Agbára ìfàmọ́ra Graphite SiC tí a fi SiC bo fún ìjìnlẹ̀ UV-LED jẹ́ kókó pàtàkì tí a ń lò nínú onírúurú iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́ semiconductor. A ń lo ìmọ̀ ẹ̀rọ tí a fọwọ́ sí láti ṣe ohun èlò ìgbálẹ̀ carbide silicon pẹ̀lú ìwẹ̀nùmọ́ gíga, ìṣọ̀kan ìbòrí tó dára àti ìgbésí ayé iṣẹ́ tó dára, àti àwọn ohun ìní ìdènà kemikali gíga àti ìdúróṣinṣin ooru.
Awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn ọja wa:
1. Agbara ifoyina otutu giga titi di 1700℃.
2. Iwa mimọ giga ati iṣọkan ooru
3. O tayọ resistance ipata: acid, alkali, iyo ati awọn ohun elo adayeba.
4. Agbara giga, oju ti o kere, awọn patikulu ti o dara.
5. Iṣẹ́ tó gùn jù àti pé ó lè pẹ́ tó
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye deede |
| 晶体结构 / Ìṣètò Kírísítà | Ìpele FCC β多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / Ìwọ̀n | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Líle | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Iwọn ọkà | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Agbára Rírọ̀ | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulu Young | 430 GPA 4pt tẹ, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalÌgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́ | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy ni olùpèsè gidi ti àwọn ọjà graphite àti silicon carbide tí a ṣe àdáni pẹ̀lú oríṣiríṣi ìbòrí bíi ìbòrí SiC, ìbòrí TaC, ìbòrí erogba gilasi, ìbòrí erogba pyrolytic, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ó lè pèsè oríṣiríṣi àwọn ẹ̀yà ara tí a ṣe àdáni fún ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic.
Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, o le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ sii fun ọ.
A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, a si ti ṣe agbekalẹ imọ-ẹrọ iyasọtọ ti a fun ni aṣẹ, eyiti o le jẹ ki asopọ laarin ibora ati substrate naa le nipọn ati ki o dinku si fifọ.
Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!
