সিলিকন এপিট্যাক্সি (Si Epi) এর জন্য CVD SiC প্রলিপ্ত উপাদান

সিঙ্গেল-ওয়েফার এবং ব্যাচ সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল ডিপোজিশন সিস্টেমের জন্য নিখুঁতভাবে ডিজাইন করা আমাদের CVD SiC কোটিংযুক্ত সাসসেপ্টর, স্যাটেলাইট ডিস্ক এবং থার্মাল ফিল্ড কম্পোনেন্টগুলো চমৎকার তাপীয় সমরূপতা এবং শূন্য গ্যাস নির্গমন নিশ্চিত করে। উচ্চ-ঘনত্বের কিউবিক β-SiC কোটিং স্তরটি উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটকে সম্পূর্ণরূপে আবৃত করে রাখে, যা প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস দ্বারা এচিং (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) প্রতিরোধ করে এবং উচ্চ-তাপমাত্রার Si Epi প্রক্রিয়াকরণের (1000°C - 1200°C) সময় অতি-নিম্ন ধাতব অপদ্রব্যের মাত্রা (< 5 ppm) নিশ্চিত করে।