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Forschungsstand zu integrierten SiC-Schaltkreisen
Im Gegensatz zu diskreten S1C-Bauelementen, die auf hohe Spannung, hohe Leistung, hohe Frequenz und hohe Temperaturen ausgelegt sind, besteht das Forschungsziel von integrierten SiC-Schaltkreisen hauptsächlich darin, digitale Hochtemperaturschaltkreise für intelligente Leistungs-IC-Steuerschaltungen zu entwickeln. Als integrierte SiC-Schaltkreise für...Mehr lesen -
Anwendung von SiC-Geräten in Hochtemperaturumgebungen
In der Luft- und Raumfahrt sowie im Automobilbau arbeiten elektronische Bauteile häufig bei hohen Temperaturen, beispielsweise in Flugzeugtriebwerken, Automotoren, Raumfahrzeugen auf sonnennahen Missionen und Hochtemperaturgeräten in Satelliten. Verwenden Sie die üblichen Si- oder GaAs-Bauelemente, da diese bei sehr hohen Temperaturen nicht funktionieren.Mehr lesen -
Halbleiteroberflächen der dritten Generation - SiC (Siliziumkarbid)-Bauelemente und ihre Anwendungen
Als neuer Typ von Halbleitermaterial hat sich SiC aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften zum wichtigsten Halbleitermaterial für die Herstellung von optoelektronischen Geräten mit kurzer Wellenlänge, Hochtemperaturgeräten, strahlungsbeständigen Geräten und elektronischen Geräten mit hoher Leistung entwickelt.Mehr lesen -
Verwendung von Siliziumkarbid
Siliziumkarbid wird auch als Goldstahlsand oder feuerfester Sand bezeichnet. Siliziumkarbid wird im Widerstandsofen durch Hochtemperaturschmelzen aus Quarzsand, Petrolkoks (oder Kohlekoks), Holzspänen (für die Herstellung von grünem Siliziumkarbid ist die Zugabe von Salz erforderlich) und anderen Rohstoffen hergestellt. Derzeit...Mehr lesen -
Einführung in Wasserstoffenergie und Brennstoffzellen
Brennstoffzellen können je nach Elektrolyteigenschaften und verwendetem Brennstoff in Protonenaustauschmembran-Brennstoffzellen (PEMFC) und Direktmethanol-Brennstoffzellen (DMFC), Phosphorsäure-Brennstoffzellen (PAFC), Schmelzkarbonat-Brennstoffzellen (MCFC), Festoxid-Brennstoffzellen (SOFC), alkalische Brennstoffzellen (AFC) usw. unterteilt werden.Mehr lesen -
Anwendungsgebiete von SiC/SiC
SiC/SiC weist eine hervorragende Hitzebeständigkeit auf und wird Superlegierungen in Flugzeugtriebwerken ersetzen. Ein hohes Schub-Gewichts-Verhältnis ist das Ziel moderner Flugzeugtriebwerke. Mit zunehmendem Schub-Gewichts-Verhältnis steigt jedoch die Turbineneintrittstemperatur weiter an, und das vorhandene Superlegierungsmaterial...Mehr lesen -
Der Hauptvorteil von Siliziumkarbidfasern
Siliziumkarbidfasern und Kohlenstofffasern sind beides Keramikfasern mit hoher Festigkeit und hohem Elastizitätsmodul. Im Vergleich zu Kohlenstofffasern bietet der Siliziumkarbidfaserkern folgende Vorteile: 1. Antioxidative Leistung bei hohen Temperaturen. In Luft mit hohen Temperaturen oder in aerober Umgebung wirkt Siliziumkarbid...Mehr lesen -
Siliziumkarbid-Halbleitermaterial
Siliziumkarbid (SiC) ist das am weitesten entwickelte Halbleitermaterial mit großem Bandabstand. SiC-Halbleitermaterialien bieten aufgrund ihrer großen Bandlücke großes Anwendungspotenzial in Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Hochleistungs-, Fotoelektronik- und strahlungsbeständigen Geräten.Mehr lesen -
Siliziumkarbidmaterial und seine Eigenschaften
Halbleiterbauelemente bilden den Kern moderner industrieller Maschinenausrüstung und werden häufig in Computern, Unterhaltungselektronik, Netzwerkkommunikation, Automobilelektronik und anderen Kernbereichen eingesetzt. Die Halbleiterindustrie besteht hauptsächlich aus vier Grundkomponenten: integrierten Schaltkreisen, Op...Mehr lesen