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Welche technischen Hindernisse gibt es für Siliziumkarbid?
Die erste Generation von Halbleitermaterialien wird durch traditionelles Silizium (Si) und Germanium (Ge) repräsentiert, die die Grundlage für die Herstellung integrierter Schaltkreise bilden. Sie werden häufig in Niederspannungs-, Niederfrequenz- und Niedrigleistungstransistoren und -detektoren eingesetzt. Mehr als 90 % der Halbleiterproduktion...Mehr lesen -
Wie wird SiC-Mikropulver hergestellt?
SiC-Einkristall ist ein Verbindungshalbleitermaterial der Gruppe IV-IV, das aus den beiden Elementen Si und C im stöchiometrischen Verhältnis 1:1 besteht. Seine Härte ist nach Diamant die zweithöchste. Die Kohlenstoffreduktion von Siliziumoxid zur Herstellung von SiC basiert im Wesentlichen auf der folgenden chemischen Reaktionsformel:Mehr lesen -
Wie helfen epitaktische Schichten Halbleiterbauelementen?
Der Ursprung des Namens „Epitaxiewafer“: Lassen Sie uns zunächst ein kurzes Konzept erläutern: Die Wafervorbereitung umfasst zwei wichtige Schritte: die Substratvorbereitung und den Epitaxieprozess. Das Substrat ist ein Wafer aus Halbleiter-Einkristallmaterial. Das Substrat kann direkt in die Waferherstellung gelangen.Mehr lesen -
Einführung in die Dünnschichtabscheidungstechnologie durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine wichtige Technologie zur Dünnschichtabscheidung, die häufig zur Herstellung verschiedener Funktionsfilme und Dünnschichtmaterialien verwendet wird und in der Halbleiterherstellung und anderen Bereichen weit verbreitet ist. 1. Funktionsprinzip der CVD: Beim CVD-Prozess wird ein Gasvorläufer (ein oder ...)Mehr lesen -
Das Geheimnis des „schwarzen Goldes“ hinter der Photovoltaik-Halbleiterindustrie: der Wunsch nach und die Abhängigkeit von isostatischem Graphit
Isostatischer Graphit ist ein sehr wichtiges Material in der Photovoltaik und Halbleiterindustrie. Mit dem rasanten Aufstieg inländischer Unternehmen für isostatischen Graphit wurde das Monopol ausländischer Unternehmen in China gebrochen. Dank kontinuierlicher unabhängiger Forschung und Entwicklung sowie technologischer Durchbrüche ...Mehr lesen -
Enthüllung der wesentlichen Eigenschaften von Graphitschiffchen in der Halbleiterkeramik-Herstellung
Graphitschiffchen, auch Graphitschiffchen genannt, spielen eine entscheidende Rolle in den komplexen Prozessen der Halbleiterkeramikherstellung. Diese Spezialbehälter dienen als zuverlässige Träger für Halbleiterwafer während Hochtemperaturbehandlungen und gewährleisten eine präzise und kontrollierte Verarbeitung. Mit ...Mehr lesen -
Der innere Aufbau der Ofenrohranlage wird detailliert erläutert
Wie oben gezeigt, handelt es sich um eine typische erste Hälfte: ▪ Heizelement (Heizspule): befindet sich um das Ofenrohr herum, besteht normalerweise aus Widerstandsdrähten und wird zum Erhitzen des Inneren des Ofenrohrs verwendet. ▪ Quarzrohr: Der Kern eines heißen Oxidationsofens, hergestellt aus hochreinem Quarz, der hohen Temperaturen standhält...Mehr lesen -
Auswirkungen von SiC-Substrat und epitaktischen Materialien auf die Eigenschaften von MOSFET-Bauelementen
Dreiecksdefekte sind die schwerwiegendsten morphologischen Defekte in SiC-Epitaxieschichten. Zahlreiche Literaturberichte zeigen, dass die Bildung von Dreiecksdefekten mit der 3C-Kristallform zusammenhängt. Aufgrund unterschiedlicher Wachstumsmechanismen ist die Morphologie vieler...Mehr lesen -
Wachstum eines SiC-Siliziumkarbid-Einkristalls
Seit seiner Entdeckung hat Siliziumkarbid große Aufmerksamkeit erregt. Siliziumkarbid besteht zur Hälfte aus Si- und zur Hälfte aus C-Atomen, die durch kovalente Bindungen über Elektronenpaare mit gemeinsamen sp3-Hybridorbitalen verbunden sind. In der Grundstruktureinheit seines Einkristalls bilden vier Si-Atome eine...Mehr lesen
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