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Fallstudie: Modernisierung der Heißzone eines deutschen C/C-Verbundwerkstoffofens: Verformungsbeständigkeit und Gewichtsreduzierung
Fallstudie | Heißzonenmaterialien: Deutsche Vakuumofen-C/C-Verbundwerkstoff-Heißzonen-Upgrade: Verformungsschutz und Gewichtsreduzierung. Von Dr. Wang | CTO, Abteilung Heißzonenmaterialien, VET Energy, 27. August 2026. -62 % geringeres Eigengewicht der Heißzone, +35 % höhere Nettolastkapazität, -22 % geringere Abschreckenergie, >3x Bauteil-L...Mehr lesen -
Fallstudie: Steigerung der Ausbeute und Lebensdauer beim Ziehen von Zirkonkristallen durch hochreine Graphittiegel
Fallstudie: Verbesserung der Ausbeute und Lebensdauer beim Ziehen von CZ-Kristallen durch hochreine Graphittiegel. Technische Leitung: Dr. Marcus und das VET-Team für thermische Felder und hochreine Werkstoffe. Technischer Bericht: VET-Fallstudie zur Optimierung von Halbleitermaterialien und -prozessen (...)Mehr lesen -
Fallstudie: Hochreine Graphitkomponenten für 32-Zoll-monokristalline Wärmefelder beim Wachstum von n-leitendem Silizium
Fallstudie: Hochreine Graphitkomponenten für 32-Zoll-monokristalline Wärmefelder beim Wachstum von n-leitendem Silizium. Autor: Dr. Steven Qiu, leitender Halbleiterwerkstoffingenieur und Technischer Direktor bei VET Energy. Veröffentlicht: August 2026 | Technischer Feldbericht und Ingenieuranalyse ...Mehr lesen -
Ein umfassender Leitfaden für hochreine Graphitsuszeptoren
In der modernen Halbleiterfertigung und der Produktion von Verbindungshalbleitern der dritten Generation (wie Siliziumkarbid [SiC] und Galliumnitrid [GaN]) drehen sich die Diskussionen in der Branche häufig um hochmoderne EUV-Lithographieanlagen, Plasmaätzanlagen oder die Reinheit der Vorläufergase. Doch innerhalb der...Mehr lesen -
Hochreine Graphitheizlösungen für die Halbleiterepitaxie
Hochreine Graphitheizlösungen für die Halbleiterepitaxie. Bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen wie MOCVD (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) und SiC-Epitaxie bestimmt die Temperaturfeldsteuerung direkt die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke, die Dotierungskonzentration und weitere Faktoren.Mehr lesen -
Graphittiegel erklärt: Materialeigenschaften, Herstellungsverfahren und Anwendungen in Hochtemperatur-Halbleiterprozessen
Einleitung: Graphittiegel – Kritische Komponenten für die Fertigung bei extrem hohen Temperaturen. In der modernen High-End-Fertigung sind viele kritische Prozesse auf Umgebungen mit extremer Hitze angewiesen. Von der traditionellen Metallverhüttung bis zur Herstellung von Technologien der dritten Generation…Mehr lesen -
Maßgefertigter Tiegel aus hochreinem isostatischem Graphit: Wie man Rissbildung und Verunreinigungen beim Hochfrequenz-Induktionsschmelzen vermeidet
1. Zusammenfassung / Wichtigste Daten im Überblick: Von 12 auf 40 Zyklen – Klare Risiko- und Nutzenbewertung Kernaussage: Der Kunde hatte anfänglich mit häufigen Abschreckrissen und Ascheverunreinigungen beim Hochfrequenz-Induktionsschmelzen zu kämpfen. Unsere Lösung war ein isostatischer Graphittiegel – optimiert durch Materialentwicklung…Mehr lesen -
Verarbeitung und Eigenschaften von poröser Siliciumcarbid-Keramik
I. Einleitung Poröse Siliciumcarbid-Keramiken (poröse SiC-Keramiken) sind hochentwickelte Keramikwerkstoffe, die die herausragenden Eigenschaften von Siliciumcarbid mit einer sorgfältig entwickelten Porenstruktur kombinieren. Im Gegensatz zu dichten SiC-Keramiken weist poröses SiC vernetzte Poren auf, die zusätzliche Eigenschaften bieten…Mehr lesen -
Technisches Handbuch und Auswahlhilfe für hochreine isostatische Graphittiegel für Induktionsschmelz- und Halbleiterprozesse
1. Materialentwicklung & Technische Kernspezifikationen Kernerkenntnis: Kaltisostatisches Pressen (CIP) erzeugt eine hochdichte, gleichmäßige Mikrostruktur, die herkömmliches extrudiertes oder vibrationsgeformtes Graphit hinsichtlich mechanischer Festigkeit, Erosionsbeständigkeit und thermischer Effizienz deutlich übertrifft...Mehr lesen
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