SiC-Epitaxieteile

Fortschrittliche CVD-Beschichtungen für das epitaktische Wachstum von SiC

Unsere CVD-beschichteten SiC- und TaC-Planetensuszeptoren, Satellitenscheiben und Gasablenker sind speziell für Hochleistungs-Halbleiterprozesse unter extremer thermischer Belastung (1500 °C – 1700 °C) entwickelt und zeichnen sich durch höchste Leistungsfähigkeit aus. Unsere fortschrittlichen Beschichtungen verhindern Partikelbildung, Oberflächenverschlechterung und reaktives Gasätzen (H₂, SiH₄, C₃H∯) und gewährleisten so lange Lebensdauern, optimale Dotierungskontrolle und hohe Schichtdickenhomogenität.6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer.

Ultrahohe Temperaturstabilität

Thermisch stabil bis 1700°C in stark reduzierenden H₂/Silan-Umgebungen.

Gradienten-CTE-Anpassung

Verhindert Ablösung der Beschichtung, Mikrorisse und Abplatzungen bei schnellen Temperaturzyklen.

Bereitschaft für 8-Zoll-Waferwaage

Präzisions-CNC-Bearbeitung, maßgeschneidert für SiC-Epi-Reaktoren der nächsten Generation mit hohem Durchsatz (LPE, Aixtron, Nuflare).

Technischer Parameter	Spezifikationswert	Standard / Prüfverfahren
Optionen für Beschichtungsmaterialien	CVD SiC / Tantalcarbid (TaC)	Hochreine hermetische Schicht
Basissubstrat	Gereinigter isostatischer Graphit	Gesamtverunreinigung < 5 ppm
Beständigkeit gegen Temperaturschocks	Delta T > 500°C Anstiegsgeschwindigkeit	Kein Reißen / Abblättern
Oberflächenrauheit (Ra)	≤ 0,4 μm (Spiegelpoliert)	Verhindert das Verkleben der Wafer und Partikelbildung