমরূপতা (ΔT ≤ 1.5°C) অপ্টিমাইজ করতে সহায়তা করে এবং এর মাধ্যমে ওয়েফারের এপিথেক্সিয়াল সামঞ্জস্য উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে।