جاذب گرافیتی روکشدار SiC برای UV-LED عمیق، یک جزء کلیدی مورد استفاده در فرآیندهای مختلف تولید نیمههادی است. ما از فناوری ثبت اختراع شده خود برای ساخت حامل کاربید سیلیکون با خلوص بسیار بالا، یکنواختی پوشش خوب و عمر مفید عالی و همچنین مقاومت شیمیایی و پایداری حرارتی بالا استفاده میکنیم.
ویژگیهای محصولات ما:
۱. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا تا ۱۷۰۰ درجه سانتیگراد.
۲. خلوص بالا و یکنواختی حرارتی
3. مقاومت عالی در برابر خوردگی: اسید، قلیا، نمک و مواد آلی.
۴. سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.
5. عمر طولانی تر و بادوام تر
| بیماریهای قلبی عروقی (CVD) SiC薄膜基本物理性能 خواص فیزیکی اولیه SiC به روش CVDپوشش | |
| 性质 / املاک | 典型数值 / مقدار معمول |
| 晶体结构 / ساختار کریستالی | فاز β FCC多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / تراکم | ۳.۲۱ گرم بر سانتیمتر مکعب |
| 硬度 / سختی | 2500 维氏硬度 (500 گرم بار) |
| 晶粒大小 / اندازه دانه | 2 تا 10 میکرومتر |
| 纯度 / خلوص شیمیایی | ۹۹.۹۹۹۹۵٪ |
| 热容 / ظرفیت گرمایی | ۶۴۰ ژول · کیلوگرم-1·ک-1 |
| 升华温度 / دمای تصعید | ۲۷۰۰ درجه سانتیگراد |
| 抗弯强度 / استحکام خمشی | ۴۱۵ مگاپاسکال RT چهار نقطهای |
| 杨氏模量 مدول یانگ | خم 4 نقطهای با مقاومت Gpa 430، دمای 1300 درجه سانتیگراد |
| 导热系数 / ترمالرسانایی | ۳۰۰ وات بر متر مربع-1·ک-1 |
| 热膨胀系数 / انبساط حرارتی (CTE) | ۴.۵×۱۰-6K-1 |
شرکت VET Energy تولیدکنندهی واقعی محصولات گرافیتی و کاربید سیلیکون سفارشی با پوششهای مختلف مانند پوشش SiC، پوشش TaC، پوشش کربن شیشهای، پوشش کربن پیرولیتیک و غیره است و میتواند قطعات سفارشی متنوعی را برای صنعت نیمههادی و فتوولتائیک تأمین کند.
تیم فنی ما از موسسات تحقیقاتی برتر داخلی تشکیل شده است و میتواند راهحلهای حرفهایتری برای شما ارائه دهد.
ما به طور مداوم فرآیندهای پیشرفتهای را برای ارائه مواد پیشرفتهتر توسعه میدهیم و یک فناوری انحصاری و ثبت شده را توسعه دادهایم که میتواند پیوند بین پوشش و زیرلایه را محکمتر و کمتر مستعد جدا شدن کند.
با گرمی از شما برای بازدید از کارخانه ما استقبال میکنیم، بیایید بحث بیشتری داشته باشیم!
