Εστιάζουμε επίσης στη βελτίωση της διαχείρισης των πραγμάτων και του προγράμματος QC, ώστε να διατηρήσουμε ένα εξαιρετικό πλεονέκτημα στην έντονα ανταγωνιστική επιχείρηση για τα εξατομικευμένα προϊόντα China Silicon Carbon Crucible για σιδηρούχα και μη σιδηρούχα κράματα, για να επιτύχουμε μια συνεπή, κερδοφόρα και σταθερή ανάπτυξη αποκτώντας ανταγωνιστικό πλεονέκτημα και αυξάνοντας συνεχώς το κόστος που προστίθεται στους μετόχους και τους εργαζομένους μας.
Εστιάζουμε επίσης στη βελτίωση της διαχείρισης των πραγμάτων και του προγράμματος QC, ώστε να διατηρήσουμε ένα εξαιρετικό πλεονέκτημα στην έντονα ανταγωνιστική επιχείρηση.Κίνα Χωνευτήριο γραφίτη πυριτίου, Χωνευτήριο Χυτηρίου Γραφίτη, Η εταιρεία μας είναι ένας διεθνής προμηθευτής αυτού του είδους προϊόντων. Παρέχουμε μια καταπληκτική συλλογή από προϊόντα υψηλής ποιότητας. Στόχος μας είναι να σας ενθουσιάσουμε με την ξεχωριστή συλλογή μας από προϊόντα υψηλής ποιότητας, παρέχοντας παράλληλα αξία και άριστη εξυπηρέτηση. Η αποστολή μας είναι απλή: Να παρέχουμε τα καλύτερα προϊόντα και υπηρεσίες στους πελάτες μας στις χαμηλότερες δυνατές τιμές.
Σύνθετα υλικά άνθρακα / άνθρακα(εφεξής καλούμενο «C / C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ίνες άνθρακα και τα προϊόντα του (προπλάσματα ινών άνθρακα). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ινών άνθρακα. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας.
CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά ομοιόμορφης δομής, συμπαγούς υλικού, αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχής στην οξείδωση, υψηλής καθαρότητας, αντοχής σε οξέα και αλκάλια και οργανικού αντιδραστηρίου, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.
Σε σύγκριση με τα υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400°C, γεγονός που προκαλεί απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη ρύπανση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και θαλάμους κενού και την αύξηση των ακαθαρσιών του περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.
Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 βαθμούς. Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.
Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες επικάλυψης SiC με τη μέθοδο CVD στην επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να λάβουν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, τα οποία εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών, σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το σχηματιζόμενο SIC συνδέεται σταθερά με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ειδικές ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.
Κύρια χαρακτηριστικά:
1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:
Η αντοχή στην οξείδωση παραμένει πολύ καλή όταν η θερμοκρασία φτάσει τους 1600°C.
2. Υψηλή καθαρότητα: παρασκευάζεται με χημική εναπόθεση ατμών υπό συνθήκες χλωρίωσης σε υψηλή θερμοκρασία.
3. Αντίσταση στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.
4. Αντοχή στη διάβρωση: όξινα, αλκαλικά, αλατισμένα και οργανικά αντιδραστήρια.
Κύριες προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Πυκνότητα | (g/cc)
| 3.21 |
| Αντοχή σε κάμψη | (Μπα)
| 470 |
| Θερμική διαστολή | (10-6/Κ) | 4
|
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300
|
