Si-Epitaxieteile

CVD-SiC-beschichtete Bauteile für die Siliziumepitaxie (Si Epi)

Unsere präzisionsgefertigten CVD-SiC-beschichteten Suszeptoren, Satellitenscheiben und thermischen Feldkomponenten für Einzelwafer- und Batch-Silizium-Epitaxie-Systeme bieten herausragende thermische Homogenität und keine Ausgasung. Die hochdichte kubische β-SiC-Beschichtung umschließt das hochreine Graphitsubstrat vollständig, verhindert reaktives Gasätzen (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) und gewährleistet extrem niedrige metallische Verunreinigungsgrade (< 5 ppm) während der Hochtemperatur-Si-Epitaxie (1000 °C – 1200 °C).

Gleichmäßigkeit des Wärmefeldes

Durch die kontrollierte Emissivität wird eine präzise Gleichmäßigkeit der Schichtdicke vom Waferrand bis zur Mitte gewährleistet.

HCl-Ätzbeständigkeit

Bietet zuverlässigen Schutz vor Chemikalien zur Kammerreinigung vor Ort und vor Temperaturschocks.

OEM-Systemkompatibilität

Präzisions-CNC-gefräst für die gängigen 200mm/300mm Single-Wafer-Epi-Werkzeuge (Applied Materials, ASM).

Technischer Parameter	Spezifikationswert	Standard / Prüfverfahren
Beschichtungsmaterial	CVD β-SiC (kubische Phase)	Kristalline Struktur hoher Dichte
Substratmaterial	Ultrareiner isostatischer Graphit	Dichte: 1,82 - 1,88 g/cm³
Chemische Reinheit	Gesamtverunreinigungen < 5 ppm	GDMS-geprüft
Beschichtungsdicke	80 μm - 150 μm	Gleichmäßigkeit ≤ ±5%