Nouvelles

Pourquoi le silicium est-il si dur mais si cassant ?
par admin le 24-12-10
Le silicium est un cristal atomique dont les atomes sont reliés entre eux par des liaisons covalentes, formant une structure en réseau spatial. Dans cette structure, les liaisons covalentes entre les atomes sont très directionnelles et possèdent une énergie de liaison élevée, ce qui confère au silicium une grande dureté lorsqu'il résiste aux forces externes.
En savoir plus
Pourquoi les parois latérales se plient-elles lors de la gravure à sec ?
par admin le 24-12-03
Inhomogénéité du bombardement ionique. La gravure sèche est généralement un procédé combinant des effets physiques et chimiques, dans lequel le bombardement ionique est une méthode de gravure physique importante. Durant le processus de gravure, l'angle d'incidence et la distribution d'énergie des ions peuvent être irréguliers. Si l'ion est incident…
En savoir plus
Introduction à trois technologies CVD courantes
par admin le 24-12-03
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est la technologie la plus répandue dans l'industrie des semi-conducteurs pour le dépôt de divers matériaux, dont une large gamme de matériaux isolants, la plupart des matériaux métalliques et des alliages métalliques. Le CVD est une technologie traditionnelle de préparation de couches minces. Son principe…
En savoir plus
Le diamant peut-il remplacer d’autres dispositifs semi-conducteurs de haute puissance ?
par admin le 24-11-25
Pierre angulaire des appareils électroniques modernes, les matériaux semi-conducteurs connaissent des évolutions sans précédent. Aujourd'hui, le diamant révèle progressivement son potentiel en tant que matériau semi-conducteur de quatrième génération, grâce à ses excellentes propriétés électriques et thermiques et à sa stabilité dans des conditions extrêmes.
En savoir plus
Quel est le mécanisme de planarisation du CMP ?
par admin le 24-11-25
Le procédé Dual-Damascène est utilisé pour la fabrication d'interconnexions métalliques dans les circuits intégrés. Il s'agit d'une évolution du procédé Damas. En perçant simultanément des trous traversants et des rainures au cours de la même étape et en les remplissant de métal, la fabrication intégrée de ces interconnexions est possible.
En savoir plus
Graphite avec revêtement TaC
par admin le 24-11-21
I. Exploration des paramètres du procédé 1. Système TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Température de dépôt : Selon la formule thermodynamique, il est calculé que lorsque la température est supérieure à 1273 K, l'énergie libre de Gibbs de la réaction est très faible et la réaction est relativement complète. La ré...
En savoir plus
Procédé et technologie des équipements de croissance des cristaux de carbure de silicium
par admin le 24-11-21
1. Route technologique de croissance des cristaux de SiC PVT (méthode de sublimation), HTCVD (CVD à haute température), LPE (méthode en phase liquide) sont trois méthodes courantes de croissance des cristaux de SiC ; La méthode la plus reconnue dans l'industrie est la méthode PVT, et plus de 95 % des monocristaux de SiC sont cultivés par le PVT...
En savoir plus
Préparation et amélioration des performances des matériaux composites silicium-carbone poreux
par admin le 24-11-13
Les batteries lithium-ion évoluent principalement vers une densité énergétique élevée. À température ambiante, les matériaux d'électrode négative à base de silicium s'allient au lithium pour produire une phase Li3.75Si riche en lithium, dont la capacité spécifique peut atteindre 3 572 mAh/g, bien supérieure à la valeur théorique.
En savoir plus
Oxydation thermique du silicium monocristallin
par admin le 24-11-13
La formation de dioxyde de silicium à la surface du silicium est appelée oxydation. La création d'un dioxyde de silicium stable et fortement adhérent a donné naissance à la technologie des circuits intégrés planaires en silicium. Bien qu'il existe de nombreuses façons de produire du dioxyde de silicium directement à la surface du silicium…
En savoir plus