Pourquoi les parois latérales se plient-elles lors de la gravure à sec ?

Non-uniformité du bombardement ionique

SecgravureIl s'agit généralement d'un procédé combinant des effets physiques et chimiques, dans lequel le bombardement ionique constitue une méthode de gravure physique importante.procédé de gravure, l'angle d'incidence et la distribution d'énergie des ions peuvent être inégaux.

Si l'angle d'incidence des ions diffère selon les positions de la paroi latérale, l'effet de gravure des ions sur celle-ci sera également différent. Dans les zones où l'angle d'incidence des ions est plus grand, l'effet de gravure des ions sur la paroi latérale est plus fort, ce qui entraîne une gravure plus importante de la paroi latérale à cet endroit, provoquant sa courbure. De plus, la répartition inégale de l'énergie ionique produit des effets similaires. Les ions d'énergie plus élevée peuvent éliminer les matériaux plus efficacement, ce qui entraîne une irrégularité.gravuredegrés de la paroi latérale à différentes positions, ce qui provoque à son tour la flexion de la paroi latérale.

L'influence de la résine photosensible

La résine photosensible joue le rôle de masque lors de la gravure sèche, protégeant les zones non gravées. Cependant, elle est également affectée par le bombardement plasma et les réactions chimiques pendant la gravure, ce qui peut altérer ses performances.

Si l'épaisseur de la résine photosensible est irrégulière, si le taux de consommation pendant la gravure est irrégulier ou si l'adhérence entre la résine photosensible et le substrat varie selon les endroits, la protection des parois latérales peut être inégale pendant la gravure. Par exemple, des zones de résine photosensible plus fines ou présentant une faible adhérence peuvent faciliter la gravure du matériau sous-jacent, provoquant ainsi une courbure des parois latérales à ces endroits.

Différences dans les propriétés des matériaux du substrat

Le matériau du substrat gravé peut présenter des propriétés différentes, telles que des orientations cristallines et des concentrations de dopage différentes selon les régions. Ces différences influencent la vitesse et la sélectivité de gravure.
Par exemple, dans le silicium cristallin, la disposition des atomes de silicium selon les orientations cristallines est différente, de même que leur réactivité et leur vitesse de gravure avec le gaz de gravure. Lors de la gravure, les différences de vitesse de gravure, dues aux propriétés différentes du matériau, rendent la profondeur de gravure des parois latérales irrégulière à différents endroits, ce qui entraîne une courbure des parois latérales.

Facteurs liés à l'équipement

Les performances et l'état de l'équipement de gravure ont également un impact important sur les résultats de gravure. Par exemple, des problèmes tels qu'une distribution inégale du plasma dans la chambre de réaction et une usure irrégulière des électrodes peuvent entraîner une répartition inégale de paramètres tels que la densité ionique et l'énergie à la surface du wafer pendant la gravure.

De plus, un contrôle inégal de la température de l'équipement et de légères fluctuations du débit de gaz peuvent également affecter l'uniformité de la gravure, entraînant une flexion des parois latérales.